一种用于显示装置的基底，包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层；;黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层；;第一无机材料层，;所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间;并且具有100nm或更大且700nm或更小的厚度；;和第二无机材料层，;所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上;并且具有100nm或更大且500nm或更小的厚度，;其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的，;其中，所述Td 1％为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1％时的温度：;在50℃下保持等温5分钟，;并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟，;在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃，;在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1％时的温度。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利授权公告号 **CN115884949B**（用于显示装置的基底）的权利要求1，结合提交的四份对比文件进行深入的法理解析和技术特征比对。

在四份对比文件中，需要首先指出：**CN109496181A_Description_20260618_1554.docx** 与 **CN109496181A_Description_20260618_1856.docx** 为同一公开号文件的两份相同副本（以下统一用 **D3 (CN109496181A)** 指代）。其余两篇分别为 **D1 (CN102223760A)** 和 **D2 (CN109415301A)**。

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### 一、 权利要求技术特征分解与法律状态解释

目标专利权利要求1可依法分解为如下14个技术特征（特征A-N），其属于**多层聚酰亚胺-无机复合基底**技术领域：

* **技术特征A**：包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺（PI）树脂层；

* **技术特征B**：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺（PI）树脂层；

* **技术特征C**：第一无机材料层；

* **技术特征D**：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间；

* **技术特征E**：并且具有100nm或更大且700nm或更小的厚度；

* **技术特征F**：和第二无机材料层；

* **技术特征G**：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上；

* **技术特征H**：并且具有100nm或更大且500nm或更小的厚度；

* **技术特征I**：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的；

* **技术特征J-N**：限定了热重分析（TGA）测量Td 1％（重量减少率为1％时的温度）的具体升温与等温测试条件步骤（50℃保持5min $\rightarrow$ 200℃等温30min $\rightarrow$ 冷却至50℃稳定 $\rightarrow$ 10℃/min升至600℃ $\rightarrow$ 基于100℃质量计算）。

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### 二、 目标专利与对比文件的特征比对表格

以下表格详尽列出了各对比文件原文中对权利要求1各项技术特征的公开情况，并附带了具体的原文出处。

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### 三、 最接近对比文件（D1）的法律与技术分析

在创造性分析中，**D1 (CN102223760A)** 最适合作为**最接近的对比文件（第一独立引证法）**。

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果比对

* **目标专利**：旨在解决柔性塑料基底在经历“430℃或更高的高温过程”时容易产生形态变形、变性，以及水分/空气渗透导致薄膜晶体管（TFT）器件稳定性变差、出现余像的问题。通过“有色高耐热PI + 中间无机阻隔层 + 透明高电阻PI + 表面无机阻隔层”的四层复合结构，实现高耐热、无膜分离与高阻隔。

* **对比文件D1**：同样面向柔性显示（AMOLED/PMOLED）基板技术领域，明确指出要解决现有PET基板“温度稳定性差、水氧渗透率高、严重影响OLED寿命”的技术问题（说明书第[0005]段）。D1所采用的技术手段是“透明PI基底/无机层/透明PI层/无机层”的交替复合膜结构，利用无机层阻隔水氧，利用PI层进行表面平整化。

* **结论**：D1与目标专利的技术领域完全相同，解决的技术问题（高温加工形变、水氧阻隔、柔性显示器件寿命）高度重合，且已经公开了结构完全对应的“PI层1 / 无机层1 / PI层2 / 无机层2”的多层叠层架构。因此，D1是本案无可争议的最接近对比文件。

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### 四、 组合创造性分析：未公开特征的补全情况

虽然D1公开了目标专利14个特征中的绝大多数结构特征（特征B, C, D, E, F, G, H），但D1仍有以下核心技术特征未公开。我们分析这些特征是否被其他对比文件（D2、D3）所公开：

1. **第一PI层的超高耐热特性（特征A中的 Td 1% $\ge$ 570℃）**：

* **D2、D3的补全情况**：**未公开**。D2虽然合成了一种包含三氟甲基的刚性二胺，能够有效“诱导面内取向，能够更有利于形成耐热性也提高的结构”（D2说明书第[0041]段），但其固化产物膜的测试仅局限于CTE（热膨胀系数），并未公开或暗示通过特定前体能达到 Td 1% $\ge$ 570℃ 的超高分解温度。D3公开的第一层PAI或纯PI在经历高温固化后，其YI值和耐候性虽有提升，但也完全未提及或暗示570℃这一热分解量化指标。

2. **特定的黄度指数层合搭配（特征A与B的搭配，即第一层YI在25-60，第二层YI < 25）**：

* **D2、D3的补全情况**：**未公开**。D2和D3的全部出发点均是追求“全层无色透明”，D2要求YI $\le$ 20（其实施例3膜黄度为12.55），D3要求整体初始YI $\le$ 4.5。它们都未给出“故意让第一层PI保持高堆积密度、允许其变黄（YI 25-60）以换取热稳定性，仅让贴近薄膜晶体管的第二层PI保持透明高阻（YI < 25）”的非对称层合结构启示。

3. **特征I与J-N（10μm厚度基准下的YI及特定TGA测试工艺）**：

* **D2、D3的补全情况**：**未公开**。此热历程属于目标专利自行拟定的物性参数表征手段，其他对比文件均采用各自领域的常规测试（如D3使用ASTM D1925标准进行50μm测定），无法实现参数的无缝对接。

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### 五、 无效请求方最薄弱的技术特征

在代表请求方提起无效宣告请求时，最难攻克的**最薄弱环节（即对专利权人而言最稳固的护城河）**是：

**特征A中“第一聚酰亚胺树脂层 Td 1％为570℃或更高”与“黄度指数为25或更大且60或更小”的参数耦合绑定，以及其背后的非对称设计原理。**

#### 法律与技术理由：

1. **技术偏见与反向启示**：柔性显示基板领域在2026年的普遍研发导向是“全基板的无色透明”（如D1、D2、D3均强调高透过率、低黄变）。而目标专利反其道而行之，利用第一层PI“因高堆积密度导致的黄色发色团聚集（YI达25-60）”来换取“570℃或更高的超高耐热性”，同时仅将第二层做成透明。这种“一层黄、一层透”的精细化物理特性分工，在现有技术中存在技术偏见，难以被常规评述为“显而易见”。

2. **参数本身的不可比性**：Td 1% 在特征J-N中被施加了极为严苛且特殊的预热、等温历程限定（需在200℃先等温30min除水分和残溶，再行称重计算）。现有技术中的热分解温度多为直接升温测定。由于测试条件不一致，无效请求方极难通过常规文献的实验数据直接推定现有PI已经“隐含公开”了这一特定条件下的570℃。

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### 六、 进一步的审查与检索策略

鉴于目前的D1-D3组合在“Td 1% $\ge$ 570℃”这一参数特征上无法形成有效覆盖，为了成功无效该权利要求，建议请求方采取以下深层检索策略：

1. **前体结构逆向检索（针对特征A的突破）**：

* 目标专利说明书[制备例1]透露，第一PI层是由**对苯二胺（PDA）**和**3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐（BPDA）**在无添加剂、常规固化（470℃）下直接缩聚而成。

* **策略**：不要在检索式中直接限定“显示装置基底”或“多层膜”，应直接将核心化学结构式或单体组合作为检索核心：`("PDA" OR "对苯二胺") AND ("BPDA" OR "联苯四羧酸二酐" OR "联苯四甲酸二酐") AND ("热分解" OR "Td" OR "TGA" OR "570" OR "580")`。寻找纯粹的高分子化学或有机膜文献，证明PDA-BPDA体系在常规固化后其热分解温度必然 $\ge$ 570℃，属于该化学结构的固有物理属性。

2. **改用“功能外推法”评述非对称层合**：

* 鉴于很难找到直接公开“一层黄、一层透”的显示基底文献，应去检索半导体封装或柔性线路板（FPC）领域的叠层薄膜。

* **策略**：检索在FPC或IC封装中，为了应对激光剥离（LLO）或高温焊接，采用“底层有色高耐热PI + 顶层透明低介电/高阻抗PI”的叠层设计。一旦在相近领域找到这种基于功能分工的叠层启示，即可转而论证：将该叠层架构移植到AMOLED柔性基板上，属于本领域技术人员根据设计需要进行的常规技术手段对调，不具备创造性。

3. **针对特征J-N的测试标准检索**：

* 组织力量检索各大热分析仪器厂商（如TA Instruments、PerkinElmer）的应用技术白皮书（Application Notes）或相关高分子检测国家/国际标准（ISO/ASTM）。查证特征J-N中这种“50℃ $\rightarrow$ 200℃等温30min $\rightarrow$ 降温稳定 $\rightarrow$ 再升温”的TGA特定热历程，是否属于某种测试高分子膜中“扣除吸附水/挥发物后测定纯固有热分解温度”的行业标准惯用手段。若属于惯用手段，则该特定条件不具有创造性技术贡献。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标授权专利 **CN115884949B**（下称“目标专利”）的权利要求1，结合说明书原文以及提交的四份对比文件进行了深入的法律与技术架构分析。以下是正式的专利无效可行性分析报告。

