一种在对物体进行湿处理的设备中使用的流体扩散板，所述流体扩散板包括；内部空间；其由上表面、下表面和侧表面限定；以及流体供应单元；其用于将处理流体供应至所述内部空间；其中贯穿所述上表面 and 所述下表面形成有多个通孔；使得所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离；并且其中在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔。

作为一名经验丰富的专利代理师，我对您提交的权利要求1、目标专利说明书（公开号：CN102246277B）以及提供的对比文件进行严格的法律与技术比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

依据专利法及实施细则的相关规定，权利要求的解释应当以说明书及附图为依据。针对权利要求1中的关键技术特征，结合目标专利（CN102246277B）说明书解释如下：

1. **“流体扩散板”（特征A）**：

* **说明书出处**：说明书第[0010]、[0065]、[0066]段及图11、12。

* **解释**：指在晶圆等物体的湿法处理（如蚀刻或清洁）设备中，安装于处理槽内部（通常位于物体支撑装置与处理流体供应装置之间）、呈平板形状的部件，用于均匀扩散并供应处理流体与气体。

2. **“内部空间，其由上表面、下表面和侧表面限定”（特征B、C）**：

* **说明书出处**：说明书第[0065]段及图12（B-B'、C-C'剖面）。

* **解释**：扩散板300内部形成有空腔（内部空间），该空腔由扩散板的上表面、下表面和侧壁共同包围封闭而成，用于接收并暂存从外部（如气体供应管道320）引入的流体/气体。

3. **“流体供应单元；其用于将处理流体供应至所述内部空间”（特征D、E）**：

* **说明书出处**：说明书第[0064]、[0067]段及图11。

* **解释**：对应于连接至扩散板300侧表面（或其它位置）的气体供应管道320及流速控制阀321。其作用是将处理流体（如气态氮气、氩气或反应气体）从外部引入并注入扩散板的“内部空间”中。

4. **“贯穿所述上表面 and 所述下表面形成有多个通孔；使得所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离”（特征F、特征G前半段）**：

* **说明书出处**：说明书第[0066]段及图12（B-B'剖面）。

* **解释**：通孔311直接上下贯穿扩散板300的上表面和下表面，用于让从处理槽下部供应的液体（如蚀刻液/清洗液）穿过。每个通孔311四周均具有独立的内壁（即“隔板”barrier），使通过通孔的液体流动路径与扩散板内部的空腔（内部空间）完全物理隔离，互不混合。

5. **“在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔”（特征G后半段）**：

* **说明书出处**：说明书第[0066]段及图12（C-C'剖面）。

* **解释**：流体排放孔（气体排放孔312）仅开在扩散板的上表面上，向上穿透至内部空间，但不贯穿至下表面。内部空间中的气体经由此类排放孔向上喷出，从而实现了“液体经通孔向上扩散”与“气体经内部空间及排放孔向上喷出”两条路径彼此独立、互不干涉（消除了盲区且不干涉流动）。

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### 二、 对比文件技术特征比对分析

#### （一） 对比文件检索与比对清单

本案涉及两份对比文件：

1. **对比文件1（D1）**：韩国发明专利公开文本，公开号为 **KR1020050081165A**，题目为《서버 섀시 내에서 블레이드 서비스 프로세서의 실패한 플래시를 복구하기 위한 방법 및 시스템》（服务器机箱内恢复刀片服务处理器失败Flash的方法及系统）。

2. **对比文件2（D2，即目标专利说明书中引用的现有技术韩国专利公开案）**：公开号为 **KR1020030056702A**（对应目标专利说明书第[0003]、[0066]段提及的“한국 미결특허 공개번호 2003-0056702”）。

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#### （二） 详细特征比对表

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### 三、 详细对比分析与对比文件公开情况说明

#### 1. 对比文件 D1（KR1020050081165A）原文出处与分析

* **原文出处**：

* [14]：“본 발명은 컴퓨터 분야에 관련된 것으로서... 서버 섀시(server chassis) 내에 하우징된 다수의 블레이드 서버들에 관련된 것이다.”（本发明涉及计算机领域...涉及内置于服务器机箱内的多个刀片服务器。）

* [19]：“본 발명은... 서버 블레이드의 서비스 프로세서 상의 플래시 업데이트 동작 동안에 문제가 발생한 서버 블레이드를 복구하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.”（本发明涉及在刀片服务处理器Flash更新期间对故障刀片进行恢复的方法和系统。）

* **分析判定**：

D1属于**计算机服务器硬件与固件恢复技术领域**。其公开的内容完全是关于刀片服务器、管理模块（Management Module）、I2C总线、Flash ROM固件刷写失败恢复等技术。D1**完全没有公开**权利要求1中的任何技术特征（特征A-G）。在任何湿法处理设备的创造性评述中，D1均属于**不相关的非技术领域对比文件**。

#### 2. 对比文件 D2（KR1020030056702A）原文出处与分析

* **原文出处（目标专利说明书第[0003]段引述背景技术）**：

* “韩国未决专利公开号 2003-0056702 公开了一种包括气体供应管道和多个扩散板的蚀刻装置，所述扩散板具有多个孔并且以扩散板之间具有间隙的方式布置在上、下位置，使得从处理槽的内部底面供应的蚀刻溶液扩散至处理槽中的全部区域。”

* **分析判定**：

* **已公开特征**：D2公开了在湿法处理设备中设置具有多个通孔的扩散板（特征A、特征F）。

* **区别技术特征**：D2**未公开**特征B、C、D、E、G。D2解决气体与液体同时扩散的做法是“采用多层扩散板上下叠放、板间留有间隙”，这导致设备体积庞大，且液体流动会被气流干扰干扰（见目标专利背景技术第[0006]段分析）。D2完全不具备“单板内置空腔（内部空间）+贯穿通孔（隔板隔离）+上表面排放孔连通内部空间”的双流体独立通道一体化结构。

