对比文件名称：2007-06-21_JP2007516624A_发明专利_JP2007516624A Offset correction for the down-conversion mixer
目标专利名称：437混频器架构CN102204085B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述设备包含：单端部分，《未公开》 | 无直接对应原文。图2及说明书描述的是差动结构。例如说明书第2段：“差動回路が随所で使用され、それにより共通モードのリーク又はノイズが除去される。”（差动电路被广泛使用，从而去除共模泄漏或噪声。） | 对比文件公开的混频器（250）是接收差动RF信号（RF+, RF-）的双平衡结构，其目的是利用差动结构的对称性来抑制共模噪声和LO泄漏。目标专利中的“单端部分”是接收单端第一信号的部分，这是其区别于传统双平衡混频器、旨在与单端前级（如LNA）连接以节省面积和引脚的核心构思之一。对比文件未公开任何接收单端信号的部分，其混频器输入是完全差动的。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B：** 其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号，《未公开》 | 无直接对应原文。图2中，晶体管T1A、T1B的源极共同连接到节点151，该节点接收差动RF信号的一端（RF+）。 | 技术特征B限定了第一晶体管对的第一输入耦合到“单端第一信号”。对比文件中混频器250的对应晶体管对（T1A, T1B）的输入（源极）连接的是差动RF信号的一端（RF+），该信号是差动信号的一个分量，并非“单端”信号。目标专利中，“单端第一信号”是相对于“虚设负载端子”而言的唯一信号源，而对比文件中的RF+和RF-是构成完整差动信号的两个互补端。二者在信号性质和作用上均不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：** ’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号，《直接公开》 | 图2及说明书对应部分（未明确标号）。图2显示，晶体管T1A和T1B的栅极分别连接到局部振荡器（LO）的互补信号LO(A)和LO(B)。说明书第2段提到：“局部発振器（ＬＯ）信号が、受信された無線周波数（ＲＦ）信号と直接的に混合される”（本机振荡器（LO）信号直接与接收到的无线频率（RF）信号混合）。 | 对比文件明确公开了混频器晶体管（如T1A, T1B）的栅极输入耦合到差动的LO信号（LO(A), LO(B)），用于与RF信号进行混频。这与目标专利中第一晶体管对的栅极输入耦合到差动第二信号（即LO信号）的技术特征完全相同。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术方案。 |
| **技术特征D：** ‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’《直接公开》 | 图2。图2显示，晶体管T1A和T1B的漏极分别连接到差动输出VoutA和VoutB。 | 对比文件图2明确显示，混频器中的晶体管对（T1A, T1B）的漏极分别连接到差动输出端VoutA和VoutB。这直接公开了“第一晶体管对耦合到所述差动输出信号”这一技术特征。 |
| **技术特征E：** 其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流《未公开》 | 无对应原文。图2和图3显示，晶体管T1A、T1B等通过电阻R2和R1连接到偏置电压/电流源，并且有补正信号CA/CB施加，说明其存在偏置电路。 | 目标专利说明书[0040]段提到混频器晶体管（360, 361, 370, 371）具备可配置偏压电压（VBS1, VBS2, VBD1, VBD2），这表明晶体管是存在偏置的。特征E明确限定“经配置以不具有偏置电流”，这是一个非常具体的、否定性的技术特征。对比文件的混频器晶体管显然通过电阻R2（设置共模偏置）和补正网络（提供调整）进行偏置，即配置有偏置电流。因此，对比文件未公开“不具有偏置电流”这一特征。 |
| **技术特征F：** 虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对，《未公开》 | 图2中存在两对晶体管（T1A-T1B和T2A-T2B）。 | 虽然对比文件的混频器中存在两对晶体管，但它们都是功能性的混频器核心部分，共同构成一个标准的双平衡吉尔伯特混频器（或类似结构）的开关对。这两对晶体管在电路结构上对称，但目的是共同处理差动的RF输入信号（RF+和RF-），以实现对LO泄漏等共模噪声的抑制。目标专利中的“虚设部分”是专门为了“匹配”单端部分而设置的，其输入连接的是“虚设负载端子”而非真实的RF信号，其核心作用是通过结构对称来改善单端输入混频器的噪声性能，而非参与处理差动信号。两者在电路中所起的作用和目的有本质区别。因此，对比文件中的第二对晶体管（T2A-T2B）并非目标专利所定义的“虚设部分”。