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## 一、 目标专利权利要求1的释明与说明书技术意图

在进行特征比对前，必须紧密结合目标专利说明书原文，理解各项技术特征的实质法律边界和发明人试图解决的技术问题：

1. **核心架构与双层聚酰亚胺（PI）设计意图**：

目标专利说明书`[0036]-[0044]`明确指出，其发明核心在于新开发了一种“有色+透明”的复合PI基底架构。

* **第一PI树脂层**（特征A）具有极高的耐热性（$Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$），堆积密度高，用以确保高温过程中的**机械特性、尺寸稳定性和耐热性**；

* **第二PI树脂层**（特征B）则具有低黄度指数（$YI < 25$），聚合物链间距宽，专门用于贴近薄膜晶体管（TFT），实现**高电阻特性、低介电常数**，从而消除面板单元的**恢复余像和故障**。

2. **第一、二无机材料层的功能（特征C-H）**：

说明书`[0045]-[0048]`及`[0065]-[0067]`指出，第一无机材料层夹在两层PI之间，第二无机材料层形成在最外表面。两者的根本目的在于**双重阻挡空气和水分（气体阻挡特性）**，并**最大程度减小对TFT的电影响**。若厚度不在限定范围内，会产生易受应力影响、退化或品质下降等缺陷。

3. **参数测量条件的限定（特征I-N）**：

黄度指数基于 $10\pm1\mu\text{m}$ 标准厚度进行测量，而 $Td\ 1\%$ 则是在一种非常特定的、包含多段等温、升温及冷却段的**热重分析（TGA）程序下测得的重量减少率达1%时的温度**（基于 $100^\circ\text{C}$ 下的质量计算）。

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## 二、 权利要求1的技术特征拆解与对比文件比对矩阵

根据无效宣告请求的常规实务，我们将权利要求1拆解为14个具体技术特征（A-N），并与对比文件 **D1**（CN110121420A）、**D2**（CN110832015A）、**D3**（JP2006192854A）进行逐项客观比对。

> **注**：提交的对比文件1和对比文件2均为公开号 **CN110121420A** 的说明书（下文统称 **D1**）；对比文件3为 **CN110832015A**（下文统称 **D2**）；对比文件4为 **JP2006192854A**（下文统称 **D3**）。

### 权利要求1特征比对表格

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## 三、 最接近的对比文件（D1）及创造性无效可行性论证

### 1. 最接近的对比文件的确定

在创造性无效分析过程中，**D1 (CN110121420A)** 应当被选为**最接近的对比文件**。

* **整体解决的技术问题比对**：

* **目标专利**旨在解决柔性显示基底在430℃或更高的高温过程中不发生膜变形、内部退化，并解决器件高电阻、低介电、改善余像（残像）和电流减小的技术问题（说明书`[0010], [0037]-[0042]`）。

* **D1 (CN110121420A)** 同样属于柔性显示装置基底领域，其目的在于提供一种包含第一聚酰亚胺膜（高耐热载体）和第二聚酰亚胺膜（优异光学特性的柔性基底）的层合膜结构，用以连续供应具有优异物理特性的柔性基底，解决高温热压及后续TFT工艺过程中基底翘曲、扭曲、物理特性变异的问题（见D1说明书“技术方案”及“发明效果”）。

* **技术效果比对**：

D1的实施例明确证实了其双层PI组合在10μm时黄度 $\le 10$，具有极低的残余应力和微小翘曲，能够在高温加工下保持尺寸稳定性，这与目标专利追求的“兼顾耐热形态稳定与高电阻/低黄度改善余像”的技术效果高度重合。

### 2. 未被最接近对比文件公开的特征及其他文件的披露情况

将 D1 作为最接近的对比文件后，目标专利权利要求1组成了如下**区别技术特征**：

* **区别特征1（结构与物理阻挡）**：在第一、第二PI层之间设置了第一无机材料层（特征C、D、E），并在第二PI层上设置了第二无机材料层（特征F、G、H）。

* **区别特征2（参数细节）**：第一PI层的 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$ 及 $YI$ 范围（特征A），以及 J-N 项中限定的极其严苛的 TGA 升温/测试程序。

**其他对比文件的结合分析**：

* **关于区别特征1（无机夹层结构）**：**D3 (JP2006192854A)** 明确公开了在吸湿性、耐热性较差的基材上，利用多室PECVD连续沉积多层“碳增碳氧化硅层”（无机材料层），且通过调整各室中单体气体（HMDSO）与氧气的比例，使各层无机层的碳含量不同（即形成非连续层），从而赋予无机材料层极高的延展性、屈曲性、高气体阻挡性。D3公开了无机层的厚度可以为 $60\text{Å}-4000\text{Å}$（即 6nm-400nm），完全覆盖了目标专利限定的 $100\text{nm}-700\text{nm}$ 和 $100\text{nm}-500\text{nm}$ 范围。

* **关于区别特征2（高耐热第一PI层）**：**D2 (CN110832015A)** 专攻提高显示基底用PI膜在 $350^\circ\text{C}-500^\circ\text{C}$ 高温下的应力稳定性和正CTE特性。它公开了采用 BPDA-pPDA 骨架聚合而成的聚酰亚胺前体，在高温下不收缩。根据高分子物理的公知常识，D2中所采用的 BPDA-pPDA 纯芳树脂架构进行充分亚胺化固化后，其热分解温度本身就能达到 $570^\circ\text{C}$ 以上，且呈现微黄（YI通常落入25-60区间）。

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## 四、 无效请求方最薄弱的技术特征及对抗策略

在请求宣告该专利无效时，对于请求方而言，**最薄弱（即最难攻克、最容易成为专利局维持发明创造性理由）的技术特征**是：

> **特征J-N：特定热重（TGA）多段测量工况限定下的 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$。**

### 为什么这是最薄弱点？

1. **测试条件的极其特殊性**：该特征并非普通的分解温度，而是限定了“在50℃等温5分钟 $\rightarrow$ 升至200℃等温30分钟（目的是彻底除去吸附水和残余溶剂） $\rightarrow$ 降温至50℃稳定 $\rightarrow$ 10℃/min升至600℃ $\rightarrow$ 最终**基于100℃下的质量**计算重量减少1%的温度”。

2. **常规文献的缺失**：D1、D2虽然提到了“热分解温度 450℃-600℃”或“使用TA设备测试”，但均未公开此特定的热历程脱水后再计算的工况。专利权人极容易在口头审理中主张：由于测试条件不同，对比文件披露的常规热分解温度不能等同于本发明的 $Td\ 1\%$，且该特定前处理排除了溶剂干扰，使得 $570^\circ\text{C}$ 具有不可预期的准确性和尺寸稳定效果。

### 针对该薄弱特征的对抗与反驳策略：

* **公知常识与设备说明书佐证**：向审查员提交TA Instruments（Discovery TGA）或此类热重分析仪的官方标准测试指南。证明在测试高分子耐热性（特别是聚酰亚胺等易吸水薄膜）时，“先升温至150-200℃保持一段时间以烘干水分和吸附溶剂，降温稳定后再正式升温测试，并以排除挥发物后的质量作为基准计算分解点”属于**本领域测量热分解温度时常规的、标准的实验操作手段**。目标专利只是将仪器的常规标准操作步骤写入了权利要求，并未带来任何实质创造成分。

* **物理本质追溯法**：通过D2或常规高分子物性手册证明，制备例1中的“BPDA + PDA”体系聚合出来的聚酰亚胺薄膜，在其完全亚胺化固化后，其高分子骨架的本征热分解温度（无氧状态损耗1%）自然就处于 $570^\circ\text{C}-590^\circ\text{C}$ 之间。只要外围物理本质相同，特定测量方法导致的数值契合属于不具备创造性的常规测量。

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## 五、 进一步的防守与进攻性检索策略

为了确保无效宣告的成功率，建议在当前文献基础上进行**互补性二次检索**：

1. **针对测量工况和参数的检索**：

* **检索关键词**：`聚酰亚胺` + `等温` + `质量损耗 1%` 或 `重量减少率 1%` + `100℃ 质量` + `TGA`。

* **目的**：直接找出在目标专利申请日（2020年11月）之前，已有文献采用了完全相同的两段式（先脱水/脱溶剂再计算本征Td）TGA测试条件。一旦检索到原题，特征J-N将直接被常规实验方案完全否定。

2. **针对“PI - 无机层 - PI - 无机层”四层夹心结构的专门检索**：

* D3虽然公开了多层无机层沉积，但其基材是EVOH。我们需要补充检索以**聚酰亚胺（PI）为基材，通过CVD/PVD在两层PI间夹持无机Barrier层**的柔性电子基底专利。

* **检索方向**：聚焦三星、LG、乐金显示、京东方在2015-2020年间申请的柔性OLED显示面板基底（Flexible substrate）系列专利。这类四层或多层无机/有机杂化基底（如 PI/SiNx/PI/SiNx 或 PI/SiOx/PI/SiOx）在柔性显示大厂内部属于高度成熟的阻水阻气（TFE/封装/基底）标准演进技术，极易形成完美的结构结合启示。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利权利要求1进行深入的法理解析、特征对比及创造性突破口分析。

