对比文件名称：2004-01-20_US6680521B_发明授权_US06680521B1 High density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，<br>**《未公开》** | 无 | 目标专利的MOM电容器结构（如说明书[0002]-[0004]段所述）是利用互连层中不同极性的横向导电叉指之间的电容性耦合形成的。对比文件全文仅描述了金属-绝缘体-金属（MIM）电容器（由金属板、介电层、金属板构成的垂直板结构），例如图1中的下MIM电容器（金属板124、介电层132、金属板120）和上MIM电容器（金属板122、介电层134、金属板130）。对比文件完全没有提及或暗示任何基于互连层内横向叉指的MOM电容器结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出技术特征A。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层<br>**《未公开》** | 无 | 由于技术特征A的MOM电容器结构本身未被公开，作为其组成部分的“包括至少一个下互连层”这一特征也未被公开。对比文件虽然提到了互连金属层（例如107、115、121），但这些层是用于形成MIM电容器的电极（如金属板124、122）或互连布线（如金属段128、126），并未被描述为构成MOM电容器的一部分。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出技术特征B。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层<br>**《未公开》** | 无 | 目标专利中，第二上互连层（如M10）是耦合到MOM电容器结构的另一个上互连层（见说明书[0009]段及图2-6）。对比文件中，互连金属层121（可被视为一个上互连层）通过通孔119、金属段128、通孔118连接到金属板124（下MIM电容器的下电极），并同时通过通孔116连接到金属板130（上MIM电容器的上电极）（见说明书第8-10列及图1）。然而，这些连接是为了形成复合MIM电容器的并联端子，其连接对象是MIM电容器的电极，而非未被公开的MOM电容器结构。由于MOM电容器结构不存在，因此不存在“耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层”。该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层<br>**《未公开》** | 无 | 目标专利中的“MIM电容器层”是指位于两个上互连层（如M9和M10）之间的、构成MIM电容器结构的介电层和极板层（参见说明书[0009]、[0028]段及图2）。对比文件中确实存在MIM电容器结构，其介电层（132， 134）和极板（120， 130）位于互连金属层之间（如107与115之间， 115与121之间）。然而，对比文件并未将互连金属层107、115、121明确区分为“第一上互连层”和“第二上互连层”，更未将MIM电容器结构描述为位于这两个特定定义的“上互连层”之间。对比文件的重点是形成并联的MIM电容对以降低电压依赖性，其互连层是电容结构的组成部分或互连路径，而非目标专利中定义的、MOM电容器所耦合的特定“上互连层”。因此，技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，<br>**《隐含公开》** | 图1及说明书第5-10列描述了由下MIM电容器（极板124、120， 介电层132）和上MIM电容器（极板122、130， 介电层134）并联构成的“复合MIM电容器”（composite MIM capacitor）。这些电容器通过互连（如通孔114、118， 金属段128， 通孔116、119， 金属段126）电连接。 | 目标专利的MIM电容器结构是与MOM电容器结构并联组合以增加总电容密度的结构（参见说明书[0008]、[0025]段）。对比文件公开了由至少两个MIM电容器（下MIM和上MIM）并联连接形成的“复合MIM电容器”结构。虽然对比文件中该复合MIM电容器并非“耦合到MOM电容器结构”（因为MOM结构不存在），但其本身构成一个“MIM电容器结构”。从对比文件公开的“复合MIM电容器”这一上位概念中，本领域技术人员可以毫无疑义地理解其包含至少一个“MIM电容器结构”作为其组成部分或实现方式。因此，尽管耦合对象不同，但“MIM电容器结构”这一技术特征本身被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，<br>**《隐含公开》** | 说明书第5-6列：“metal plate 124 is situated on interlayer dielectric 108 in interconnect metal layer 107... Metal plate 124 forms a ‘lower’ electrode of a lower MIM capacitor.”； “metal plate 122... are situated in interconnect metal layer 115... Metal plate 122, i.e. the lower electrode of the upper MIM capacitor”。 | 目标专利中，第一电容器极板由第一上互连层（如M9）的一部分构成（参见说明书[0009]、[0026]段及图2）。对比文件中，金属板124和122分别是下MIM电容器的下电极和上MIM电容器的下电极，并且它们分别形成于互连金属层107和115中。