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权利要求与技术特征

B 还包括分第三台阶结构分位于所述第一层和所述载体介质之间的所述边界处分其中所述第一台阶结构和所述第三台阶结构面向彼此并且是彼此相距第一距离分以及第四台阶结构分其中所述第二台阶结构和所述第四台阶结构彼此面对并且彼此相距小于所述第一距离的第二距离分并且其中所述第四台阶结构位于所述第三台阶结构上分并且其中所述第三台阶结构和所述第四台阶结构中的每一个被配置为使得响应于所述入射电磁波到达所述设备分由所述第三台阶结构产生的第三纳米喷射波束和由所述第四台阶结构产生的第四纳米喷射波束被组合并聚焦在第二聚焦点周围。

C 其中分所述入射电磁波是平面波分所述设备被配置为使得入射在所述设备上的所述平面波垂直于所述第一层分所述第一台阶结构包括第一边缘分第一底面分和所述第一边缘与所述第一底面之间的第一底角分所述第二台阶结构包括第二边缘分第二底面分和所述第二边缘与所述第二底面之间的第二底角分以及其中所述第一底角和第二底角等于90度。

D 其中所述第一台阶结构和所述第三台阶结构具有相同的第一高度H1分并且其中所述第二台阶结构和所述第四台阶结构具有相同的第二高度H2分其中所述第二高度H2的值为大约分其中d1是所述第一距离分且γ1为大约分其中ΘB1是由所述第一台阶结构和所述第三台阶结构产生的纳米喷射波束辐射角分其中分其中为第一临界折射角分n1为所述载体介质的所述第一折射率值分n2为所述第一层的所述第二折射率值分其中的值为大约H2/γ2分其中d2是所述第二距离分γ2为大约分其中ΘB2为由所述第二台阶结构和所述第四台阶结构产生的纳米喷射波束辐射角分且其中分其中是第二临界折射角分且n3为所述第二层的所述第三折射率值。

E 其中分所述设备被配置为使得所述入射电磁波是垂直于所述第一层和所述第二层的平面波分所述第一台阶结构包括第一边缘分第一底面分和所述第一边缘与所述第一底面之间的第一底角分所述第二台阶结构包括第二边缘分第二底面分和所述第二边缘与所述第二底面之间的第二底角分以及所述第一底角和第二底角等于角度α。

F 其中所述第一台阶结构和所述第三台阶结构具有相同的第一高度H1分其中所述第二台阶结构和所述第四台阶结构具有相同的第二高度H2分其中所述第二高度H2的值为大约分其中d1是所述第一距离分且γ1为大约分其中ΘB1是由所述第一台阶结构和所述第三台阶结构产生的纳米喷射波束辐射角分其中分其中为第一临界折射角分n1为所述载体介质的所述第一折射率值分n2为所述第一层的所述第二折射率值分其中的值为大约H2/γ2分其中d2是所述第二距离分γ2为大约分其中ΘB2为由所述第二台阶结构和所述第四台阶结构产生的纳米喷射波束辐射角分且其中分其中是第二临界折射角分且n3为所述第二层的所述第三折射率值。

G 其中分所述设备被配置为使得所述入射电磁波是以入射角Θi撞击所述设备的平面波分以及所述第一台阶结构包括第一边缘分第一底面分和所述第一边缘与所述第一底面之间的第一底角分所述第二台阶结构包括第二边缘分第二底面分和所述第二边缘与所述第二底面之间的第二底角分以及所述第一底角和所述第二底角等于90度。

H 其中所述第一层的所述第二折射率值等于所述第二层的所述第三折射率值分其中所述第一台阶结构和所述第三台阶结构具有相同的第一高度H1分并且其中所述第二距离d2根据以下等式而被描述分其中分且分其中d1是所述第一距离分位为第一临界折射角分n1为所述载体介质的所述第一折射率值分且n2为所述第一层的所述第二折射率值。

I 其中所述第二层的所述第三折射率值小于所述第一层的所述第二折射率值。

J 其中所述入射电磁波具有等于在390和700nm之间的值的波长。

K 其中所述第二层具有选自由以下构成的组的形状分立方体形状分圆柱体形状分以及棱柱体形状。

L 其中所述载体介质包括同质介电材料。

M 其中所述载体介质用作嵌入层分在所述嵌入层中至少嵌入了包括所述第二台阶结构的所述第二层。

N 其中所述第一台阶结构进一步包括第一顶面分并且所述第二台阶结构进一步包括第二顶面分所述第一台阶结构的所述第一底面和所述第一台阶结构所述第一顶面平行于第一平面分并且所述第一台阶结构的所述第一边缘平行于与所述第一平面相垂直的轴分以及其中所述第二台阶结构的所述第二底面和所述第二台阶结构的所述第二顶面平行于所述第一平面分以及其中所述第二台阶结构的所述第二边缘平行于所述轴。

O 其中所述第一台阶结构进一步包括第一顶面分并且所述第二台阶结构进一步包括第二顶面分其中所述第一台阶结构的所述第一底面和所述第一台阶结构的所述第一顶面平行于第一平面分并且所述第一台阶结构的所述第一边缘不垂直于所述第一顶面和所述第一底面分以及其中所述第二台阶结构的所述第二底面和所述第二台阶结构的所述第二顶面平行于所述第一平面分并且所述第二台阶结构的所述第二边缘不垂直于所述第二顶面和所述第二底面。

P 其中所述第二台阶结构处于所述第二层与所述载体介质的边界处。

Q 其中所述第四台阶结构处于所述第二层与所述载体介质的边界处。
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