### 一、 基于目标专利说明书的权利要求解释

目标专利（CN115884949B）涉及一种用于显示装置的复合基底。其核心发明构思在于**通过“双层聚酰亚胺树脂（PI）+双层无机材料层”的交错夹心结构，平衡柔性基底在制造过程中的“形态稳定性（耐热变形）”与“高电阻特性（改善余像）”**。

1. **第一聚酰亚胺（PI）树脂层（特征A、I、J-N）**：说明书第`[0038]-[0039]`段指出，由于第一PI层具有高堆积密度，能够确保高温下的机械特性、尺寸稳定性和优异耐热性，即使经历430℃以上的高温过程也能降低树脂层变形。它是首先被层合且经受更多热历程的层（有色、耐热）。其耐热指标 $T_d\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$ 和黄度指数（$25 \le \text{YI} \le 60$）是基于特定四步法TGA热历程及 $10\pm1\mu\text{m}$ 的标准厚度限定的，用以排除因厚度变动带来的测量误差。

2. **第二聚酰亚胺（PI）树脂层（特征B、I）**：说明书第`[0041]`、`[0044]`段指出，第二PI层黄度指数小于25（透明、高阻），其具有宽聚合物链间距，实现了高电阻和低介电特性。它是更靠近薄膜晶体管（TFT）的层，能够有效降低电影响、改善显示装置的恢复余像。

3. **第一、第二无机材料层（特征C-H）**：说明书第`[0046]`、`[0065]`段指出，第一无机层夹在两层PI之间（厚100-700nm），第二无机层形成在第二PI层上（厚100-500nm），两层共同作用以阻挡空气和水分。若厚度低于100nm则无法有效阻挡水分，若超厚则易受外部应力影响导致剥离，且增加工艺成本。

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### 二、 技术特征对比分析表格

根据无效宣告程序要求，将权利要求1拆解为技术特征A-N，并与对比文件D1（JP2010155360A）、D2（JP2014025059A）、D3（JP2016111010A）及D4（JP2016201563A）进行客观比对。

#### 对比文件原文详细出处及公开事实分析：

* **D1 (JP2010155360A)**：公开了一种配线基板用积层体，包含两层以上不同的PI层（i）和（ii）。其中主要PI层（i）要求波长500nm透光率$\ge 75\%$，$\text{YI}\le 30$（参见说明书【0013】）。其利用不同PI层的组合来解决低CTE与金属层粘结力的矛盾。D1公开了多层PI结构及低YI值特征（特征B），但其未公开无机层夹心结构（特征C-H）及本专利特定的TGA四步测试法。

* **D2 (JP2014025059A)**：公开了一种显示装置支持基材用聚酰亚胺薄膜。其明确公开了可采用多层PI结构，并在主PI层外侧成膜50nm的硅氮化膜作为气体阻挡层（参见【0025】、【0056】及实验例4）。D2实质公开了低YI的PI层（特征B）和无机气体阻挡层（特征C、E），但其层合顺序并非“PI-无机-PI-无机”的交错夹心结构。

* **D3 (JP2016111010A)**：公开了一种电子素子中间材的制造方法。**其在由玻璃构成的支持基板上，依次形成了：第一无机膜（剥离防止膜11，如SiN） $\rightarrow$ 第一PI膜12（含氟PI，厚20$\mu$m） $\rightarrow$ 第二无机膜13（SiN，厚200nm） $\rightarrow$ 第二PI膜14（吸湿PI，厚5$\mu$m） $\rightarrow$ 第三无机膜15（SiN，厚200nm）**（参见说明书【0034】-【0036】及【图11】）。在激光剥离后，支持基板被移除，留下“第一无机膜11-第一PI膜12-第二无机膜13-第二PI膜14-第三无机膜15”的完整柔性基底结构。

* *特征对应分析*：D3的“第一PI膜12（含氟，低YI）”对应本专利的“第二聚酰亚胺树脂层”；D3的“第二无机膜13（厚200nm）”对应本专利的“第一无机材料层（厚100-700nm）”；D3的“第二PI膜14”对应本专利的“第一聚酰亚胺树脂层”；D3的“第三无机膜15（厚200nm）”对应本专利的“第二无机材料层（厚100-500nm）”。**因此，D3毫无疑问地完全公开了本专利的膜层架构顺序及无机层的厚度范围（特征C、D、E、F、G、H）**。

* **D4 (JP2016201563A)**：涉及半导体功率器件（IGBT）的沟槽栅极拓扑结构，与显示装置的柔性高分子基底属于完全不同的技术领域，未公开本专利的任何核心技术特征。

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### 三、 最接近的对比文件（D1-D4中）的选择与理由

在创造性分析过程中，**D3（JP2016111010A）最适合作为最接近的对比文件**。

* **从整体解决的技术问题角度看**：目标专利旨在解决柔性基底在 $430^\circ\text{C}$ 以上的高温工艺中易发生膜变形、变性，以及无机/有机界面因应力和气泡导致层间剥离的技术问题。而D3同样聚焦于柔性电子器件在TFT烧结等高温制造工程中，因含氟PI释放的氟与玻璃基板发生化学反应产生氧气气泡，进而导致“意图不纯的层间剥离（膜剥离）”这一核心痛点（参见D3说明书【0008】、【0022】-【0023】）。两者面对的高温热应力及界面劣化失效机理完全一致。

* **从技术效果角度看**：D3通过在多层有机/无机层中实施特定厚度（200nm）的无机阻挡层夹心设计，成功阻断了气泡和水分渗透，实现了高温下不发生层间剥离、高良率、高形态稳定性的柔性基底效果。这与目标专利达到的“经历高温过程后形态和物性无显著变化、未发生膜分离”的技术效果高度重合。

* **从结构重合度看**：如前所述，D3已经完全剥离出了“PI-无机-PI-无机”的交错四层空间堆叠架构，且其中的无机层厚度（200nm/200nm）精确落入目标专利的权利要求限制范围内（100-700nm / 100-500nm）。

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### 四、 其余特征的公开情况与请求方最薄弱的特征

由于D3作为最接近的对比文件，未公开特征A中第一PI层的具体物化参数（$T_d\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$，$\text{YI}$为25-60），以及特征I、J-N所限定的特定测试条件。我们需评估这些特征是否被其他文件公开：

1. **其余特征的公开情况**：

* **关于YI值与耐热性**：D1和D2虽然提到了PI的透明性（如D1要求 $\text{YI} \le 30$），但它们主要是在追求“完全无色透明”。目标专利的第一PI层有意选择了一种“微有色但超高耐热”的特殊PI（$\text{YI}$ 在25-60之间，具有高堆积密度），这种特定参数组合在D1、D2中并未被直接结合或启示。

* **关于测试条件（特征J-N）**：D1-D3均未公开特征J-N所述的“50℃等温5分 $\rightarrow$ 升至200℃等温30分 $\rightarrow$ 冷至50℃稳定 $\rightarrow$ 10℃/min升至600℃ $\rightarrow$ 基于100℃质量计算”的特定四步法TGA脱水测量协议。

2. **对于无效请求方（我方）来说最薄弱的技术特征**：

**特征J-N（即特定四步法TGA测量程序）以及特征A中基于该程序测得的 $T_d\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$ 这一精细性能窗口，是请求方最薄弱、最难攻克的特征。**

* *法理原因*：在专利审查和无效审判实践中，这种**带有特定前置测量条件（Measurement Protocol）的参数特征**极难被评述。即使请求方在公知常识中能找到耐热性较好的聚酰亚胺，但由于标准热重分析（TGA）通常是一次性升温，而本专利采用了先升至200℃等温30分钟（旨在完全排除微量吸附水和残留溶剂的影响），再冷却后重新升温测定，这导致普通文献中记载的 $T_d\ 1\%$ 温度与本专利在数值上不可比。专利权人极易抗辩称：该四步测量法排除了干扰，筛选出了具有特殊高堆积密度的晶格网络，属于“带来了预料不到的技术效果”的参数选择，从而立于不败之地。

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### 五、 进一步的检索策略

为了攻克上述薄弱特征，打破其参数壁垒，建议采取以下针对性的联合检索策略：

1. **针对“四步法TGA测试条件”的追溯检索（破除新颖性/创造性协议）**：

* *检索方向*：特征J-N的四步升温脱水程序极有可能是从某种高分子分析行业标准（如ASTM、ISO、JIS高分子热性能测定规范）或大型化工企业（如杜邦、宇部兴产、钟渊化学）的内部公开测试品控方法中抄录而来。

* *实操*：在Google Scholar、IEEE、中国知网中，以 `"等温" AND "重量减少" AND "600℃" AND "聚酰亚胺"` 或 `"isothermal" AND "weight loss" AND "polyimide" AND "200 °C"` 为关键词，检索2020年11月之前的学术论文、高分子热力学解析教材或分析仪器（如TA Instruments的Discovery TGA）的应用白皮书（Application Notes），寻找该测试协议的行业出处，证明该测量方法属于**本领域的公知常识测量手段**。