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### 四、 最接近对比文件的选择与整体技术效果分析

在创造性分析（三步法）中，选择最接近现有技术（最接近的对比文件）的标准通常是：**技术领域相同或相近、解决的技术问题最相似、公开的技术特征最多**。

#### 1. 最接近对比文件的确定

* **D1（KR1020050081165A）**：技术领域为服务器计算机固件恢复，与半导体湿处理设备完全无关，**绝对不能**作为最接近的对比文件。

* **D2（KR1020030056702A）**：技术领域同为半导体晶圆湿法蚀刻/清洗设备，且同样旨在解决“如何向处理槽内均匀扩散供应处理液和气体”的技术问题。因此，**D2（KR1020030056702A）是本案唯一适合作为最接近的对比文件**。

#### 2. 整体解决的技术问题与技术效果分析

* **目标专利整体解决的技术问题**：

传统技术（如D2）采用多层扩散板或单独外置喷管，导致湿处理设备体积庞大复杂，且气体与液体流场相互干扰产生盲区（D），导致杂质/副产物再次污染晶圆（目标专利说明书第[0004]-[0006]段）。本发明旨在提供一种能够**消除盲区、使液体与气体独立平稳流动、且结构紧凑**的流体扩散板（说明书第[0008]段）。

* **目标专利达到的技术效果**：

通过在单一扩散板内集成“内部空间”和“隔离隔板通孔”，实现了**处理液（走通孔）与处理气体（走内部空间及排放孔）在同一块扩散板上同时扩散，但二者物理隔离、互不干涉**。既消除了盲区、保证了处理均匀性，又极大缩减了设备体积（说明书第[0018]段）。

* **对比文件D2的技术缺陷**：

D2仅通过上下多层板叠放扩散液体，气体通过另外的管道引入，气体与液体在槽内无序混合、互相干扰流场，且增加了设备体积。

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### 五、 最薄弱技术特征与专利无效策略

在现有的对比文件检索范围（D1、D2）内，**权利要求1具有极强的专利有效性（创造性极高）**。若要对权利要求1提出无效宣告请求，目前的证据链是**完全不足**的（D1无效，D2存在重大区别特征）。

#### 1. 权利要求1中最薄弱的技术特征分析

从结构设计与通用机械/半导体部件原理来看，权利要求1中相对容易被公知常识或相近领域击中的**最薄弱技术特征**为：

* **特征D+E（流体供应单元连接内部空间）**：向封闭平板空腔侧边引入流体属于较为常规的流体接头设计。

* **特征B+C（具有内部空间的平板/喷气板）**：在半导体气相沉积（CVD）或等离子体刻蚀领域，类似于“喷淋头（Showerhead）”的具备内部中空腔体和表面喷孔的结构非常常见。

#### 2. 专利无效请求最难攻破的“核心壁垒特征”

* **特征F + 特征G（“贯穿上下表面的隔板通孔”与“内部空间连通的表面排放孔”并存）**：

即“双通道一体化扩散板”结构。该特征将“贯穿流道（通孔+隔板）”与“内部腔体流道（排放孔）”交叉交错集成在同一块板上，实现两种流体隔离输出。这是本专利防守的最核心壁垒。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略（无效检索建议）

由于目前提供的D1完全偏离领域，D2未能公开核心结构特征，若要成功无效权利要求1，建议按照以下策略展开进一步检索：

1. **扩展检索领域（分类号检索）**：

* **主分类号**：重点检索 `H01L21/67`（半导体组件制造设备）、`H01L21/306`（湿法处理/化学蚀刻）、`B08B3/00`（清洗设备）、`B05B1/00`（喷嘴/扩散板结构）。

* **跨领域检索**：可适度扩展至 `B01D`（流体混合/扩散器）、`F24F`（气体扩散板/风口）、`C23C`（气相沉积喷淋头Showerhead结构）。

2. **关键词组合组合检索**：

* **核心概念组1（部件）**：`流体扩散板` OR `扩散板` OR `分布板` OR `整流板` OR `Showerhead` OR `Fluid distribution plate` OR `Diffuser`；

* **核心概念组2（结构）**：`(内部空间 OR 空腔 OR 腔体 OR cavity OR chamber)` AND `(通孔 OR 贯穿孔 OR 点穿孔 OR through hole)` AND `(隔板 OR 隔套 OR 套管 OR 隔离 OR barrier OR sleeve OR isolated)` AND `(排放孔 OR 喷孔 OR 连通孔 OR discharge hole OR nozzle)`；

* **核心概念组3（应用/介质）**：`(气体 AND 液体)` OR `(双流体 OR 多流体 OR dual fluid)` OR `(湿法 OR 蚀刻 OR 清洗 OR wet processing)`.

3. **专利族与引证文献追踪**：

* 以目标专利授权案 **CN102246277B** 以及同族专利（如韩国同族 **KR101157140B1**、同族PCT案等）为审查线索，调取审查历史（Office Actions），查看各国审查员在审查过程中引用的对比文件（X/Y类文献）。

* 重点追踪韩国申请案背景技术中提到的其他韩国专利（如 `KR2005-0002532`、`KR2005-0059895`、`KR2003-0054732` 等）的完整文本及附图。

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### 七、 总结结论

1. **D1（KR1020050081165A）** 属于计算机服务器固件恢复技术，属于**完全无关的对比文件**，未公开权利要求1的任何特征。

2. **D2（KR1020030056702A）** 属于同类技术领域，仅公开了“湿法设备中使用带通孔的扩散板”（特征A、F），是**唯一适合作为最接近的对比文件**。

3. **区别技术特征**：D2未公开特征B、C、D、E、G（即由上/下/侧面限定的内部空间、供气单元、隔板隔离的通孔、以及与内部空间连通的表面排放孔）。

4. **创造性结论**：基于现有对比文件（D1+D2），权利要求1具备显著的突出的实质性特点和显著的进步，**创造性极强，无法被无效**。若要提出无效请求，必须按照上述检索策略补充检索包含“一体化双流体/隔板贯穿式扩散板”结构的对比文件。

<ElicitationsGroup message="如需进一步推进该专利的无效攻防或检索工作，您可以选择以下方向：">

<Elicitation label="制定针对该核心特征的具体IPC分类号与逻辑检索式" query="请结合目标专利CN102246277B的核心特征，帮我编写用于德温特/专利数据库检索的具体IPC分类号组合与逻辑检索式。"/>

