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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2010-02-25_AU2009284681A_发明专利_AU2009284681A1 Method and system for verifiable allocation of an environmental resource product to an environmental resource.docx |
| 0 | 2008-09-25_US2008230820A_发明申请_US20080230820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_B_C_D_E_G+++.docx |
| 0 | 2008-10-02_JP2008235498A_发明专利_JP2008235498A Semiconductor device_+++a_b_c_e+++.docx |
| 0 | 2008-12-12_KR1020080108351A_发明公开_KR1020080108351A 고수율 고밀도 온-칩 커패시터 설계_+++B_E_G_a_c_d+++.docx |
| 0 | 2009-01-15_DE102008028554A_发明专利_DE102008028554A1 Semiconductor device with reduced capacitance tolerance value_+++A_C_D_E_G_b_j+++.docx |
| 0 | 2009-01-15_US2009014832A_发明申请_US20090014832A1 Semiconductor Device with Reduced Capacitance Tolerance Value_+++B_C_D_E_a_j+++.docx |
| 0 | 2009-02-11_EP2022081A_发明公开_EP2022081A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++b_c_d_j+++.docx |
| 0 | 2009-03-12_US2009066081A_发明申请_US20090066081A1 Connecting structure between fluid device and joint.docx |
| 0 | 2009-04-14_US7518433B_发明授权_US07518433B2 Voltage pumping device.docx |
| 0 | 2009-04-15_CN101410944A_发明公开_CN101410944A 高成品率高密度芯片上电容器设计_+++d+++.docx |
| 0 | 2009-06-18_US2009152612A_发明申请_US20090152612A1 HIGH YIELD, HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++G+++.docx |
| 0 | 2009-06-23_US7549345B_发明授权_US07549345B2 Method and apparatus for sensing distortion.docx |
| 0 | 2009-10-29_JP2009537972A_发明专利_JP2009537972A High-density on-chip capacitor design of high yield_+++B_E+++.docx |
| 0 | 2008-03-01_TW200811915A_发明专利_TW200811915A 高良率高密度晶片電容設計 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++A_B_C_D_E_g_j+++.docx |
| 0 | 2010-02-25_CA2724712A_发明专利_CA2724712A1 METHOD AND SYSTEM FOR VERIFIABLE ALLOCATION OF AN ENVIRONMENTAL RESOURCE PRODUCT TO AN ENVIRONMENTAL RESOURCE.docx |
| 0 | 2010-03-25_JP2010064056A_发明专利_JP2010064056A Electrostatic atomizing device.docx |
| 0 | 2010-08-03_US7768054B_发明授权_US07768054B2 Semiconductor component with integrated capacitance structure and method for fabrication thereof.docx |
| 0 | 2010-11-11_JP2010258130A_发明专利_JP2010258130A Semiconductor device and layout method of the same_+++D_G_j+++.docx |
| 0 | 2011-05-10_US7938452B_发明授权_US07938452B2 Connecting structure between fluid device and joint.docx |
| 0 | 2011-06-16_US2011140288A_发明申请_US20110140288A1 Systems and Methods Employing a Physically Asymmetric Semiconductor Device Having Symmetrical Electrical Behavior_+++j+++.docx |
| 0 | 2011-11-08_US8053865B_发明授权_US08053865B2 MOM capacitors integrated with air-gaps.docx |
| 0 | JP2010040775A_Description_20260318_1917_+++j+++.docx |
| 0 | JP2010205729A_Description_20260318_1917.docx |
| 0 | JPS63120457A_Description_20260318_1917_+++G+++.docx |
| 0 | US2011086487A1_Description_20260318_1917_+++D_G_j+++.docx |
| 0 | 2006-08-22_US7095073B_发明授权_US07095073B2 High K artificial lattices for capacitor applications to use in Cu or Al BEOL_+++j+++.docx |
| 0 | 2004-01-20_US6680521B_发明授权_US06680521B1 High density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies_+++G_H_e_f_i+++.docx |
| 0 | 2004-04-20_US6723600B_发明授权_US06723600B2 Method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques_+++D_G_j+++.docx |
| 0 | 2004-06-24_JP2004179419A_发明专利_JP2004179419A Semiconductor device and manufacturing method thereof_+++d_h_i_j+++.docx |
| 0 | 2004-08-05_US2004152258A_发明申请_US20040152258A1 Semiconductor device and method of manufacturing the same_+++D_H_I_j+++.docx |
| 0 | 2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies_+++D_H_I_g_j+++.docx |
| 0 | 2004-12-14_US6830971B_发明授权_US06830971B2 High K artificial lattices for capacitor applications to use in CU or AL BEOL_+++D_a_b_c_e+++.docx |
| 0 | 2006-01-05_JP2006004146A_发明专利_JP2006004146A Database operation system.docx |
| 0 | 2006-02-16_JP2006049486A_发明专利_JP2006049486A Semiconductor device and its manufacturing method_+++D_H_I_J+++.docx |
| 0 | 2006-02-23_US2006041799A_发明申请_US20060041799A1 Test apparatus, phase adjusting method and memory controller.docx |
| 0 | 2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属－绝缘体－金属电容器_+++D_H_I_g+++.docx |
| 0 | 2006-08-16_CN1819194A_发明公开_CN1819194A 具有多种垂直排列电容区域的电容元件_+++D_E_G_a_b_c+++.docx |
| 0 | 2006-08-17_US2006180895A_发明申请_US20060180895A1 Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds_+++C_D+++.docx |
| 0 | 1995-06-27_None_发明专利_JPH07165231A Packing structure of metal fittings of faucet.docx |