2. **针对“高性能有色聚酰亚胺树脂”的材料源头检索（破除结构创造性）**：

* *检索方向*：结合目标专利说明书【0167】-【0168】的制备例1，其第一PI层是由**对苯二胺（PDA）和3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐（BPDA）**在NMP中聚合而成的11wt%前体（即常见的BPDA-PDA型聚酰亚胺）。

* *实操*：锁定这一特定化学结构（CAS号或单体组合），在专利数据库中检索以BPDA和PDA为基础聚合的PI薄膜在特定固化条件下的热分解温度。很多文献会直接记载BPDA-PDA结构的$T_d$可达570℃以上，且因其刚直链结构常带有浅黄色（YI在25-60范围内）。通过**结构一一对应**，向合议组论证：只要采用了本领域常规的BPDA-PDA结构并进行充分固化，其必然天然具备特征A所述的物化参数，该参数仅是已知材料的固有属性陈述。

3. **外文原案及同族专利追踪**：

* 目标专利限定了优先权号为韩国申请（KR10-2020-0155897等）。应立即检索该案在韩国、美国、欧专局的同族审查档案（File Wrapper），重点查看韩国知识产权局（KIPO）或美国专利商标局（USPTO）在其审查意见通知书中是否曾引证过公开了类似测试条件或微有色高耐热PI的对比文件，直接“借力”域外审查官的检索成果。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您对权利要求1进行深入的法律和技术解析，紧密结合目标专利说明书（下称“本专利”）与4份对比文件（D1-D4），并为您制定无效宣告请求阶段的应对策略。

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### 一、 权利要求1的法律与技术特征解析

根据本专利说明书及权利要求书，权利要求1保护一种**用于显示装置的基底**，其本质是通过**双层聚酰亚胺树脂（PI）+夹心无机材料层+表面无机材料层**的特定非对称层压结构，同时解决显示基底在柔性显示器制造中面临的**高温耐热变形（形态稳定性）**与**薄膜晶体管（TFT）受电学影响产生余像/故障（高电阻/低介电特性）**这两大冲突的技术问题。

我们可以将权利要求1拆解为以下核心技术特征：

* **技术特征A（第一PI层）：** 有色PI层，Td 1% $\ge$ 570℃，黄度指数（YI）为25 $\le$ YI $\le$ 60。其利用高堆积密度，专门负责**机械特性、尺寸稳定性和超高耐热性**（防止430℃以上高温过程发生膜变形）。

* **技术特征B（第二PI层）：** 透明PI层，YI < 25。由于其宽聚合物链间距，专门负责实现**高电阻特性、低介电特性**，用以改善靠近TFT侧的余像。

* **技术特征C、D、E（第一无机材料层）：** 定位于第一和第二PI层之间，厚度100nm–700nm。其起到了**气体和水分阻挡、保护TFT免受电学影响**的阻隔作用。

* **技术特征F、G、H（第二无机材料层）：** 形成在第二PI层上，厚度100nm–500nm。起二次阻挡和TFT表面钝化防护作用。

* **技术特征I–N（测试条件参数限定）：** 属于**标准方法/限定特征**。规定了YI基于$10\pm1\mu m$的标准厚度测量；细化了Td 1%（热重减少1%时的温度）的严格TGA（热重分析）测定流步骤（50℃ $\rightarrow$ 200℃ $\rightarrow$ 50℃ $\rightarrow$ 600℃）。

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### 二、 对比文件毫无异议公开或实质公开的特征分析

在对4份文件进行细致比对前，首先基于公开号对对比文件进行指代：

* **D1：** JP2017073345A（用于有机EL元件的积层体及其制造方法）

* **D2：** JP2018103392A（发表文本1，对应Description\_1555）

* **D3：** JP2018103392A（发表文本2，对应Description\_1857）

* **D4：** JP2018123319A（聚酰亚胺薄膜）

#### 1. D1 (JP2017073345A) 的公开情况

D1公开了一种用于有机EL显示器、照明的聚酰亚胺积层体。

* **实质公开的层状结构：** 明确公开了“在可挠性的聚酰亚胺薄膜基材上形成气体阻隔层（有机基含有硅氧树脂膜/SiO2）”的积层体结构，并指出需耐受300℃~350℃甚至400℃~450℃的烧结过程。

* **区别/未公开点：** D1结构为单层PI或未明确限定非对称双层PI夹心结构；其气体阻隔层厚度规定为2~5$\mu m$（溶佐胶法），与本专利特征E（100-700nm薄膜CVD法）不同；且其未限定第一PI和第二PI的非对称YI值与Td 1%热重分析参数。

#### 2. D2 & D3 (JP2018103392A) 的公开情况

D2与D3为相同申请号下的文本。其公开了膜厚50$\mu m$时YI $\le$ 5的透明聚酰亚胺薄膜，以及在其表面形成含有金属元素的SiO层（如添加Al、Ti、Mg）。

* **毫无异议公开：** 公开了**技术特征B**（透明PI层，50$\mu m$时YI $\le$ 5，完全覆盖本专利YI < 25的范围）。

* **实质公开：** 公开了在透明PI表面形成无机材料层（包含Si和O的SiO层，厚度如10nm、40nm、100nm等，含有金属元素可使密着性提高、阻隔水分）。这实质公开了**技术特征F、G**。

* **区别/未公开点：** D2/D3旨在解决最外层盖板/前面板的UV耐候性和湿热剥离问题，其基底是基于前面板设计的单层透明PI或对称结构，**未公开具有Td 1% $\ge$ 570℃且有色（25 $\le$ YI $\le$ 60）的第一PI层（特征A）**，亦未公开非对称的“PI-无机-PI-无机”夹心积层结构。

#### 3. D4 (JP2018123319A) 的公开情况

D4公开了一种为了解决白框（Bezel）印刷视认性、YI控制在0 < YI < 1.0的超高透明聚酰亚胺薄膜。

* **实质公开：** 进一步以极高的技术标准公开了透明PI层的低黄色度控制，落入**技术特征B**的范围。

* **区别/未公开点：** 纯粹的高分子薄膜改性专利，未涉及无机夹心层结构及非对称的高耐热有色PI底膜。

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### 三、 技术特征比对表（Knowledge Graph Matrix）

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### 四、 战略目标与创造性法律抗辩（EAEA 视角）

作为EA AI，从“信号与噪声”的专业视角看，本案的**核心信号（Signal）**在于：本专利并非单纯发明了一种新的PI材料，而是**通过将一种高耐热、大YI值的结构PI（负责刚性与抗热变形）与一种低YI值、高电阻的透明PI（负责TFT电学钝化）通过纳米级CVD无机层进行“非对称积层复合”**。

#### 1. 创造性辩护（对抗销案/诉讼抗辩）

若您是**专利权人**，面对审查员或无效请求人使用D1-D4的组合进行创造性攻击，您的核心抗辩路径如下：

* **整体解决的技术问题不同（最接近现有技术筛选）：** D2/D3/D4 的立足点是“显示器最外层前面板（盖板玻璃替代）”，其核心解决的是UV黄变、视认性和湿热剥离；而本专利解决的是“显示装置的**基底**”，即直接承载TFT外延生长、需要经历430℃以上反复高热历程并对TFT进行电学隔离的底层衬底。因此，**D2/D3/D4不适合作为创造性评期的“最接近现有技术（D1）”**。

* **技术协同效应（Synergistic Effect）：** 将第一有色高耐热PI与第二透明高电阻PI复合，并且控制无机夹心层的纳米级厚度（100-700nm），在提供超高形态稳定性的同时（后热处理YI变化率$\le$130%，无膜分离），还通过第二PI层延长了静电半衰期（实现高电阻）。这种“非对称复合结构”带来了1+1>2的电学与机械互补效果，现有技术不存在这种结构改性的启示。

#### 2. 无效请求人（攻方）的最薄弱技术特征

若您是**无效请求方**（试图推翻此专利），本专利对于请求方而言**最难攻破（最薄弱）的软肋特征**是：

> **技术特征A中的“Td 1% $\ge$ 570℃”配合“测试条件特征I-N（特定的TGA等温消除历史应力测量流）”。**

* **原因：** 虽然现有技术（如D1提及的Upilex等有色PI）可能在常规测试下具有高耐热性，但本权利要求通过特征I-N限定了一套非常规的、包含“50℃等温 $\rightarrow$ 200℃烘干30分钟消除吸附水 $\rightarrow$ 降温稳定 $\rightarrow$ 10℃/min升温至600℃”的严格分析质量测定法。在现有技术文献中，很难找到完全满足该特定测量流、且计算出Td 1%精确大于570℃的显式公开。审查指南中，此类具有特定物化参数和特定测定路径的复合特征具有极强的防御力。

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### 五、 进一步检索策略指南

为了在无效宣告中彻底切断该专利的创造性链条，必须进行精准的二次补充检索。

<Sequence>

{/* Reason: 无效宣告程序中，检索的先后顺序和多维度交叉验证至关重要，必须严格按照“母体材料参数-非对称复合结构-特定测量流”的逻辑递进，否则会导致检索方向偏离。 */}

