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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括,传递器件
B
被耦合在所述电压调节器的输入与所述电压调节器的输出之间
C
放大电路
D
具有第一输入
E
第二输入
F
和输出
G
其中所述第一输入被配置为接收参考电压
H
所述第二输入经由反馈路径被耦合到所述电压调节器的所述输出
I
所述放大电路的所述输出被耦合到所述传递器件的栅极
J
第一电流源
K
被耦合在供电轨与所述放大电路之间
L
其中所述第一电流源包括被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间的第一晶体管
M
所述第一晶体管的漏极直接耦合到所述放大电路
N
其中电容器被耦合在所述第一晶体管的栅极与所述电压调节器的所述输出之间
O
第二电流源
P
被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间
Q
其中所述第二电流源包括被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间的第二晶体管
R
其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述传递器件的所述栅极
S
所述第二晶体管的漏极直接耦合到所述放大电路。
权利要求 2
T
其中所述第一晶体管包括p型场效应晶体管PFET
U
所述PFET具有被耦合到所述供电轨的源极。
权利要求 3
V
还包括被耦合到所述第一晶体管的所述栅极的电压偏置电路。
权利要求 5
W
其中所述第一电流源还包括,第三晶体管
X
被耦合在所述供电轨与所述缓冲器之间
Y
其中所述电容器被耦合在所述第三晶体管的栅极与所述电压调节器的所述输出之间。
权利要求 7
Z
还包括被耦合到所述第一晶体管的所述栅极和所述第三晶体管的所述栅极的电压偏置电路。