| 0 | 2006-09-28_JP2006522464A_发明专利_JP2006522464A In a semiconductor die, a high density composite mim capacitor with reduced voltage dependence_+++D_F_G_I_h_j+++.docx |
| 0 | 2007-01-25_JP2007501561A_发明专利_JP2007501561A Detection of block artifact.docx |
| 0 | 2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE_+++B_E_a_d_g+++.docx |
| 0 | 2007-06-12_US7230434B_发明授权_US07230434B1 Multi-layered capacitor_+++A_C_D_E_j+++.docx |
| 0 | 2007-09-06_JP2007223551A_发明专利_JP2007223551A Vehicular exterior member mounting structure.docx |
| 0 | 2007-10-11_JP2007528604A_发明专利_JP2007528604A Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device produced by the present method_+++d_f_g_h_i+++.docx |
| 0 | 2007-11-22_US2007268653A_发明申请_US20070268653A1 High yield, high density on-chip capacitor design_+++A_B_C_E+++.docx |
| 0 | 2007-11-29_WO2007134903A_发明申请_WO2007134903A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++B_E_G+++.docx |
| 0 | 2007-12-18_None_外观设计_USD557822S1 Window main frame extrusion.docx |
| 0 | 2008-01-08_US7317221B_发明授权_US07317221B2 High density MIM capacitor structure and fabrication process_+++D_g_h_j+++.docx |
| 0 | 2008-02-26_US7335956B_发明授权_US07335956B2 Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds.docx |
权利要求1
一种电容器，包括： 耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层； 所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层； 位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层；以及耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。
权利要求2
如权利要求1所述的电容器，其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。
权利要求3
如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。
权利要求4
如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。
权利要求5
一种制造电容器的方法，包括： 在集成电路(IC)器件的互连堆叠的诸下互连层内形成金属氧化物金属(MOM)电容器结构； 在所述互连堆叠的第一上互连层与第二上互连层之间沉积至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层；以及形成耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。
权利要求6
如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述互连堆叠的所述第一上互连层与所述第二上互连层之间制造附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的所述第一电容器极板，所述MIM电容器结构的所述第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。
权利要求7
如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括： 将所述第二上互连层的第一部分耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第一电容器极板；以及将所述第二上互连层的第二部分耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。
权利要求8
如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述电容器集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。
权利要求9
一种电容器，包括： 第一金属绝缘体金属(MIM)电容器结构，其包括第一电容器极板和集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层，所述集成电路(IC)器件的所述互连堆叠的所述第一上互连层作为所述第一MIM电容器结构的第二电容器极板；以及处在所述互连堆叠的所述第一上互连层与第二上互连层之间的第二MIM电容器结构，所述第二MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述第一MIM电容器结构的第一电容器极板，所述第一电容器极板在所述第一上互连层和所述第二上互连层之间，并且与所述第二上互连层分离，所述第一MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述第二MIM电容器结构的第二电容器极板。
权利要求10
如权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述第二MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述第二MIM电容器结构的所述第二电容器极板。
权利要求11
如权利要求9所述的电容器，其特征在于，进一步包括耦合到所述互连堆叠的所述第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器，所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。
权利要求12
如权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。
权利要求13
一种电容器，包括： 耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的用于存储电荷的装置，所述电荷存储装置包括所述互连堆叠的至少一个下互连层； 所述互连堆叠中的耦合到所述电荷存储装置的第二上互连层； 位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层；以及耦合到所述电荷存储装置的MIM电容器结构，所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。
权利要求14
如权利要求13所述的电容器，其特征在于，进一步包括处在所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的所述第一电容器极板，所述MIM电容器结构的所述第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。
权利要求15
如权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。
权利要求16
如权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。
权利要求17
一种制造电容器的方法，包括： 在集成电路(IC)器件的互连堆叠的诸下互连层内形成金属氧化物金属(MOM)电容器结构的步骤； 在所述互连堆叠的第一上互连层与第二上互连层之间沉积至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层的步骤；以及形成耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构的步骤，所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。
权利要求18
如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述互连堆叠的所述第一上互连层与所述第二上互连层之间制造附加MIM电容器结构的步骤，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。
权利要求19
如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括： 将所述第二上互连层的第一部分耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第一电容器极板的步骤；以及将所述第二上互连层的第二部分耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板的步骤。
权利要求20
如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述电容器集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中的步骤。