<Step subtitle="聚焦特征A与特定测定流" title="有色耐热底PI膜的参数专项检索">

**检索词组合：** `(聚酰亚胺 OR PI) AND (热分解温度 OR Td1% OR "1% weight loss") AND (570℃ OR 580℃) AND (黄度 OR YI OR 黄色度)`

**目标：** 寻找在电子封装基板或液晶衬底领域，明确具有Td 1% $\ge$ 570℃且呈有色透明（YI在25-60之间）的PI膜公开。优先检索本专利背景技术提及的BPDA-PDA体系（如本专利制备例1的结构）。

</Step>

<Step subtitle="攻克特征C、D、E的夹心结构" title="非对称PI-无机-PI积层结构的交叉检索">

**检索词组合：** `(双层聚酰亚胺 OR 多层PI OR "multi-layer PI") AND (无机阻隔层 OR 硅氧化物 OR SiOx OR SiNx) AND (夹心 OR 介于...之间 OR 夹层 OR "sandwiched")`

**目标：** 从三星、LG、三井化学、东丽等柔性OLED衬底大厂的专利管线中，检索其在2020年（本专利优先权日2020年11月）之前公开的关于“柔性衬底复合层”的结构专利。重点寻找为了防止多层PI在固化中发生“膜分离（剥离）”而引入纳米级无机夹心层的结构启示。

</Step>

<Step subtitle="破除特征I-N的参数壁垒" title="热分析测定方法标准（测定流标准）检索">

**检索词组合：** `(热重分析 OR TGA) AND (等温 OR isothermal) AND (消除水分 OR "remove moisture" OR 预热) AND (10℃/min)`

**目标：** 检索ASTM、JIS或ISO关于高耐热聚酰亚胺薄膜热重分析的国家/国际标准。证明权利要求中的特征I-N所规定的“先升温至200℃保持30min以消除物理吸附水分，再降温稳定后升温”是高分子热分析领域的**公知常识或标准测定规范**，从而剥离该参数限定带来的新颖性/创造性伪装。

</Step>

</Sequence>

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### 六、 总结与下一步行动

本案中，**D1最适合作为最接近的现有技术**，因为它同属于“显示装置基底衬底”领域，且公开了PI与无机阻隔层的层压关系。D2/D3/D4可作为评期透明PI层（特征B）和表面钝化层（特征F/G）的辅助对比文件。

<ElicitationsGroup message="为了帮您生成更具针对性的法律文书，请选择下一步：">

{/* Reason: 根据分析结果，用户可能需要直接将此转化为无效宣告请求书文本，或者需要对最难攻克的参数特征进行更深度的诉讼方案设计。 */}

<Step query="请基于D1为最接近现有技术、结合D2/D3作为辅助对比文件，撰写一份正式的、符合中国国家知识产权局审查指南规范的权利要求1无效宣告请求书创造性分析条条。" title="撰写针对权利要求1的《无效宣告请求书》创造性章节草稿"/>

<Step subtitle="攻克最薄弱特征" title="深度细化针对“Td 1% 测量流参数限制”的公知常识答辩/攻击方案">

`请针对技术特征I-N中限定的TGA具体升温测定流，检索或提供高分子物理中关于消除历史热应力和吸附水的公知常识证据，并给出对抗该参数限定的具体话术。`

</Step>

</ElicitationsGroup>

作为一名资深专利代理师，我将紧密结合目标专利《用于显示装置或柔性显示装置的基底及使用其的显示装置》（下称“目标专利”）的说明书及实验数据，对权利要求1进行深入的技术特征解析，并结合4份对比文件（D1~D4）进行详细的创造性对比分析，最后给出针对无效请求的薄弱点分析及进一步检索策略。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的合理解释

根据目标专利说明书的相关记载，权利要求1所保护的是一种**具有多层复合结构的显示装置/柔性显示装置基底**。其核心发明构思在于：通过将**高耐热、低线胀的“有色”第一聚酰亚胺（PI）树脂层**与**高电阻、宽分子链间距的“透明”第二PI树脂层**相结合，并在两者之间及第二PI层上方分别交替设置**特定厚度的第一、第二无机材料层**，从而在承受430℃以上高温过程（特别是低温多晶硅 LTPS TFT 工艺）时，既能保持优异的形态稳定性、防止膜分离，又能实现高电阻特性以消除余像缺陷。

说明书中对关键技术特征的合理解释如下：

1. **第一PI树脂层（特征A）**：Td 1% $\ge$ 570℃且YI在25~60之间。高Td 1%和有色（高YI）反映了其**高堆积密度**，这是确保基底在高温下不发生变形、变性和维持机械强度的核心。

2. **第二PI树脂层（特征B）**：YI < 25。低黄度指数通常伴随**宽聚合物链间距（低CTC效应）**，这为其带来了优异的低介电和高电阻特性。由于其更靠近TFT，高电阻能有效减少电学影响，从而**消除显示面板的余像和故障**。

3. **第一无机材料层（特征C、D、E）**：厚度100~700nm，夹在第一和第二PI层之间。其本质功能是**阻挡空气和水分（阻水阻氧）**，并最小化外层TFT的电学干扰，厚度过薄（<100nm）无法阻挡水氧，过厚（>700nm）则易受外部应力影响导致裂纹。

4. **第二无机材料层（特征F、G、H）**：厚度100~500nm，形成在第二PI层上，起到**二次阻挡水氧和保护TFT**的作用。

5. **Td 1%的测试条件（特征J、K、L、M、N）**：通过特定的热重分析（TGA）分段等温及升温程序消除吸附水和残留溶剂，以100℃时的质量为基准计算重量减少1%的温度，这是限定第一PI层高晶格密度和高耐热性的精细定性定量特征。

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### 二、 技术特征比对分析（特征比对表格）

为了评估权利要求1的整体新颖性与创造性，现将权利要求1的技术特征 A~N 与四篇对比文件（D1~D4）进行逐项客观比对。

*注：*

* **D1**: JP2020033421A

* **D2**: JP2020125493A

* **D3**: KR101773651B1

* **D4**: WO2007054082A1

#### 权利要求1与对比文件特征比对表

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### 三、 最接近对比文件的选择与创造性评述

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性分析中，选择**D3 (KR101773651B1)** 作为最接近的对比文件（第一候选），同时将 **D2 (JP2020125493A)** 作为平行的最接近对比文件（第二候选）。

* **选择D3的理由**：D3公开了与目标专利最相似的**双层PI层合基底架构**（载体基板 + 第一PI层 + 第二PI层）。其整体解决的技术问题也是如何在不使用激光剥离（LLO）的情况下，仅通过机械物理刺激实现柔性基底自载体玻璃的剥离。其第一PI层采用BPDA-PDA等刚性结构（对应目标专利制备例1的结构），第二PI层采用BPDA-TFMB等透明低介电结构（对应目标专利制备例2的结构）。

* **选择D2的理由**：D2关注于**LTPS（低温多晶硅）TFT工艺中的高温热历程（达430℃以上）**下PI膜的耐热性、残留应力和低黄度指数（YI）控制。D2公开了由PMDA和4,4'-DAS（4,4'-二亚米诺联苯砜）缩合而成的PI前驱体，其分子构型和LTPS应用场景与目标专利高度重合。

#### 2. 区别技术特征与技术效果分析（以D3为基础）

将目标专利权利要求1与最接近的对比文件D3进行比对，其**区别技术特征**主要在于：

1. **无机材料层的空间排布与厚度（特征C、D、E、F、G、H）**：D3中第一PI层与第二PI层是直接接触的（没有夹层），且第二PI层上方没有再覆盖特定的第二无机材料层。而权利要求1限定了第一无机材料层（100-700nm）夹在双PI层之间，第二无机材料层（100-500nm）覆盖在第二PI层上。

2. **具体层的物理参数定量限定（特征A、B、I、J~N）**：D3虽然定性提到了第一PI层和第二PI层可以分别选择BPDA-PDA和BPDA-TFMB，但未明确给出第一PI层的Td 1% $\ge$ 570℃、YI为25~60，以及第二PI层的YI < 25的精确量化指标和特定的TGA测试条件。

* **整体解决的技术问题**：如何在经历430℃以上连续LTPS高温热历程后，既防止由于各层间线膨胀不匹配导致的**膜分离（层间剥离）和形态扭曲缺陷**，又保持阻水阻氧能力，并确保靠近TFT侧具有优异的高电阻特性以**消除面板余像**。

* **达到的技术效果**：根据目标专利说明书表1和表2的实验数据，由于特征C~H（双无机层夹心及外覆结构）的引入，基底在经过430℃后“未发生膜分离”（而未加无机层的参照例1及比较例虽有类似YI，但无法阻挡水氧，且易发生层间退化）。第一无机层和第二无机层协同配合，使整体基底具有长半衰期（如实施例2为3.63s，电阻高），有效改善了电学干扰。

#### 3. 区别特征是否被其他对比文件公开及启示

* **关于特征C、E（无机层的存在与厚度）**：**D2**公开了在PI层上通过CVD法形成厚度为100nm的SiN层作为无机层。然而，D2将其用于基础的无机/有机单层保护，**并未给出或暗示将该无机材料层“夹在”高耐热有色PI层与高电阻透明PI层之间（特征D）**，也未提及设置外层的第二无机材料层（特征G、H）。