<Elicitation label="撰写针对权利要求1的专利无效宣告请求书框架" query="请基于当前分析结果，按照专利复审对照格式，帮我撰写一份针对CN102246277B权利要求1的无效宣告请求书基本框架。"/>

</ElicitationsGroup>

尊敬的客户/专利代理师同行：

针对目标专利 **CN102246277B** 的权利要求1（下称“本专利权1”），基于您提供的三份对比文件原文（D1: KR200132642Y1、D2: KR1020030054732A、D3: KR1020030056702A），结合目标专利说明书的解释，现为您作深入的专利无效/创造性对比法律分析。

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## 一、 目标专利说明书对权利要求1的技术特征解释

根据目标专利说明书，本专利权1的核心在于**结构紧凑且能防止处理液与处理气体（或两种流体）相互干扰、消除盲区**的流体扩散板：

1. **技术特征A~C（内部空间及限定）**：说明书[0065]及图11-12解释，扩散板300具有由上表面、下表面和侧表面限定的内部空间，该内部空间用于容纳外部供应的气体或流体。

2. **技术特征D~E（流体供应单元）**：说明书[0064]及图8、图11（气源320、阀321）解释，流体供应单元用于将处理流体（如气体、氮气/氩气）引入该内部空间。

3. **技术特征F（贯穿上下表面的多个通孔）**：说明书[0066]及图11-12解释，贯穿上下表面的通孔311供处理液（如蚀刻液）从扩散板下方穿过扩散板向上流动。

4. **技术特征G（隔板隔离与未形成通孔处的流体排放孔）**：

* 说明书[0066]及图12解释，**通孔311通过隔板（barrier，即通孔的内壁）与内部空间相隔离**，使得通孔内流过的处理液与内部空间中的处理气体互不混合、互不干涉；

* 上表面未形成通孔的区域开有与内部空间连通的**流体排放孔（气体排放孔312）**，气体由此向上方排放。这使得处理液与处理气体能通过**同一个扩散板**同时、无干涉地扩散排放（说明书[0018]）。

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## 二、 对比文件技术特征比对表格及详细原文出处分析

我们将对比文件分别统称为：

* **D1**：KR200132642Y1（实用新型，公开号：KR200132642Y1，起泡器）

* **D2**：KR1020030054732A（发明公开，公开号：KR1020030054732A，晶圆蚀刻装置）

* **D3**：KR1020030056702A（发明公开，公开号：KR1020030056702A，硅晶圆蚀刻装置）

### 特征比对汇总表

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### 各对比文件原文详细分析与出处

#### 1. D1 (KR200132642Y1) 分析

* **特征A、B、C**：【实质公开】

* **原文出处**：第[2]页段落：“제2도는 본 고안의 일 실시예에 따른 버블러의 평면도... 10은 테프론 기판, 20, 20'은 미세홀, 30은 질소 가스 주입구, 40은 대구경홀...”

* **分析**：D1公开了一种起泡器（버블러），其基板10为平板结构，其内部包含气体流通腔室（内部空间），由上表面、下表面和侧边限定。

* **特征D、E**：【毫无异议公开】

* **原文出处**：第[2]页段落：“가스 공급 수단을 구비한다”、“30은 질소 가스 주입구”。

* **分析**：明确公开了氮气注入口30作为气体供应手段，向内部空间供应气体。

* **特征F、G**：【实质公开】

* **原文出处**：第[2]页段落：“상기 기판을 관통하여 공급되는 세정수의 관통 저항을 줄이기 위해 상기 기판에 홀 형상으로 제공된 적어도 하나의 세정수 유통 수단... 대구경의 홀(40)을 다수개 배치시켜 버블러 밑에서부터 공급되는 세정수의 흐름을 원활하게 한다.”以及“직사각형 평판 모양의 테프론 기판(10)에 다수개의 미세한 홀(20)이 규칙적으로 배치되어 있고...”。

* **分析**：大口径孔40（세정수 유통 수단）贯穿上表面和下表面供清洗水通过。大口径孔40的孔壁自然形成了将孔内清洗水与基板10内部气体腔室隔离的“隔板”。在上表面未形成大口径孔40的区域，分布有微孔20（流体排放孔），微孔20连通内部腔室并向外排放气体。由此，D1**实质公开**了特征F和特征G的所有结构要件。

#### 2. D2 (KR1020030054732A) 分析

* **特征B、D、E**：【毫无异议公开】

* **原文出处**：第[31]段“수조(14)의 저면에 설치된 파이프(30)와, 파이프(30)의 일면에 연결되어 외부의 기체(GAS)를 주입하는 기체호스(50)”。

* **分析**：公开了管道30及其内部空间，以及连接至管道的气体软管50（流体供应单元）。

* **特征A、C、F、G**：【未公开】

* D2采用的是圆管/圆锥棒结构（파이프 30、원뿔봉 40），并非由上表面、下表面和侧表面限定的“流体扩散板”，亦无贯穿板体上下表面的清洗液通孔及隔板构造。

#### 3. D3 (KR1020030056702A) 分析

* **特征D**：【毫无异议公开】

* **原文出处**：第[64]段“외부의 기체 공급장치(148)에서 공급되는 기체에 의해...”。

* **分析**：公开了外部气体供应装置148。

* **特征A、B、C、E、F、G**：【未公开】

* D3采用的是多层多孔板（제1, 제2 다공판 135, 137）与独立的起泡管（기포 발생관 140a, 140b）叠加的组合结构。多孔板本身是实心板上开通孔，**没有内部空间**，也无法在单一板上同时实现清洗液通孔与内部气体排放孔的隔离集成。这正是本专利背景技术[0003]、[0006]中批评的“安装多个扩散板导致装置体积增大、干涉流体流动”的传统技术。

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## 三、 最接近的对比文件（Closest Prior Art）选择与技术效果分析

在创造性分析中，**D1 (KR200132642Y1)** 是**最接近的对比文件**（且为唯一最合适的对比文件）。

### 1. 整体解决的技术问题与技术效果比对

* **目标专利**：

* **解决的问题**：解决传统装置中清洗/蚀刻液与气体流动相互干涉、产生盲区（Dead Zone）以及需要安装多层扩散板导致设备庞大的问题（说明书[0004]-[0008]）。