该特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子，《未公开》 | 图2中，晶体管T2A、T2B的源极共同连接到节点152，该节点接收差动RF信号的另一端（RF-）。 | 技术特征G限定的“虚设负载端子”是一个关键特征，它连接的是虚设负载（如接地、RC网络或复制的前级电路），而非真实的信号源。对比文件中，与第二晶体管对（T2A, T2B）输入相连的节点152连接的是差动RF信号的另一个分量（RF-），这是一个真实的信号输入端口，并非“虚设负载端子”。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H：** 所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号，《直接公开》 | 图2。图2显示，晶体管T2A和T2B的栅极分别连接到局部振荡器（LO）的互补信号LO(B)和LO(A)。 | 与特征C同理，对比文件明确公开了混频器中另一对晶体管（T2A, T2B）的栅极也耦合到差动的LO信号。这与目标专利中第二晶体管对的栅极耦合到差动第二信号的特征相同。 |
| **技术特征I：** 所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。《直接公开》 | 图2。图2显示，晶体管T2A和T2B的漏极分别连接到差动输出VoutA和VoutB。 | 与特征D同理，对比文件图2明确显示，第二对晶体管（T2A, T2B）的漏极也分别连接到差动输出端VoutA和VoutB。这直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征J：** 所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。《未公开》 | 无对应原文。 | 由于对比文件未公开“虚设负载端子”（特征G未公开），因此也不可能公开该端子耦合到高频接地电压。该特征未被公开。 |
| **技术特征K：** 所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。《未公开》 | 无对应原文。 | 对比文件的混频器输入端口（151, 152）均连接至前级LNA 210的输出（差动RF信号），没有连接任何形式的“虚设负载”。目标专利中的“虚设负载”是为了在单端输入架构下，为虚设部分提供一个与真实信号源（LNA）匹配的阻抗环境，以优化噪声性能。对比文件没有这一概念或结构。 |
| **技术特征L：** 所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。《未公开》 | 无对应原文。图2中晶体管源极直接连接到输入节点151/152，未显示有退化电阻器。 | 对比文件的混频器电路图中未显示在晶体管源极（即第一输入）串联退化电阻器。目标专利图3中明确示出了退化电阻器（265, 266, 275, 276），并说明其有助于减小噪声。该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M：** 所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。《未公开》 | 无对应原文。图2中未显示输入耦合电容器。关于虚设负载包含电容器的内容亦无。 | 对比文件未公开在混频器晶体管输入前使用耦合电容器，也未公开任何“虚设负载”及其包含电容器的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：** 其进一步包含：放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。《未公开》 | 图2中包括LNA 210。说明书第2段：“局部発振器（ＬＯ）信号が、受信された無線周波数（ＲＦ）信号と直接的に混合される”（本机振荡器（LO）信号直接与接收到的无线频率（RF）信号混合）。 | 对比文件确实包含放大器（LNA 210），但其输出是差动的RF+和RF-信号（参见图2），用于驱动差动输入的混频器。目标专利特征N所限定的放大器是用于产生“单端第一信号”。这是两种不同的放大器输出架构。因此，对比文件公开的放大器并未公开“产生所述单端第一信号”这一限定。 |
| **技术特征O：** 所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。《未公开》 | 无对应原文。 | 对比文件未公开“虚设负载”，因此更不可能公开其具体结构为“电容器耦合到电源电压的电阻器”。该特征未被公开。 |
| **技术特征P：** 所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。《未公开》 | 无对应原文。对比文件未描述LNA 210的具体负载结构。 | 对比文件对LNA 210的内部结构（如负载）未作任何说明，也未提及任何“虚设负载”及其包含并联LC负载的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。《未公开》 | 无对应原文。 | 对比文件未公开“虚设负载”及其电感器，也未公开放大器负载的具体电感器设计。该特征未被公开。 |
