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权利要求与技术特征

A 被配置为根据在所述器件的第一表面上入射的电磁波在所述器件的近区中形成场强分布
B 其中所述器件具有与所述第一表面相对的第二表面
C 所述器件被嵌入在具有第一折射率n1的第一介电材料中
D 所述器件包括：主体部分
E 由具有第二折射率n2的第二介电材料制成
F 其中所述第二折射率n2高于所述第一折射率n1
G 插入件
H 由具有第三折射率n3的第三介电材料制成
I 所述第三折射率n3低于所述折射率n2
J 其中所述第三折射率n3与所述第一折射率n1不同；并且中所述插入件在所述主体部分内
K 其中所述主体部分的宽度和所述插入件的宽度被配置为使得W1‑W2≥λ/2和2W1≤10λ
L 其中
M W1对应于所述主体部分的半宽度
N W2对应于所述插入件的半宽度
O λ对应于所述入射的电磁波在所述主体部分中的波长；并且中第一纳米射流束由所述主体部分的第一边缘产生
P 其中所述主体部分的所述第一边缘与所述第一介电材料相邻
Q 其中第二纳米射流束由所述插入件的第一边缘产生
R 其中所述插入件的所述第一边缘与所述主体部分的所述第二介电材料相邻；并且中所述第一纳米射流束和所述第二纳米射流束重新组合以在远离所述第二表面的第一部分而延伸的基质介质的空间中形成第一纳米射流热斑；并且中第三纳米射流束由所述主体部分的第二边缘产生
S 其中所述主体部分的所述第二边缘与所述第一介电材料相邻
T 其中第四纳米射流束由所述插入件的第二边缘产生
U 其中所述插入件的所述第二边缘与所述主体部分的所述第二介电材料相邻；并且中所述第三纳米射流束和所述第四纳米射流束重新组合以在远离所述第二表面的第二部分而延伸的基质介质的空间中形成第二纳米射流热斑。

V 其中所述主体部分的形状和所述插入件的形状中的每一者被从由以下各项组成的组中选择：长方体、圆柱体、圆锥体、截锥体、以及棱柱。

W 其中所述主体部分和所述插入件的每一者具有带有非垂直的侧表面的形状。

X 其中所述插入件的顶部边缘与所述主体部分的顶部边缘重合
Y 所述插入件的第一高度等于所述主体部分的第二高度。

Z 其中所述主体部分和所述插入件共享至少一个相同的对称轴。
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