* **技术效果**：通过单块扩散板实现处理液（通孔）与处理气体（排放孔）的同时扩散且互不干涉，结构紧凑，消除盲区（说明书[0018]）。

* **D1 (KR200132642Y1)**：

* **解决的问题**：解决传统起泡器仅有微孔导致底部清洗水通过阻力大、流动受阻、清洗效率低的问题（D1第[2]页）。

* **技术效果**：在起泡器板上开设穿透的大口径孔（通孔40），使清洗水顺利穿过，同时微孔（20/20'）继续排放气体，使水流与气泡同时顺畅供给，提高清洗效率（D1第[2]页）。

* **D2 / D3**：

* D2解决的是管路沿程气体喷出压力不均的问题；D3解决的是多孔板扩散蚀刻液与独立气管起泡的配合问题。两者均未设想在“单块板体内部构造腔室”来同时分流液/气。

### 2. 结论

D1与目标专利属于相同的技术领域（半导体湿法处理/清洗起泡装置），构思完全一致（在同一个具备内部气腔的板上同时开设穿透液孔和气孔），**技术问题与技术效果高度重合**。因此，**D1是唯一最适合作为最接近对比文件（第一论点）的文献**。

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## 四、 创造性与“最薄弱技术特征”分析

### 1. 未被最接近对比文件（D1）公开的特征及其他对比文件的公开情况

经深度比对，**D1实际上已经实质公开了权利要求1的所有技术特征**（特征A~G）。

若审查员/专利局在字面理解上产生争议，可能认为D1以下细节存在微小差异：

* *争议点*：D1的大口径孔40内壁上还开有微孔20'（D1第3图），而目标专利图12中的通孔311内壁（隔板）是完全封闭无孔的。

* *其他对比文件情况*：D2和D3均未公开“在带有内部空间的多孔板上设置封闭隔板通孔”的结构，无法补充该差异。

### 2. 无效宣告请求中最薄弱的技术特征（无效突破口）

若针对权利要求1发起无效宣告请求，**权利要求1极其薄弱，极易被击靶无效**：

1. **最薄弱特征**：**特征G（隔板隔离与气体排放孔的布局）**。

* **理由**：D1（KR200132642Y1）已经完整构架了“内部空间 + 贯穿通孔（由壁面与内部空间隔离）+ 上表面未开通孔处的排放孔”这一组合。目标专利的权利要求1仅仅是对D1“起泡器（버블러）”结构的上位概括或等同描述（将大口径孔称为“通孔”，将微孔称为“流体排放孔”）。

* **法律论点**：

* **新颖性（A22.2）**：D1直接破坏权利要求1的新颖性；

* **创造性（A22.3）**：退一步讲，即使认为D1的大孔侧壁微孔20'属于微小差异，本领域技术人员基于简单防干涉的需求，去除侧壁微孔仅保留上表面排放孔属于**常规设计选择**，不具备任何创造性。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略（针对从属权利要求及防守策略）

由于权利要求1已被D1高度覆盖，专利权人后续势必会退守至**从属权利要求**（例如：筒体200的旋转/振动结构、通孔311截面自下而上逐步变窄的形状、晶圆支撑杆120上的第一/第二喷射孔及凹槽等）。

针对无效请求人，建议采取以下**进一步检索策略**：

### 1. 检索要素表达与分类号（IPC/CPC）重组

* **核心分类号**：

* `H01L21/67`（半导体器件制造中用于处理晶圆的设备）

* `H01L21/306`（湿法蚀刻）/ `H01L21/304`（清洁/清洗）

* `B08B3/00`（采用液体的清洗设备）

* `B01F23/23`（气体在液体中的分散/起泡器）

* **关键词组合（多语言）**：

* **中/英/韩/日**：

* (扩散板 OR 穿孔板 OR 喷流板 OR 起泡器 OR Bubble/Bubbler OR Diffuser plate)

* AND (内部空间 OR 腔室 OR Hollow OR Cavity OR 内腔)

* AND (通孔 OR 贯穿孔 OR Through-hole) AND (隔板 OR 隔绝 OR Barrier OR Sleeve)

* AND (晶圆 OR 湿法 OR 蚀刻 OR 清洗 OR Wafer OR Wet processing)

### 2. 针对从属特征的精准突破检索

* **方向一：针对“扩散板通孔截面渐变”结构（如说明书[0067]）**

* 重点检索带有“梯形/锥形/阶梯形通孔”的流体整流板或扩散板专利（重点关注日本日立/东京电子/SAMCO在2000-2010年间的湿法设备专利）。

* **方向二：针对“可旋转/振动的筒体（Barrel）及晶圆支撑杆喷液孔”（如说明书[0011]、[0038]-[0044]）**

* 重点检索带有“自旋转晶圆支撑杆（Spin bar / Roller）且杆内开有喷射介质孔”的专利（重点关注韩国SEMES、DNS/Screen Holdings、Kokusai Electric的专利库）。

### 3. 检索国别与文献库建议

* **首选国家/地区**：**韩国（KIPO）与日本（JPO）**。

* *原因*：本目标专利来自韩国优先权，D1、D2、D3均来自韩国，表明该时期（2000-2010年）韩国半导体湿法设备厂商（如SEMES、KC Tech）在此领域有极密集的实用新型和发明布局，KIPRIS数据库是主战场。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利授权公告文本（CN102246277B）权利要求1，结合其说明书教导以及三份对比文件（D1: JP2007311756A, D2: CN101131547A, D3: US20080047580A1）的原文内容，进行以下深入的技术特征比对、创造性及无效可行性分析。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书释义

结合目标专利（CN102246277B）说明书段落[0010]、[0018]、[0064]–[0066]及图11、图12，权利要求1的技术方案可精准分解为以下7个技术特征：