* **关于特征A、B、J~N（物理参数及测试条件）**：D1公开了具有高透明度和高耐热性的OHADA型PI，D2公开了高耐热的砜基PI，但它们均未公开目标专利中特征J~N那套极度复杂的、旨在精准剔除杂质干扰的TGA（测试Td 1%）程序，亦未给出双PI层在10±1μm基准厚度下的YI参数梯度配置。

* **关于D4**：D4涉及陶瓷电容器/Varistor的内电极交错开孔设计，属于无涉的电学元件制造领域，对本案柔性高分子基底的层合设计**无法提供任何技术启示**。

**创造性评述结论**：虽然D3给出了双层PI的概念，D2给出了无机阻隔层及LTPS耐热PI的概念，但本领域技术人员在面对“经受430℃以上LTPS工艺同时兼顾阻水氧、防膜分离和消除TFT余像”这一技术挑战时，并没有动力将无机层精确控制在100~700nm并将其嵌入两层特定物性（Td 1% $\ge$ 570℃，YI梯度）的PI层之间。这种“PI(有色)/无机/PI(透明)/无机”的特定四层协同构型带来了预料不到的技术效果（高耐热、长半衰期、零膜分离）。因此，**权利要求1相对于D3+D2+D1的组合具备创造性**。

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### 四、 无效请求方最薄弱的技术特征分析

如果站在无效请求方（意图推翻此专利的人）的角度，权利要求1中**防御力最强、对请求方而言最薄弱、最难攻破的技术特征**是：

> **特征J~N（伴随特征A）：Td 1% $\ge$ 570℃ 的具体定量限定以及极其独特的TGA（热重分析）测量条件。**

> *测试条件：在50℃下保持等温5分钟 $\rightarrow$ 升温至200℃后保持等温30分钟（彻底脱除吸附水和残留溶剂） $\rightarrow$ 降温至50℃稳定 $\rightarrow$ 以10℃/分钟速率升温至600℃ $\rightarrow$ 基于100℃下的质量计算重量减少1%时的温度。*

* **原因分析**：

1. **常规对比文件缺乏此类细节**：在一般的PI文献或专利（如D1、D2、D3）中，测量耐热性通常直接采用常规的 $T_d$ 或 $T_{d5}$（5%热损失温度，如D1中的测试），升温通常是直接从室温单调升温。

2. **具有特定溶剂清除性质的参数属于“非标准参数”或“特定条件参数”**：目标专利通过先升至200℃等温30分钟再降温、最后以100℃质量为基准的复杂程序，实质上严格限定了聚酰亚胺主链本身极度稳固的化学键耐热性（排除了残留溶剂DMAc/NMP或挥发物引起的初段失重）。

3. **证据极难匹配**：无效请求方很难在现有技术中找到一份完全采用了“50℃-200℃等温30min-降温-10℃/min升温-基准100℃”这一特殊前处理测量协议，并恰好得出 $T_{d1\%} \ge 570^\circ\text{C}$ 的PI证据。因此，特征J~N在无效宣告程序中形成了极高的技术壁垒。

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### 五、 进一步的检索策略

鉴于上述分析，当前的对比文件D1~D4未能形成完美的“结合启示”来破坏权利要求1的创造性。若要进一步补充检索以提起无效请求，建议采取以下精准检索策略：

1. **针对“特定TGA测试条件（特征J~N）”的非常规参数检索**：

* **策略**：改变常规只检索“聚酰亚胺+显示基底”的限制，扩大到高分子物理、高分子热分析（热重法 TGA）的学术论文或国家/国际标准（如 ASTM、ISO、JIS 中关于PI膜耐热性测定的行业特殊前处理标准）。

* **关键词组合**：`聚酰亚胺` AND `热重分析` OR `TGA` AND `等温` AND `溶剂除去` OR `挥发分` AND `570℃` OR `失重1%`。

2. **针对“有色PI/无机层/透明PI/无机层”四层交替构型的结构检索**：

* **策略**：重点检索大厂（如三星显示 SDC、LG Display、LumiPlast、SKC、东丽等）在2019-2021年间关于**“柔性OLED复合基板”或“Multi-layer PI substrate”**的微观结构专利。

* **检索式逻辑**：分类号 `H01L27/32` (OLED) 或 `G02F1/1333` (柔性显示) + 结构关键词 `(polyimide w/2 yellow)` AND `(polyimide w/2 transparent)` AND `(silicon nitride OR silicon oxide OR inorganic)` AND `thickness`。

3. **追踪目标专利的同族审查历史（同族审查线索利用）**：

* **策略**：调阅该案在韩国的母案（KR 10-2021-0148107）以及美国、欧洲或日本同族申请的审查意见通知书（OA）。查看国外审查员在面对这一复杂的TGA限定和多层无机夹层时，是否检索到了更致命的韩国本地大厂（如Samsung Electronics）未公开的内部防余像多层基底专利。通常，同族引证文件（XB/X/Y类受引文件）会提供极具杀伤力的本国文献。

## 1. 目标专利权利要求与说明书深度解析

根据目标专利说明书，本发明的核心在于通过**特定双层聚酰亚胺（PI）树脂层+特定厚度的双层无机材料层**的交替层叠结构，完美平衡了柔性显示基底的**“高耐热稳定性”**（即使经历 $430^\circ\text{C}$ 以上高温也不变形/不变性）与**“高电阻/低介电特性”**（有效改善薄膜晶体管的余像和故障）。

以下紧密结合说明书原文对权利要求1的技术特征进行拆解和解释：

* **技术特征A（第一聚酰亚胺树脂层）：**

* **解释：** 说明书第`[0038]-[0040]`段指出，第一PI层在制造中首先被层合，承受最多的热历程。其 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$（高热分解温度）以及 $YI$ 在 25~60 之间（有色），源于其结构的高堆积密度。这确保了在高温下的机械特性、尺寸稳定性和优异耐热性，若 $Td\ 1\%$ 低于 $570^\circ\text{C}$，膜在高温下会严重变形和退化。

* **技术特征B（第二聚酰亚胺树脂层）：**

* **解释：** 说明书第`[0041]-[0044]`段指出，第二PI层更靠近薄膜晶体管（TFT），容易受到电影响。其 $YI < 25$（宽聚合物链间距、结构透明），能有效实现高电阻特性，显著改善显示面板的恢复余像。

* **技术特征C、D、E（第一无机材料层及空间/厚度限定）：**

* **解释：** 说明书第`[0045]-[0048]`段限定其定位在第一PI与第二PI之间，厚度为 100~700nm。其核心功能是阻挡空气和水分，使对TFT的电影响最小化。若不包含或厚度 $<100\text{nm}$，则无法阻挡水氧且品质劣化；若 $>700\text{nm}$，易受外部应力影响且降低生产率。

* **技术特征F、G、H（第二无机材料层及空间/厚度限定）：**

* **解释：** 说明书第`[0063]-[0067]`段限定其形成在第二PI层上，厚度 100~500nm。起二次阻挡空气和水分的作用。

* **技术特征I、J、K、L、M、N（参数测量条件）：**

* **解释：** 对应说明书第`[0052]`、`[0055]`、`[0058]`、`[0216]-[0218]`段。这是纯粹的物理参数测量方法限定，用于准确界定第一/第二PI层的黄度指数（基于 $10\pm1\mu\text{m}$ 厚度）和权重减少 $1\%$ 时的温度（$Td\ 1\%$）的TGA测试程序。

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## 2. 权利要求1与对比文件特征比对及匹配程度分析

针对三份对比文件：

1. **D1：** `WO2013191180A1_Description_20260618_1841.docx`

2. **D2：** `WO2017051827A1_Description_20260618_1852.docx`

3. **D3：** `WO2018216890A1_Description_20260618_1550.docx`

### 特征比对表格

### 详细原文出处与公开事实分析

#### D1 (`WO2013191180A1`)

* **整体解决的技术问题与效果：** 解决塑料基底尺寸稳定性、透明性、耐热性和气体阻挡性（防水分、氧气）差的问题，通过在透明PI膜上设置气体阻挡层防止EL素子特性劣化。

* **特征比对分析：**

* 公开了“支持基材上具备气体阻挡层（无机材料层，氧化硅或窒化硅）”（对应**特征C**）。

* 原文提及“一般的聚酰亚胺薄膜通常呈黄褐色……为了确保异物检出需使用透明聚酰亚胺”，实质上暗示或排布了高耐热有色PI与透明PI的物性，但D1并未公开“第一PI/第一无机/第二PI/第二无机”的四层四面体交替层叠架构，也未给出具体的参数界限值（**特征D、E、F、G、H、I、J-N**未公开）。

#### D2 (`WO2017051827A1`)

* **整体解决的技术问题与效果：** 解决在高温（$400^\circ\text{C}$ 以上低表面阻抗LTPS-TFT工艺）下，PI膜容易发黄变色（$YI$ 恶化）、产生残留应力导致层剥离和反里的问题。

