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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
其包括： 电荷存储装置串，其与包括半导体材料的柱相关联
B
源极栅极装置，其耦合到源极，且经配置以控制所述电荷存储装置串的通道与所述源极之间的导电
C
及源极选择装置，其耦合于所述电荷存储装置串与所述源极栅极装置之间，
D
所述源极选择装置经配置以控制所述通道与所述源极之间的导电。
权利要求 2
E
其进一步包括耦合于所述电荷存储装置串与数据线之间的漏极选择装置。
权利要求 3
F
其中所述设备包括存储器装置。
权利要求 4
G
其中所述设备包括系统。
权利要求 5
H
其中每一电荷存储装置包括浮动栅极晶体管。
权利要求 6
I
其中每一电荷存储装置包括电荷陷阱晶体管。
权利要求 7
J
其中所述柱从数据线延伸到衬底中的阱。
权利要求 8
K
其中所述柱包括多晶硅。
权利要求 9
L
其中： 所述串为多个串中的一者
M
所述源极选择装置为多个源极选择装置中的一者，其中所述多个源极选择装置中的每一者在所述多个串中的对应一者与所述源极栅极装置之间。
权利要求 10
N
其中： 所述串为多个串中的一者
O
所述源极选择装置耦合于所述多个串与所述源极栅极装置之间。