* **特征A**：一种在对物体进行湿处理的设备中使用的流体扩散板，所述流体扩散板包括；

* *释义*：一种集成式双流体（如处理液与气体）扩散与喷射板，安装于湿处理槽底部。

* **特征B**：内部空间；

* *释义*：扩散板内部形成的空腔，用于容纳并通过气体/流体。

* **特征C**：其由上表面、下表面和侧表面限定；

* *释义*：扩散板具有三维板体结构，其空腔被上下及四周侧壁包围封锁。

* **特征D**：流体供应单元；

* *释义*：对应说明书中的气体供应管道320及流速控制阀321。

* **特征E**：其用于将处理流体供应至所述内部空间；

* *释义*：将辅助处理流体（如氮气、氩气等气体）引入扩散板内部空腔。

* **特征F**：其中贯穿所述上表面 and 所述下表面形成有多个通孔；

* *释义*：对应通孔311，垂直穿透整个扩散板的上下两端，用于主处理液（如蚀刻液/清洗液）从槽底向上穿流。

* **特征G**：使得所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离；并且在中在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔。

* *释义*：对应隔板/内壁与气体排放孔312。通孔311与内部空间互不相通（处理液从通孔走，不进入内部空间），而上表面的排放孔312则与内部空间连通（内部气体仅从上表面排放孔喷出），从而实现液、气同板扩散且流路互不干扰的技术效果。

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### 二、 对比文件原文技术特征比对与公开性分析

#### 1. 对比文件D1：JP2007311756A（公开号：JP2007311756A）

* **公开内容分析**：

* **特征A/D/E**：D1公开了一种超声波清洗装置及方法。图1(a)-(c)及段落[2]公开了内槽2底部的底面板6具备气体导入手段，包含气体流路8和开口于底面板上部的气孔7，将气体导入清洗液中形成气泡。图2(a)-(b)公开了独立的散气板16，通过气体供给管18向其内部供给气体并由表面气孔排出。公开了**特征A、D、E**。

* **特征B/C**：图1(b)中底面板6内部设有气体流路8；图2(a)中散气板16具有由上下及侧面限定的内部气体空间。实质公开了**特征B、C**。

* **特征F/G（未公开）**：D1中的底面板6或散气板16仅作为气体喷射部件（用于气泡发生）。槽底部的清洗液是通过整个槽体容纳或从侧面/其他管道供给，**底面板6和散气板16上均未形成贯穿上表面和下表面的通孔（特征F）**，更**不存在“通孔通过隔板与内部空间隔离”且与“上表面流体排放孔协同实现双流体分离传输”的结构（特征G）**。

#### 2. 对比文件D2：CN101131547A（公开号：CN101131547A）及 D3：US20080047580A1（公开号：US20080047580A1）

*(注：D2与D3为同一专利族成员，技术内容一致，下文以D2/D3合称分析)*

* **公开内容分析**：

* **特征A**：D2/D3说明书[0009]、图2公开了在基材处理设备中使用的等离子体/气体扩散板240。

* **特征F**：D2说明书[0054]、图2、图4、图5公开了扩散板240上形成有贯穿其上下表面的多个扩散孔242（狭缝状或孔状），源气体通过扩散孔242喷射到晶片上。公开了**特征F**。

* **特征B/C/D/E/G（未公开）**：D2/D3中的扩散板240仅为一单层穿孔板，用于将壳体220内部划分成上缓冲区223和下缓冲区224（说明书[0044]、[0053]）。扩散板240**本身并不具备由上表面、下表面和侧表面限定的密封内部空间（特征B、C）**，亦**没有向该板体内部空间供液的流体供应单元（特征D、E）**，更**不存在通过隔板隔离的通孔与连通内部空间的排放孔组合的双流道隔离结构（特征G）**。

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### 三、 技术特征比对表格

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### 四、 最接近对比文件的选择与分析

#### 1. 目标专利整体解决的技术问题与技术效果

* **技术问题**：在半导体晶圆湿法处理（蚀刻/清洗）中，传统设备多扩散板或多管路结构导致设备体积庞大，且处理液与气体流动互相干涉产生死角/盲区，造成污染副产物重新附着（目标专利说明书[0004]-[0008]）。

* **技术效果**：通过在**单一扩散板**内集成“隔离通孔（走处理液）”与“内部空间连通孔（走气体）”，实现了处理液与处理气体在同一个扩散板上同时扩散供应且**互不干涉**，结构紧凑且彻底清除了槽内盲区（目标专利说明书[0018]、[0066]）。

#### 2. 最接近对比文件分析

* **D1 (JP2007311756A)** 最适合作为**第一最接近的对比文件**：

* **领域与问题**：同属于晶圆/基板的湿法处理与超声波清洗领域，致力于解决处理均匀性及液体/气体混合供给对基材的物理损伤问题。

* **技术构思**：D1已经提出了利用槽底散气板（具内部空间和表面气孔）向液体中引入气体/气泡的技术方案，其结构与目标专利的流体扩散板在“具备内部流路/空间并向槽内释放气体”这一点上最为接近。

* **D2/D3 (CN101131547A / US20080047580A1)** 仅能作为二次对比文件：

* D2/D3主要涉及干式等离子体与湿式化学品结合的设备，其扩散板240属于气体冲刷的单层穿孔板，缺少“内部空间及双流道隔离”的核心机械结构特征，技术距离较远。

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### 五、 最薄弱技术特征与无效请求分析

#### 1. 专利最薄弱的技术特征（防线核心）

目标专利权利要求1的最核心防线与**最薄弱技术特征**为 **特征G（特别是“通孔通过隔板与内部空间隔离，使得穿过通孔的处理流体与从排放孔排出的内部流体在板体内互不干涉”）**。

* **原因**：特征A-E属于常见的腔体/散气板结构（如D1所公开），特征F属于常见的穿孔板结构（如D2/D3所公开）。将“穿孔通孔”与“内部空腔排放孔”整合在同一板体上，并利用“隔板”将两者隔开，是权利要求1区别于现有技术的最主要独创点。

#### 2. 现有的组合无效可行性评估

仅凭现有给出的对比文件（D1 + D2/D3）：

* **D1** 提供了“底板内部设空间喷气”的教导，但没有“贯穿通孔”；

* **D2/D3** 仅显示了“板上打孔”，但这是用于单流体（源气体）通过的扩散孔，并未给出“在带有内部空腔的散气板上打穿透通孔，并用隔板隔离内部空腔”的技术启示（Motivation）。

* **结论**：仅凭现有D1与D2/D3组合，**难以直接证明权利要求1不具备创造性**。针对特征G的显而易见性推导仍存在技术漏洞。

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### 六、 进一步对比文件检索策略（用于发起无效宣告）

