非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
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权利要求1
一种在基板（2）上组装VCSEL芯片（1）的方法，包括以下步骤，通过在台面的顶上提供电学p接触（7）来形成p型台面（4）；通过用至少重叠在台面的p-n结之上的电绝缘钝化层（11）覆盖台面来形成n型台面（28）；在VCSEL芯片（1）的连接侧上沉积去润湿层（13）；在基板（2）的连接侧上沉积另外的去润湿层（13）；采用图案化的设计沉积所述去润湿层（13）或者在沉积之后图案化所述去润湿层（13）以限定基板（2）和VCSEL芯片（1）上的对应的连接区域（21、14）；其中连接区域（21、14）为焊料（15）提供润湿表面；将焊料（15）应用到两个连接侧中的至少一个的连接区域（21、14）；将VCSEL芯片（1）放置在基板（2）上；并且在无需相对于基板（2）固定VCSEL芯片（1）的情况下将VCSEL芯片（1）焊接到基板（2）以允许VCSEL芯片（1）在基板（2）上通过熔化的焊料（15）的表面张力的移动；其中VCSEL芯片（1）包括底部发射器VCSEL阵列其以它的台面侧焊接到基板（2）；其中在去润湿层（13）在VCSEL芯片（1）的连接侧上的沉积之前沉积第一金属层（10）；其被电连接到VCSEL的n接触（6）并且重叠n型台面（28）；所述n接触形成VCSEL的p型台面（4）之间的传导网络以用于电连接VCSEL并且在p型台面（4）之上均等地分布电流；其中与第一金属层（10）同时地沉积第二金属层（12）以重叠p型台面（4）和p接触（7）；第一金属层（10）和第二金属层（12）使VCSEL芯片（1）在机械上稳定；使得到n接触（6）的电连接与p接触（7）在相同高度处
权利要求2
根据权利要求1所述的方法，其中将焊料（15）作为固体层预应用到两个连接侧中的至少一个的连接区域（21、14）
权利要求3
根据权利要求1所述的方法，其中在基板（2）上沉积去润湿层（13）之前在基板（2）的连接侧上沉积导电层（16、25）
权利要求4
根据权利要求1所述的方法，其中通过沉积形成稳定的表面氧化物的Ti、TiW或Ni形成去润湿层（13）
权利要求5
根据权利要求1所述的方法，其中通过局部移除去润湿层（13）或者通过局部沉积形成在连接区域（21、14）处的润湿层的材料来执行去润湿层（13）的图案化
权利要求6
根据权利要求1所述的方法，其中AuSn、AgSn或铟被用作焊料（15）的成分以用于将VCSEL芯片（1）与基板（2）连接
权利要求7
一种VCSEL阵列器件，包括在基板（2）上并排设置的若干VCSEL芯片（1）；VCSEL芯片（1）与基板（2）通过形成在VCSEL芯片（1）和基板（2）的连接侧上的连接区域（21、14）之间的焊料连接而连接；其中连接区域（21、14）被形成在VCSEL芯片（1）和基板（2）的连接侧上的去润湿层（13）包围；其中VCSEL芯片（1）包括底部发射器VCSEL阵列其以它的台面侧焊接到基板（2）；其中VCSEL芯片（1）包括p型台面（4）其在台面的顶上具有电学p接触（7）；其中VCSEL芯片（1）包括覆盖有至少重叠在台面的p-n结之上的电绝缘钝化层（11）的n型台面（28）；其中VCSEL芯片（1）包括在VCSEL芯片（1）的连接侧上的去润湿层（13）下方的电连接到VCSEL的n接触（6）并且重叠n型台面（28）的第一金属层（10）所述n接触形成VCSEL的p型台面（4）之间的传导网络以用于电连接VCSEL并且在p型台面（4）之上均等地分布电流；其中VCSEL芯片（1）包括在去润湿层（13）下方的重叠p型台面（4）和p接触（7）的第二金属层（12）第一金属层（10）和第二金属层（12）使VCSEL芯片（1）在机械上稳定使得到n接触（6）的电连接与p接触（7）在相同高度处
权利要求8
根据权利要求7所述的器件，其中基板（2）安装在热沉（3）上