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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2011-02-24_WO2010127277A_发明申请_WO2010127277A2 REMOTE CONTACTLESS STEREOSCOPIC MASS ESTIMATION SYSTEM.docx |
| 0 | 2009-10-15_JP2009234437A_发明专利_JP2009234437A Vehicular control device, electric vehicle, and method for detecting trouble of vehicular control device_+++a+++.docx |
| 0 | 2009-12-17_JP2009294911A_发明专利_JP2009294911A Monitor information gathering terminal and measuring device, and facility maintenance check system.docx |
| 0 | 2010-02-11_US2010033214A_发明申请_US20100033214A1 HIGH VOLTAGE INPUT RECEIVER WITH HYSTERESIS USING LOW VOLTAGE TRANSISTORS_+++A_B_C_E_G_I_J_f_k+++.docx |
| 0 | 2010-03-03_EP1713102A_发明公开_EP1713102A1 SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME.docx |
| 0 | 2010-03-03_EP1713102A_发明公开_EP1713102A4 SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME.docx |
| 0 | 2010-07-29_JP2010166457A_发明专利_JP2010166457A Level shifting circuit and semiconductor device equipped with the same_+++A_B_E_I_J_c+++.docx |
| 0 | 2010-10-26_US7821327B_发明授权_US07821327B2 High voltage input receiver using low voltage transistors_+++A_E_F_I_J_b_c_d_h+++.docx |
| 0 | 2010-12-21_US7854293B_发明授权_US07854293B2 Steering operated by linear electric device.docx |
| 0 | 2009-08-06_US2009195269A_发明申请_US20090195269A1 INPUT STAGE FOR MIXED-VOLTAGE-TOLERANT BUFFER WITH REDUCED LEAKAGE_+++B_C_E_I_J_L_a_d_f+++.docx |
| 0 | 2011-02-24_WO2010127277A_发明申请_WO2010127277A3 REMOTE CONTACTLESS STEREOSCOPIC MASS ESTIMATION SYSTEM.docx |
| 0 | 2011-04-21_JP2011082067A_发明专利_JP2011082067A Vehicular lighting fixture.docx |
| 0 | 2011-04-28_JP2011086913A_发明专利_JP2011086913A Thermoelectric conversion device and method for manufacturing the same.docx |
| 0 | 2011-06-28_US7969190B_发明授权_US07969190B2 Input stage for mixed-voltage-tolerant buffer with reduced leakage_+++A_B_C_D_E_F_I_J_L+++.docx |
| 0 | 2011-06-29_JP4712667B_发明专利_JP4712667B2 Heat sterilization method of processing medical waste.docx |
| 0 | 2011-09-01_JP2011524717A_发明专利_JP2011524717A rf adapter for field devices equipped with loop current bypass_+++E_b+++.docx |
| 0 | 2012-12-19_JP5100516B_发明专利_JP5100516B2 Monitoring information collection terminal and equipment maintenance and inspection system.docx |
| 0 | 2013-01-07_None_发明专利_JPWO2011013483A1 回転駆動装置およびそれを用いた遠心式ポンプ装置.docx |
| 0 | 2005-09-15_JP2005252224A_发明专利_JP2005252224A Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof.docx |
| 0 | 1982-11-17_None_发明专利_JPS57186857A Receiving device_+++A_f+++.docx |
| 0 | 1988-07-21_None_发明专利_JPS6336698B2 JPS6336698B2 -_+++A_a+++.docx |
| 0 | 1991-10-15_US5057712A_发明授权_US5057712A Address transition detector for programmable logic array_+++A_F_I_b_l+++.docx |
| 0 | 1998-11-12_DE19719448A_发明专利_DE19719448A1 Inverter circuit for level converter_+++I_L+++.docx |
| 0 | 1999-09-14_US5952848A_发明授权_US5952848A High-voltage tolerant input buffer in low-voltage technology_+++B_E_F_G_I_J_a_c+++.docx |
| 0 | 2004-08-31_US6784717B_发明授权_US06784717B1 Input buffer system using low voltage transistors_+++B_C_D_E_F_I_J_L_a_g_h+++.docx |