为了彻底攻破权利要求1的防线（即证明特征G属于本领域的常规技术手段或已被公开），建议采取以下进一步检索策略：

1. **精准分类号（IPC/CPC）检索**：

* 重点锁定分类号：`H01L21/67`（半导体组件制造设备）、`B08B3/02`（液体喷射清洗）、`C23F1/08`（湿法蚀刻设备）、`B01F23/20`（气液混合与扩散装置）。

2. **核心关键词与逻辑组合**：

* `(扩散板 OR 喷流板 OR 气体分配板 OR Showerhead OR Diffuser)` AND `(双流道 OR 双通道 OR 隔离 OR 通孔 OR 隔板 OR Barrier OR Dual channel OR Isolated)` AND `(气体 AND 液体 OR 液气)`。

3. **重点目标领域与跨领域检索**：

* **半导体湿法清洗/蚀刻设备（单晶圆及批量槽式）**：重点检索 Tokyo Electron (TEL), Lam Research, Semes, DNS (Screen Holdings) 等巨头在 2000 年~2010 年间的专利。此类设备中常用“Dual-fluid spray nozzle”（双流体喷嘴）或集成式“Showerhead”（淋洗头），常具有气液分离流路设计。

* **化学工程中的气液反应器/塔板**：检索化学工程中集成了“气体分布器（Gas Sparger）”与“液体降液管/通孔”的组合式塔板或扩散板专利。这类文献中常有“通孔穿过气体腔室并用管壁（隔板）隔离”的结构，可作为公知常识或相近技术领域的组合对比文件。

作为一名资深专利代理师，基于本案的目标专利CN102246277B说明书（以下简称“本专利说明书”）及提供的对比文件（D1：KR1020080019109A，D2：JP2008053728A），对权利要求1进行深入的技术特征比对、创造性（最接近对比文件选择）分析及无效检索策略分析。

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## 一、 权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据本专利说明书（具体见段落[0010]、[0012]、[0065]~[0067]及图11、12），权利要求1的技术特征解释如下：

* **技术特征A**：`所述流体扩散板包括`

* **说明书解释**：指一种用于湿处理设备（如晶圆蚀刻/清洗槽）中的平板状流体扩散构件（如说明书图11中的300）。

* **技术特征B**：`内部空间`

* **说明书解释**：扩散板内部形成的空腔/腔体，用于暂存并均匀分配从外部引入的处理气体/流体（说明书[0065]）。

* **技术特征C**：`其由上表面、下表面和侧表面限定`

* **说明书解释**：扩散板为三维封闭/半封闭结构，由上顶板、下底板及四周侧壁共同包围形成上述内部空间（说明书[0065]）。

* **技术特征D+E**：`流体供应单元；其用于将处理流体供应至所述内部空间`

* **说明书解释**：如连接至扩散板侧面或底部的气体供应管道（如说明书[0064]的320及[0067]），将气源（如氮气、氩气）导入内部空间。

* **技术特征F**：`其中贯穿所述上表面 and 所述下表面形成有多个通孔`

* **说明书解释**：即图11、12中的通孔311，自下而上彻底穿透扩散板，用于让来自处理槽底部的**第一种流体（如蚀刻液/清洗液）**向上穿过扩散板（说明书[0066]）。

* **技术特征G**：`使得所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离；并且其中在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔。`

* **说明书解释**：通孔311具有独立的内壁/隔板（barrier），使其内部流体（如蚀刻液）与内部空间中的**第二种流体（如气体）**物理隔离；同时上表面开有流体排放孔（气体排放孔312），将内部空间的处理气体向上排放。由此实现**两种不同流体通过同一扩散板同时扩散且互不干涉**（说明书[0018]、[0066]）。

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## 二、 对比文件特征比对及出处分析

### 1. 对比文件基本信息

* **D1**：KR1020080019109A（公开号：KR1020080019109A，公开日：2008-03-03）

* **D2**：JP2008053728A（公开号：JP2008053728A，公开日：2008-03-06）

*(注：经对比分析，D1与D2为同族/同源技术方案，其结构描述高度一致，均针对半导体基板干法/湿法结合处理设备及等离子体供给单元中的气体扩散结构)*

### 2. 特征比对表格

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## 三、 最接近对比文件分析与创造性评估

### 1. 整体解决的技术问题与技术效果对比

* **目标专利（CN102246277B）**：

* *技术问题*：现有技术中在湿法处理槽底部同时供应处理液和气管/多层扩散板时，会导致设备体积庞大复杂，且气体与液体流动相互干涉，产生流动盲区和副产物二次污染。

* *技术效果*：通过在**单层扩散板**上设置“与内部空间隔离的贯穿通孔（走液体）”和“与内部空间连通的排放孔（走气体）”，实现了液体与气体**在同一板体上同时扩散且互不干涉**，消除了处理死角，同时使设备结构高度紧凑（说明书[0018]）。

* **对比文件D1 / D2**：

* *技术问题*：如何高效去除晶圆表面硬化的光刻胶，并避免干法等离子体处理时电极损伤。

* *技术效果*：提供了一种结合气相等离子体干法处理与药液湿法处理的系统，其扩散板240仅用于将上部缓冲腔的气体均匀分配喷向电极通道（单流体扩散）。

### 2. 最接近对比文件的选择

**结论**：**D1或D2均可作为最接近的对比文件（两者等同），但两者的技术领域和结构原理与目标专利存在较大差异。**

* **原因分析**：D1/D2属于“干湿法结合的半导体清洗/剥离设备”，其扩散板240属于干式处理部（等离子体发生器）内部的单气流匀气板；而目标专利的流体扩散板应用于湿法处理槽内部，用于“液-气”两相流体的协同无干涉扩散。