这意味着这些电容器极板是由互连金属层的一部分构成的。虽然对比文件没有明确使用“第一上互连层”这一术语，但其互连金属层（如115）在多层互连结构中可被视为“上”层（相对于层107）。因此，本领域技术人员可以合理推断，对比文件中的MIM电容器结构包含了由互连金属层的一部分构成的第一电容器极板（例如金属板122）以及与之相对的第二电容器极板（例如金属板130）。技术特征F中的“仅包括...一部分”是此类极板结构的必然物理属性，因此该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《直接公开》** | 说明书第6列：“metal plate 130 is situated over dielectric segment 134... Metal plate 130 forms an upper electrode of the upper MIM capacitor.”； 第7-8列：“metal plate 120... forms an ‘upper’ electrode of the lower MIM capacitor.” | 目标专利中，第二电容器极板是MIM电容器层的一部分（参见说明书[0009]段）。对比文件明确公开了MIM电容器的上电极（第二极板），例如金属板130是上MIM电容器的上电极，金属板120是下MIM电容器的上电极。这些电极（金属板120、130）与介电层（132、134）共同构成了MIM电容器层。因此，“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”这一技术特征被对比文件直接且明确地公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《直接公开》** | 图1及说明书第5-10列：结构100包括下MIM电容器（极板124、介电132、极板120）和上MIM电容器（极板122、介电134、极板130）。金属板122既是上MIM电容器的下电极，又通过通孔114连接到下MIM电容器的上电极（金属板120）。图2的示意图236和238更清晰地显示了两电容器的并联连接。 | 目标专利的技术特征H描述了在两个上互连层之间存在两个MIM电容器结构，且其中一个结构的极板被另一个共享（参见说明书[0034]段及图4）。对比文件的核心发明点正是公开了一种由两个MIM电容器（下MIM和上MIM）并联构成的“复合MIM电容器”。如图1所示，上MIM电容器的下电极（金属板122）通过通孔114连接到下MIM电容器的上电极（金属板120）。虽然对比文件没有使用“附加”一词，但其明确公开了至少两个MIM电容器结构（下和上）存在于互连堆叠中。并且，下MIM电容器的上电极（金属板120）和上MIM电容器的下电极（金属板122）通过通孔电连接，在电路上等同于共享了一个电极（节点234，见图2）。因此，对比文件直接公开了“包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板”这一并联且共享连接点的结构关系。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《隐含公开》** | 说明书第8-9列：“metal segment 126 is situated in interconnect metal layer 121... Metal segment 126 is electrically connected to metal plate 130, i.e. the upper electrode of the upper MIM capacitor, by vias 116 and is electrically connected to metal segment 128, i.e. one terminal of the composite MIM capacitor, by via 119.”； 第7-8列：“metal plate 122... is electrically coupled to metal plate 120... by vias 114 and metal segment 128 is electrically coupled to metal plate 124... by via 118.” | 目标专利的技术特征I描述了第二上互连层的不同部分分别连接到两个MIM电容器结构的极板（参见说明书[0034]段及图4）。对比文件中，互连金属层121中的金属段126通过通孔116连接到上MIM电容器的上电极（金属板130），同时通过通孔119连接到金属段128。金属段128又通过通孔118连接到下MIM电容器的下电极（金属板124）。因此，互连金属层121通过其上的不同导体部分（金属段126及其连接通路）分别连接到复合MIM电容器的两个端子（一个端子是金属板130和124，另一个端子是金属板122和120）。虽然对比文件没有明确划分“第一部分”和“第二部分”，但本领域技术人员根据其公开的连接关系，可以合理推断出同一互连层（如121）的不同部分或不同导体路径被用于连接到并联电容网络的不同节点。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件仅一般性地提及电容器可用于“半导体芯片”（semiconductor dies）、“高性能混合信号和射频电路”，并未具体公开将电容器集成到任何权利要求J所列举的特定终端设备中。该特征属于具体应用领域限定，对比文件没有提供任何相关的教导或启示。因此，技术特征J未被公开。 |
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