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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
所述光学部件包括，电介质结构
B
所述电介质结构具有至少一个侧表面、上表面和下表面
C
所述至少一个侧表面敞开以接受入射电磁辐射
D
所述上表面上的第一导电层
E
所述第一导电层具有定位成接受入射电磁辐射的第一开口
F
和所述下表面上的第二导电层
G
所述第二导电层具有定位成发射电磁辐射的第二开口
H
所述电介质结构被配置成使得针对所选波长的电磁辐射
I
通过所述第一开口和通过侧表面进入所述电介质结构的波在所述第二开口处相长干涉。
权利要求 2
J
其中所述电介质结构的横截面是基本上矩形的。
权利要求 3
K
其中所述第一开口和所述第二开口具有基本上相同的宽度。
权利要求 4
L
其中所述第一开口和所述第二开口在所述电介质结构上基本上居中。
权利要求 5
M
其中所述电介质结构安装在硅基板上
N
所述第二开口定位成将电磁辐射发射到所述硅基板中。
权利要求 6
O
所述光学部件还包括，位于所述电介质结构下面的光电探测器。
权利要求 7
P
其中所述电介质结构具有介于1600nm和1900nm之间的高度h元件
Q
和介于1100nm和1400nm之间的宽度d元件。
权利要求 8
R
其中所述电介质结构具有介于900nm和1300nm之间的高度h元件
S
和介于750nm和1050nm之间的宽度d元件。
权利要求 9
T
其中所述第一开口和所述第二开口各自具有介于150nm和200nm之间的宽度。
权利要求 10
U
所述光学部件被配置为选择性地透射具有波长的入射电磁辐射
V
其中所述电介质结构的高度h元件基本上等于
W
其中是所述电介质结构的折射率；并且周围介质的折射率。