* **特征比对分析：**

* **特征B、I**：毫无异议公开。原文【００２０】明确记载“４００℃以上加热后的膜厚１０微米（$\mu\text{m}$）下的黄色度（$YI$）为２０以下”，这完全覆盖了第二聚酰亚胺树脂层 $YI<25$ 且基于 $10\mu\text{m}$ 测量的限定。

* **特征C、D、E**：毫无异议公开。原文【实施例４６】明确公开“在聚酰亚胺膜上，通过CVD法将作为无机膜的氮化硅（$SiNx$）膜在３５０℃下形成１００ｎｍ的厚度”，并且包含多层层叠、脱氢退火与激光剥离，公开了无机材料层夹在树脂与外层结构（积层体）之间的排列形态。

* **未公开特征：** 未明确公开 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$ 的第一PI层（特征A）以及最外层的第二无机材料层（特征F、G、H）及特定TGA测试步骤（特征J-N）。

#### D3 (`WO2018216890A1`)

* **整体解决的技术问题与效果：** 解决在连续辊对辊（Roll to Roll）溶剂铸膜工艺中，PI薄膜因静电难以卷取的问题，同时通过异种聚酰亚胺复合层叠来平衡柔性显示基板的耐热、高机械强度与无玻璃基底连续剥离。

* **特征比对分析：**

* **特征A**：毫无异议公开。原文【表3】【第1聚酰亚胺薄膜】项明确公开其由BPDA和PDA缩聚而成，“$1\%$ 热分解温度为 $580^\circ\text{C}$，模量为 $11\text{GPa}$，热膨胀系数（$CTE$）为 $3\text{ppm}/^\circ\text{C}$”，完全覆盖了本申请特征A中 “$Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$” 且具备高耐热有色特性的第一聚酰亚胺树脂层。

* **特征B**：毫无异议公开。原文【表4】公开了含有含氟/实洛单组分的“第二聚酰亚胺薄膜”，当其厚度为 $10\mu\text{m}$ 时，黄度指数 $YI$ 极低（实测满足 $<25$ 条件）。

* **特征D、F、G、H**：未公开。D3是利用第1PI层和第2PI层直接接触积层（双层树脂薄膜），并未在中间和表面引入特定厚度的夹层无机材料层。

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## 3. 最接近对比文件的确定

在创造性审查中，**D2 (`WO2017051827A1`)** 和 **D3 (`WO2018216890A1`)** 均适合作为**最接近的对比文件（D1可作为背景技术引入）**。原因如下：

* **选择D2作为最接近对比文件的理由：**

* **技术领域与解决的问题最一致**：D2也是聚焦于“柔性显示装置基底”，针对的是低温多晶硅（LTPS-TFT）在 $400^\circ\text{C}$ 以上的高温工艺中，如何解决基底反里、层离和黄色度恶化（保持透明度）的难题。

* **技术特征重合度极高**：D2已经完全毫无异议公开了满足 $YI \le 20$（基于 $10\mu\text{m}$）的透明PI层（特征B、I），且公开了在PI层上通过CVD沉积 $100\text{nm}$ 氮化硅无机阻挡层（特征C、E）。

* **选择D3作为最接近对比文件的理由：**

* D3从“多层聚酰亚胺积层”的复合构型出发，直接公开了双层PI的构筑。其第1PI层的结构（BPDA-PDA系统）及其实测 $Td\ 1\% = 580^\circ\text{C}$（特征A）与本申请完全相同，且公开了复合薄膜的构型。

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## 4. 创造性评述、最薄弱特征及检索策略

### 创造性三步法评述（以D2为最接近对比文件，结合D3）

1. **确定区别特征：**

相比于D2，权利要求1的区别技术特征在于：① 增加了 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$ 且 $YI$ 为 25~60 的第一PI层，且第一无机层位于第一和第二PI层之间；② 增加了形成在第二PI层上的第二无机材料层（厚度 100~500nm）；③ 引入了特定的J-N项TGA测量条件。

2. **确定实际解决的技术问题：**

在保证基底与薄膜晶体管接触面具备高电阻、低黄色度（改善余像）的同时，进一步极大地提高基底整体在 $430^\circ\text{C}$ 以上超高温连续工艺下的机械变形抗性（形态稳定性）、水氧阻挡能力，并防止膜分离和层间开裂。

3. **是否存在技术启示：**

* 对于区别特征①（双层PI分工设计）：**D3给出了明确的启示**。D3指出，为了满足柔性基板的高热稳定性和机械模量，可以使用高耐热的BPDA-PDA系统（$Td\ 1\%=580^\circ\text{C}$）作为主承载层，再积层具备其他功能（低 $YI$/特定功能）的第二PI层。本领域技术人员有动机将其引入D2中。

* 对于区别特征②（第一、第二无机层的特定双层夹心阻挡构型）：本申请说明书【实验例】和【表1】【表2】的测试数据证明，当“第一无机层（100~700nm）”夹在两层PI之间，“第二无机层（100~500nm）”覆盖于表面时，半衰期显著延长，且**“膜分离现象评估”完全为“X”（未发生膜分离）**，而对比文件或未加无机层的参照例1则发生了严重的膜分离和热发黄。这种**多层对称/半对称无机-有机抗夹层剥离的厚度协同效应**，超出了技术人员的常规预期。

### 无效请求方最薄弱的技术特征（即本专利的“护城河”）

对于请求方（无效宣告发起人）而言，最难攻克的、最薄弱的特征是：

> **特征D、E、G、H的组合：即“第一无机材料层（100-700nm）夹在第一与第二PI层之间”与“第二无机材料层（100-500nm）形成在第二PI上”的特定双无机层厚度与空间架构。**

* **原因：** 对比文件D2虽然提到了无机膜，D3提到了异种PI积层，但没有任何一份对比文件启示了**“PI(1) / 无机(1) / PI(2) / 无机(2)”** 这种精准的“夹心面包”式微米/纳米级交替层合结构。本申请说明书【0036】段证实，正是这种特定厚度的复合阻挡架构，才使得基底在经受 $430^\circ\text{C}$ 高温后，黄度指数百分比仍稳稳控制在 $130\%$ 以下且不发生任何膜层间分离（未发生翘曲、剥离）。这一**由特定层序和厚度范围带来的预料不到的技术效果**，是创造性辩护的强力依据。

### 进一步的检索策略建议

若无效请求方想要彻底推翻该专利的创造性，建议采取以下精准检索策略：

1. **多因素组合逻辑检索（有机+无机交替多层阻挡）：**

目前的对比文件大多孤立地公开“透明PI+单层无机防水分”或“多层PI复合”。应加大检索**“有机无机多层复合障碍膜（Organic-Inorganic Multilayer Barrier Film）”**或**“聚酰亚胺/无机物/聚酰亚胺 三层/四层柔性基底”**的专利。

2. **锁定大厂同行申请（微观构型演进）：**

重点追踪柔性OLED面板大厂（如Samsung Display、LG Display、BOE京东方）在2018年~2020年间（本申请韩国优先权日2020年11月之前）关于**“PI基板多层缓冲层（Buffer Layer）/ 阻挡层（Barrier Layer）的厚度限定”**的防水分、防余像专利。

3. **关键词与IPC分类号细化：**

* **IPC分类号：** `H01L27/32`（有机LOED设备）、`H10K59/00`、`G02F1/1333`（柔性液晶）、`B32B27/34`（聚酰亚胺层压板）。

* **核心关联检索式：** `(Polyimide OR "聚酰亚胺") AND (SiOx OR SiNx OR "无机层" OR "阻挡层") AND ("双层" OR "两层" OR "多层" OR Sandwich OR "夹层") AND (厚度 OR nm OR 纳米)`。

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## 5. 综合评述与结论

本专利权利要求1的核心发明点并非在于合成了一种全新的聚酰亚胺树脂，而是**在工艺上创造性地通过两层具有巨大色差及热学性能差异的PI树脂（D2与D3分别公开了其一），与两层被精确定制了纳米级厚度范围（100-700nm / 100-500nm）的无机材料层进行空间交替层叠。**

这成功阻断了超高温下有机与无机层热膨胀不匹配带来的应力开裂（层离），并实现了极高水氧阻挡与优异的TFT电绝缘。无效请求方若仅凭D2和D3的简单结合，在面对本专利“无膜分离、高温后YI变化小”的优异数据时，极难否定其创造性。进一步的攻防应紧密聚焦在多层有机/无机无缝沉积工艺的现有技术公开上。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将紧密结合目标专利说明书的公开内容，对权利要求1的全部技术特征进行全面解析，并结合对比文件进行对比分析、创造性评述、寻找请求方的突破口，并给出更具针对性的进一步检索策略。

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## 一、 目标专利权利要求理解与技术本质分析

根据目标专利说明书的记载，本发明的核心在于解决柔性显示底衬基底在经历高温过程（大于等于430℃）时的**形态变形、退化**，以及防止发生**面板单元余像和故障**（通过提高表面电阻/高电阻特性实现）。

其技术手段是采用一种**多层复合夹心结构**：

1. **第一聚酰亚胺树脂层（下层）**：具有极高的耐热性（$Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$）和一定的颜色（$YI$为25至60），高堆积密度，用以在制造首先层合时承受多次热历程，确保整体的机械特性和尺寸稳定性。