| **技术特征R：** 所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管《未公开》 | 无对应原文。 | 对比文件仅以框图形式示出LNA 210，未揭示其内部具体电路拓扑是否为共阴共栅结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征S：** 源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极《未公开》 | 无对应原文。 | 理由同特征R，对比文件未公开放大器的具体内部结构，因此也未公开源极退化阻抗。该特征未被公开。 |
| **技术特征T：** 负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极《未公开》 | 无对应原文。 | 理由同特征R，对比文件未公开放大器的具体内部结构及负载。该特征未被公开。 |
| **技术特征U：** 所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共栅晶体管《未公开》 | 无对应原文。 | 对比文件未公开任何形式的“虚设负载”，因此不可能包含其中具有共阴共栅晶体管的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征V：** 虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极《未公开》 | 无对应原文。 | 理由同特征U，该特征未被公开。 |
| **技术特征W：** 二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极。《未公开》 | 无对应原文。 | 理由同特征U，该特征未被公开。 |
| **技术特征X：** 所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。《直接公开》 | 图2。图2明确显示：LO(A)连接到晶体管T1A和T2B的栅极；LO(B)连接到晶体管T1B和T2A的栅极；晶体管T1A和T2A的漏极共同连接到输出VoutA；晶体管T1B和T2B的漏极共同连接到输出VoutB。 | 对比文件图2的混频器250精确地公开了该交叉耦合的连接方式：两对晶体管（T1A-T1B和T2A-T2B），差动LO信号（LO(A), LO(B)）交叉连接到两对晶体管的栅极（即LO(A)连T1A和T2B，LO(B)连T1B和T2A），并且每对中编号对应的晶体管（T1A与T2A，T1B与T2B）的漏极分别耦合在一起，形成差动输出。这与目标专利特征X的描述完全一致。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征Y：** 所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。《直接公开》 | 说明书第2段：“局部発振器（ＬＯ）信号が、受信された無線周波数（ＲＦ）信号と直接的に混合される”（本机振荡器（LO）信号直接与接收到的无线频率（RF）信号混合）。图2中，LNA 210输出RF信号至混频器250。 | 对比文件明确公开了混频器将LO信号与经LNA 210放大的RF信号进行混合。这直接公开了技术特征Y。 |
| **技术特征Z：** 所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。《直接公开》 | 图2、图3及说明书对应部分。图2和图3显示，晶体管T1A, T1B, T2A, T2B通过电阻R2和R1偏置，并且有补正信号CA、CB通过加算装置S1A, S1B, S2A, S2B施加到晶体管的栅极路径上。说明书提到：“補正ネットワーク２４０は、ピーク値間の差分を平均して補正値ＣＡ，ＣＢを生成する差動積分器２４５を含んでいる。 加算デバイスＳ１Ａ，Ｓ１Ｂ，Ｓ２Ａ，及びＳ２Ｂは、補正値ＣＢ，ＣＡを、対向する局部発振器信号ＬＯ（Ａ），ＬＯ（Ｂ）に加えて、対応するトランジスタＴ１Ａ，Ｔ１Ｂ，Ｓ２Ａ，及びＳ２Ｂのバイアスをそれぞれ調整する。”（补正网络240包括对峰值间的差值进行平均以生成补正值CA、CB的差动积分器245。加法装置S1A、S1B、S2A及S2B将补正值CB、CA分别加到对向的局部振荡器信号LO(A)、LO(B)上，以分别调整对应的晶体管T1A、T1B、S2A及S2B的偏置。） | 对比文件公开的混频器中，第二晶体管对（T2A, T2B）的偏置不仅包括通过电阻R2提供的固定偏置，还包括通过补正网络240生成的可调补正信号（CB, CA）施加到其栅极路径（通过S2A, S2B），从而动态调整其偏置电压以校正不平衡。这构成了“由至少一个可配置偏压电压偏置”。该特征被对比文件直接公开。 |
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