* **区别特征**：目标专利权利要求1相对于D1/D2的区别特征即为**技术特征G**（以及技术特征F中通孔作为隔离流道的功能限定）。

### 3. 被最接近对比文件公开/未公开特征的分析

* **被D1/D2公开的特征**：单层板状扩散构件（A）、腔体结构（B、C）、进气管路（D、E）以及板上的打孔结构（F的基本形式）。

* **未被D1/D2公开的特征（最薄弱/最具防御力的特征）**：

* **技术特征G（双流体隔离扩散通道结构）**：即“通孔通过隔板与内部空间隔离” + “未形成通孔处设有与内部空间连通的流体排放孔”。

* **技术逻辑**：D1/D2的扩散孔是直接将腔体内的气体导出的单向出口，并不存在“穿过扩散板但与腔体隔绝”的第二流体通道。

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## 四、 无效请求中最薄弱的技术特征与攻击点

若作为请求人对目标专利权利要求1发起无效宣告请求，**权利要求1目前最薄弱（即最容易被突破）的攻防焦点在于：技术特征G在特定现有技术（如双流体喷头/换热板/混气板领域）中的公知常识组合或转用。**

1. **目标专利权的护城河**：

权利要求1将“液体过孔（带隔离壁）”与“气体喷孔”巧妙地集成于同一块三维扩散板内部，构成了高集成的双流体无干涉扩散结构。在仅有D1/D2（单流体匀气板）的情况下，目标专利具有极强的创造性，**仅凭D1/D2无法无效掉权利要求1**。

2. **攻击突破口**：

单靠D1或D2无法覆盖特征G。若要成功无效权利要求1，必须补充**新的对比文件（D3/D4）**，该对比文件需要公开**“在板状/腔体构件上，同时提供贯穿板体的第一流体隔离通道，以及与板体内部腔体连通的第二流体排放孔”**的技术方案。

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## 五、 进一步的对比文件检索策略（针对技术特征G）

为了彻底攻破权利要求1的技术特征G，建议采取以下多维度的检索策略：

### 1. 扩展技术领域检索（跨领域转用）

不仅局限于“半导体晶圆湿法清洗/蚀刻槽（H01L21/67, H01L21/306）”，应扩大至以下领域：

* **双流体喷头 / 气体-液体混合扩散板**：如喷雾干燥、气体吸收塔、化工反应器中的双相流体分布器（B05B, B01F, B01J）。

* **换热器 / 板式蒸发器**：具有内部流道且表面有贯穿风道/液道的板式结构（F28F, F28D）。

* **显示面板/PCB湿法处理设备**：面板清洗设备中的下喷气/下喷液扩散板（C23F, B08B）。

### 2. 关键词与IPC分类号组合检索表达

* **IPC 分类号**：

* `H01L21/67`（半导体组件制造设备）

* `H01L21/306`（化学蚀刻/清洗）

* `B05B1/14`（带多个喷出口的喷头）

* `B01F3/04`（气液混合/扩散装置）

* `B01D3/00` 或 `B01J19/00`（流体分布板/塔板）

* **核心关键词组合（中/英/日/韩）**：

* `扩散板` / `分布板` / `均流板` / `Showerhead` / `Diffuser plate` / `Distribution plate`

* `内部空间` / `腔` / `空腔` / `Cavity` / `Chamber` / `Internal space`

* `通孔` / `隔离` / `隔板` / `贯穿` / `Through hole` / `Barrier` / `Isolat*` / `Sleeve` / `Passage`

* `气体` AND `液体` / `气液` / `Dual fluid` / `Gas and Liquid` / `Two-phase`

### 3. 重点突破的技术方案形态（检索靶向）

寻找公开了如下结构图示的对比文件：

> 一种平板，内部有空腔（通气体），平板上打有若干垂直管道（通液体），管道外壁作为隔墙将空腔封堵，同时平板顶面开有小孔与内部空腔连通（喷气体），从而实现“下部液体穿管道向上，内部气体从小孔向上”的结构。

一旦检索到具备上述结构特性的D3（即使是在化工流体分布器或气体喷头领域），即可结合D1/D2（提供半导体湿法处理背景），以“技术领域转用/公知手段叠加”为由（即 $D1/D2 + D3$ 或 $D3 + D1/D2$），成功挑战权利要求1的创造性。

作为一名经验丰富的专利代理师，我针对目标专利CN102246277B的权利要求1，结合目标专利说明书以及所提供的两篇对比文件（D1: TW200814195A、D2: KR100849366B1）进行严密的法律与技术分析。

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### 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利CN102246277B（用于对物体进行湿处理的设备和方法及其中所用的流体扩散板和筒体）的说明书记载：

* **技术领域与背景（说明书[0001]-[0006]）：** 本发明用于晶圆等物体的湿清洁或蚀刻。传统技术在处理槽中容易产生“盲区”（死角），导致副产品或杂质滞留并二次污染晶圆；同时若将气体管道与液体扩散板叠加，会导致设备巨大、液体流动被气流干涉扰乱。

* **本发明的核心发明构思与技术效果（说明书[0007]-[0020]、[0064]-[0066]）：**

通过设计一种集成了**“液体通孔”**与**“气体/流体排放孔”**的单一**流体扩散板（300）**：

1. **通孔（311）：** 贯穿上、下表面，通过隔板（内壁）与扩散板的内部空间隔离，专门供处理液（如蚀刻液）从下向上穿过扩散。

2. **流体排放孔（312）：** 位于上表面未开通孔的区域，与扩散板的**内部空间**连通，处理流体（如氮气/氩气，由管道320引入内部空间）经由此孔向上喷出。

3. **核心效果：** 使得处理液与处理气体**在同一个扩散板上同时扩散且互不干涉**，消除处理槽盲区，保证流动均匀度，同时极大地简化了设备结构（紧凑化设计）。

#### 权利要求1特征拆解：

* **特征A：** 一种在对物体进行湿处理的设备中使用的流体扩散板，所述流体扩散板包括：

* **特征B：** 内部空间；

* **特征C：** 其由上表面、下表面和侧表面限定；

* **特征D：** 流体供应单元；

* **特征E：** 其用于将处理流体供应至所述内部空间；

* **特征F：** 其中贯穿所述上表面 and 所述下表面形成有多个通孔；

* **特征G：** 使得所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离；并且在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔。

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### 二、 对比文件技术特征比对表格

以下比对紧密结合对比文件原文及图文出处（注：D1 TW200814195A 与 D2 KR100849366B1 为同族/高度相似的等离子体干法/湿法剥离设备专利）。

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### 三、 最接近对比文件的选择分析（整体解决的技术问题与技术效果）