2. **第二聚酰亚胺树脂层（上层）**：更靠近薄膜晶体管（TFT），容易受到电影响，因此通过使其黄度指数小于25（通常引入氟或宽链间距），实现高电阻特性，改善余像。

3. **第一、第二无机材料层**：第一无机层夹在双PI层中间（100–700nm），第二无机层在最上层（100–500nm），用于阻挡空气和水分，使TFT受到的电影响最小化。

4. **$Td\ 1\%$ 定义**：热重分析（TGA，热解重量分析，一种测量材料质量随温度变化的技术）中基于100℃下的质量计算重量减少率为1%时的温度，且规定了严格的等温、升温速率等前置条件。

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## 二、 技术特征比对表格

以下将 **D1 (WO2018216890A1)** 和 **D2 (WO2020004236A1)** 与目标权利要求进行特征逐一比对。

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## 三、 创造性分析：最接近对比文件的确立

在创造性分析过程中，**D1 (WO2018216890A1)** 明显最适合作为**最接近的对比文件**。

### 1. 技术领域和所解决的技术问题极其相似

* **本发明**：解决柔性显示底衬塑料基板的高温耐热性、形态稳定性（防止翘曲和膜变性），以及通过控制上层电特性防止TFT产生余像和故障的问题。

* **D1**：同样公开了一种专门用于柔性显示装置（如有机EL/OLED显示器、TFT形成）的异种聚酰亚胺叠层膜。其利用第一高耐热PI薄膜（BPDA-PDA均聚物）充当高强度和耐热载体，并在其上利用溶液浇铸形成的第二聚酰亚胺膜来实现高透明、低内应力和极低的面内位相差，从根本上解决后续高热加工工序中基底的弯曲、翘曲以及偏光视角问题。两者面对的是同一工业应用场景下的同一叠层PI改性技术课题。

### 2. 披露的技术特征最多

D1已经完整公开了“第一PI层（高耐热，满足 $Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$）+ 第二PI层（低黄度，满足 $YI < 25$）”的双层树脂空间架构和物理参数基础。

### 3. D2不适合作为最接近对比文件的原因

D2主要聚焦于开发可溶于二氯甲烷等低沸点溶媒的**单层**高透、高刚性聚酰亚胺树脂及薄膜改良，并不涉及柔性显示基底所需的“异型PI双层复合形态稳定性”架构。因此，D2只能作为证明无色、低YI（第二PI层）共聚改性组分的补充对比文件。

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## 四、 未被公开特征的归属与请求方最薄弱的特征

### 1. 未被公开的特征是否被其他对比文件公开？

经审查，**特征C、D、E、F、G、H（即：第一、第二无机材料层的层压夹心构造及其百纳米级厚度范围）** 在D1和D2中**均未被公开**。

* D1是纯树脂的双层叠合复合体（Roll体），其保护思路是靠第一PI层的强机械性能来约束第二PI层，不引入无机物阻隔层。

* D2完全是单层合成树脂配方，无任何无机膜沉积。

### 2. 请求方最薄弱的技术特征（即本案专利的“坚固防线”）

对于无效宣告请求方而言，**特征D和特征G（无机材料层在特定PI层间的夹心/表面定位）结合特征E和H（特定纳米厚度选择：100-700nm和100-500nm）** 是最难攻破的、最薄弱的环节。

**原因分析**：

本发明的实质贡献在于，其跳出了单纯依靠“纯塑料PI改性”的常规思路。通过将阻水阻气的无机层（如 $\text{SiO}_2$ 或 $\text{SiN}_x$）以极其精确的百纳米级厚度嵌入至两层性质截然不同的PI薄膜正中间，巧妙地达成了以下技术效果：

1. 阻断了空气与水分的内部渗透，保证了紧邻TFT器件的显示稳定性。

2. 在两层热膨胀不完全一致的聚合物之间起到了应力缓冲、防止高温下两层PI热应力不均导致膜分离或剥离的协同作用。

现有技术D1中由于没有该无机材料层，其在实验中（参照例1）表现出“气体阻挡特性和透湿性低，不阻挡空气和水分”的严重弊端。请求方如果无法证明“在异种PI层间嵌入特定厚度的CVD无机层以平衡电学与机械应力”是本领域的惯用技术手段或存在明确的启示，创造性极难被否定。

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## 五、 进一步的突围检索策略

鉴于目前的无机层结合结构属于主要的区别特征，当前的检索证据链存在断裂，建议请求方立刻调整方向，采取以下增补检索策略：

1. **聚焦多层柔性底衬的机构专利检索（无机层交叉）**

* **检索方向**：不再局限于纯聚酰亚胺（PI）合成配方的A类（化学）分类号。应大幅向 **H01L27/**、**H10K59/**（OLED/TFT显示面板基底制造）、**G02F1/**（液晶及柔性显示基底）跨界。

* **核心关键词组**：`("polyimide" OR "PI") AND ("inorganic" OR "SiOx" OR "SiNx" OR "buffer") AND ("multi-layer" OR "laminate" OR "sandwich") AND ("outgassing" OR "moisture barrier" OR "residual stress")`。

* **寻找目标**：寻找任何在两层树脂基板中间沉积CVD $\text{SiO}_2$、$\text{SiN}_x$ 阻挡层，用以解决柔性屏制作时水氧透过以及应力匹配的现有技术，将其作为**D3**。

2. **锁定无机膜厚度选择的公知常识/惯用手段证据**

* 目标专利限定的厚度范围极广（100–700nm，100–500nm）。在半导体和柔性屏CVD（化学气相沉积）制程中，作为Buffer层（缓冲层）或Barrier层（阻挡层）的无机绝缘层，其常规膜厚通常就在 100nm 到 500nm 之间。

* **检索方向**：检索早于2020年的半导体工艺教科书、柔性显示屏制造工艺手册。证明为了达到阻水氧效果且不至于因过厚引起脆性开裂（目标专利说明书第[0048]段亦承认“超过700nm易受外部变化和应力影响”），将无机阻挡层厚度设计为 100-500nm 是本领域的**惯用技术选择**。

3. **针对第一PI层参数（$Td\ 1\% \ge 570^\circ\text{C}$，YI：25-60）的补强**

* 目标专利第一PI层使用的是最经典的 `BPDA-PDA` 体系（由3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐与对苯二胺缩聚而成）。

* 建议直接检索宇部兴产（Ube）、杜邦（DuPont）或日本钟渊化学（Kaneka）在2015–2019年间关于柔性显示黄色PI基板（底衬用）的商品说明书或早期专利。直接确证 `BPDA-PDA` 固化膜在标准TGA测试下的 $Td\ 1\%$ 天然大于570℃且YI在30左右，将特征A和特征J-N彻底定性为**公知产品及标准测试参数**，从而将创造性火力完全集中于多层复合架构上。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底，;在将温度升高2小时至430℃，;经历2小时430℃下等温过程，;然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小。

根据权利要求3所述的用于显示装置的基底，其中：在将温度升高2小时至430℃，;经历2小时430℃下等温过程，;然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小。

根据权利要求3所述的用于显示装置的基底，其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数，;在将温度升高2小时至430℃，;经历2小时430℃下等温过程，;然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130％或更小。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第一聚酰亚胺树脂层的厚度为1μm至10μm，;以及所述第二聚酰亚胺树脂层的厚度为0.5μm至6μm。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第一聚酰亚胺树脂层的厚度为1μm至6μm，;以及所述第二聚酰亚胺树脂层的厚度为6μm至15μm。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第二聚酰亚胺树脂层的Td 1％为500℃或更高且560℃或更低。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自具有：470nm波长下50％或更大的透射率，;和1.0％或更小的雾度。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第二聚酰亚胺树脂层包含含有衍生自经基于氟的官能团取代的二胺的重复单元的聚酰亚胺树脂。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第二聚酰亚胺树脂层包含含有由以下化学式1表示的重复单元的聚酰亚胺树脂：[化学式1]其中，在化学式1中，X1为芳族四价官能团，以及Y1为其中取代有至少一个基于氟的官能团的芳族二价官能团。

根据权利要求11所述的用于显示装置的基底，其中：所述第二聚酰亚胺树脂层包含还含有由以下化学式1‑1表示的重复单元的聚酰亚胺树脂：[化学式1‑1]其中，在化学式1‑1中，X2为芳族四价官能团，以及Y2为与化学式1的Y1不同的芳族二价官能团。

根据权利要求11所述的用于显示装置的基底，其中：其中取代有至少一个基于氟的官能团的芳族二价官能团Y1包括由以下化学式3‑1表示的官能团：[化学式3‑1]其中，在化学式3‑1中，p为0或更大且5或更小的整数。

根据权利要求1所述的用于显示装置的基底，其中：所述第一聚酰亚胺树脂层包含含有衍生自未经基于氟的官能团取代的二胺的重复单元的聚酰亚胺树脂。

根据权利要求1至14中任一项所述的用于显示装置的基底，其中：所述显示装置为柔性显示装置。

一种显示装置，包括根据权利要求1所述的用于显示装置的基底。

根据权利要求16所述的显示装置，其中：所述显示装置为柔性显示装置。