#### 1. 对比文件技术本质分析：

* **目标专利 CN102246277B：**

* **解决的技术问题：** 解决湿法清洁/蚀刻槽底部的流体“盲区”问题，同时解决“处理液”与“处理气体”叠加使用时设备庞大复杂以及气液互相干扰流动的问题。

* **技术效果：** 实现液体与气体在同一个紧凑的扩散板上**“并行且不干涉（隔离）”**地向上扩散，彻底消除死角，提高处理均匀性。

* **对比文件 D1 (TW200814195A) / D2 (KR100849366B1)：**

* **解决的技术问题：** 解决硬化光刻胶剥除困难的问题，结合干式电浆（等离子体）灰化与湿式化学品剥除。

* **技术效果：** 通过上方等离子体喷枪（内含气体扩散板240）干法剥离，再旋转切换湿法喷嘴32喷洒硫酸剥离。

#### 2. 最接近对比文件（Closest Prior Art）判定：

* **判定结论：** 在现有的对比文件 **D1 (TW200814195A)** 和 **D2 (KR100849366B1)** 中，两者均属于“晶圆处理设备中的流体/气体扩散装置”领域，均可作为最接近的对比文件（两者为同族/同技术方案专利，公开内容高度一致）。

* **分析：**

D1/D2公开了具备“内部缓冲空间”、“气体供应管路”、“带有扩散通孔的扩散板”的技术架构（公开了特征A、B、C、D、E以及部分的F）。然而，D1/D2的扩散板仅仅是一个**单一相态（气体）的平铺扩散板**，其湿法处理全靠外部移动式喷嘴（32）完成。

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### 四、 区别技术特征、无效薄弱点与创造性评估

#### 1. 区别技术特征：

对比目标专利权利要求1与对比文件D1/D2，权利要求1相对于D1/D2的区别特征在于**特征G**（以及特征F中关于双通道的定义）：

> **“所述通孔通过隔板与所述内部空间隔离；并且在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿过所述上表面与所述内部空间连通的多个流体排放孔。”**

#### 2. 区别特征所确定的实际解决的技术问题：

如何在同一扩散板上实现**第一种流体（如处理液体）**穿过扩散板与**第二种流体（如内部空间供应的气体）**同时排放，且使两种流体在通过扩散板时**互不干扰、物理隔离**。

#### 3. 创造性与“薄弱技术特征”分析：

* **当前对比文件（仅凭D1/D2）的检索情况：**

如果仅凭D1或D2，**无法直接无效掉权利要求1**。因为D1/D2完全没有给出“将液体贯穿孔与气体排放孔结合在同一板体上，并用隔板/管壁将液体通道与内部气体腔室隔开”的技术启示（Technical Teaching）。

* **权利要求1中最薄弱的技术特征（Potential Vulnerability）：**

权利要求1中最薄弱、最容易被结合对比文件攻破的特征是：**“通孔通过隔板与内部空间隔离”这一结构本身**。

* **法律/技术原因：** 在化工、喷雾、流体混合或半导体清洗淋洗设备（如双流体喷嘴、气液双相分配板、蒸发器/换热器板）领域，**“在腔体板上开穿透孔供下部液体通过，腔体内部充气并通过板面小孔喷气，穿透孔四周加装立管/隔板（Barrier/Tube）以防腔内气体泄漏进液体孔”**属于非常通用的流体隔离分配结构（Plate-and-Tube / Compartmented Showerhead）。

* 如果请求人能够检索到一份**展示了这种“气液双分配/双流体隔离扩散板（Dual-fluid Distribution Plate / Showerhead）”的通用机械/半导体设备对比文件（D3）**，将D1/D2与D3结合，权利要求1的创造性将极易被击毁。

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### 五、 进一步的无效宣告对比文件检索策略（Search Strategy）

为了成功发起无效请求，针对上述最薄弱特征，建议采取以下补充检索策略：

#### 1. 检索主题词与技术概念组合（Keywords & Concepts）：

* **核心结构词：**

* `扩散板` / `分配板` / `喷头` / `集散板` / `Distribution plate` / `Showerhead` / `Diffuser`

* `双流体` / `气液共用` / `双通道` / `隔离` / `隔板` / `通孔` / `Dual fluid` / `Two-phase` / `Isolated channel` / `Barrier` / `Pass-through hole` / `Cross-talk prevention`

* **应用场景词：**

* `湿法清洗` / `蚀刻槽` / `半导体晶圆` / `Wet cleaning` / `Etch tank` / `Substrate treatment` / `Chemical bath`

#### 2. 分级检索路径与分类号（IPC / CPC）：

* **第一优先级（精准领域：半导体湿法处理槽底板/扩散板）：**

* **IPC/CPC分类号：**

* `H01L21/67`（用于制造半导体器件的设备）

* `H01L21/02` / `B08B3/00`（清洗或浸泡设备）

* **策略：** 重点检索韩国（KR）、日本（JP，如东京电子Tokyo Electron、DNS）、美国（US，如Lam Research、Applied Materials）在2010年以前申请的湿法清洗槽专利，寻找槽底设置的“气液混喷/气液隔离扩散板”。

* **第二优先级（跨领域扩展：通用流体混合/双流体分配器）：**

* **IPC/CPC分类号：**

* `B05B1/14` / `B05B7/00`（喷射装置；多个喷出口；结合两种流体的喷射）

* `B01F25/00` / `B01F33/00`（混合器/流体扩散）

* **策略：** 寻找任何在板状结构中“第一流体走贯穿管（通过隔板隔离腔体），第二流体充入腔体并从板面小孔排出”的结构（公知常识/机械结构对比文件）。

#### 3. 拟构筑的无效组合方案（Invalidation Combination）：

* **方案 A（公知常识结合）：** D1 或 D2（提供基底处理设备及基本扩散板架构） + **D3（公开气液双流体隔离扩散板结构）** $\rightarrow$ 依据《专利审查指南》技术启示（显而易见性）无效权利要求1。

* **方案 B（强力单篇破坏新颖性）：** 重点在 JP / KR 的早期湿法蚀刻槽专利中，检索是否存在已直接公开“底板既通蚀刻液又通N2/臭氧气”的单篇对比文件。