| 0 | 2004-10-14_JP2004289282A_发明专利_JP2004289282A Differential input circuit_+++E_I_J_a_b_c_h+++.docx |
| 0 | 2005-05-26_US2005110520A_发明申请_US20050110520A1 Input stage for mixed-voltage-tolerant buffer without leakage issue_+++A_B_C_D_E_I_J_f_l+++.docx |
| 0 | 1952-09-23_US2611570A_发明授权_US2611570A Mailbox stand.docx |
| 0 | 2005-09-15_US2005202496A_发明申请_US20050202496A1 Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same.docx |
| 0 | 2006-10-05_US2006220686A_发明申请_US20060220686A1 Tolerant input circuit_+++B_E_F_I_a_c_d_g+++.docx |
| 0 | 2006-10-12_JP2006279569A_发明专利_JP2006279569A Tolerant input circuit_+++A_B_C_E_F_G_I_d+++.docx |
| 0 | 2007-10-02_US7276953B_发明授权_US07276953B1 Level shifting input buffer circuit_+++B_D_E_I_a_c_f+++.docx |
| 0 | 2008-04-24_JP2008093231A_发明专利_JP2008093231A Heat sterilization apparatus for medical wastes and sterilization method using the same.docx |
| 0 | 2008-06-26_JP2008148018A_发明专利_JP2008148018A Radio communication system and radio equipment.docx |
| 0 | 2009-05-05_US7528634B_发明授权_US07528634B2 High voltage comparator using sliding input low voltage devices_+++A_B_E_I_c_f+++.docx |
| 0 | 2009-06-10_JP4275044B_发明专利_JP4275044B2 Solid electrolytic capacitor and a method of manufacturing the same.docx |
权利要求1
一种比较器电路，包括： 输入节点，配置成接收输入电压范围内的输入电压，所述输入电压范围包括第一范围和第二范围； 电压受限的输出节点； 第一半导体器件，配置成在所述输入节点处的输入电压落在所述输入电压范围的所述第一范围内时将所述输入节点与所述电压受限的输出节点耦合； 第二半导体器件，配置成在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第二范围内时将所述电压受限的输出节点耦合至包括电源电压电平的电源电压源，其中所述输入电压范围大于所述第一或第二半导体器件任一者的工作范围，并且其中所述输入电压范围大于所述电源电压电平；以及耦合至所述电压受限的输出节点的单端电压检测电路，其中所述单端电压检测电路包括迟滞生成电路系统以降低所述比较器电路的噪声灵敏度。
权利要求2
如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述输入电压范围包括在所述第一范围与所述第二范围之间的第三范围，并且其中在所述输入节点处的所述输入电压落在所述第三范围内时，所述第一和第二半导体器件均不控制所述电压受限的输出节点。
权利要求3
如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述第一和第二半导体器件包括金属氧化物半导体晶体管。
权利要求4
如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述第一和第二半导体器件的工作范围的最大电压为约1.8V。
权利要求5
如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述迟滞生成电路系统包括二极管式连接的晶体管以及开关晶体管。
权利要求6
如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述比较器电路除了漏泄电流之外不消耗静态电流。
权利要求7
一种比较器电路，包括： 输入节点，配置成接收输入电压范围内的输入电压，所述输入电压范围包括第一范围和第二范围； 电压受限的输出节点； 第一半导体装置，配置成在所述输入节点处的输入电压落在所述输入电压范围的所述第一范围内时将所述输入节点与所述电压受限的输出节点耦合；以及第二半导体装置，配置成在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第二范围内时将所述电压受限的输出节点耦合至包括电源电压电平的电源电压源，其中所述输入电压范围大于所述第一或第二半导体装置任一者的工作范围，并且其中所述输入电压范围大于所述电源电压电平；以及耦合至所述电压受限的输出节点的单端电压检测装置，其中所述单端电压检测装置包括迟滞生成装置以降低所述比较器电路的噪声灵敏度。
权利要求8
如权利要求7所述的比较器电路，其特征在于，所述输入电压范围包括在所述第一范围与所述第二范围之间的第三范围，并且其中在所述输入节点处的所述输入电压落在所述第三范围内时，所述第一和第二半导体装置均不控制所述电压受限的输出节点。
权利要求9
如权利要求7所述的比较器电路，其特征在于，所述第一和第二半导体装置包括金属氧化物半导体晶体管。
权利要求10
如权利要求7所述的比较器电路，其特征在于，所述第一和第二半导体装置的工作范围的最大电压为约1.8V。
权利要求11
如权利要求7所述的比较器电路，其特征在于，所述迟滞生成装置包括二极管式连接的晶体管以及开关晶体管。
权利要求12
如权利要求7所述的比较器电路，其特征在于，所述比较器电路除了漏泄电流之外不消耗静态电流。
权利要求13
一种用于将比较器电路中的输入节点处接收到的信息与输出节点耦合的方法，包括：接收输入电压范围内的输入电压，所述输入电压范围包括第一范围和第二范围； 在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第一范围内时通过第一半导体器件将所述输入节点与所述输出节点耦合； 在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第二范围内时通过第二半导体器件将所述输出节点耦合至电源电压源，其中所述电源电压源包括电源电压电平； 其中所述输入电压范围大于所述第一或第二半导体器件任一者的工作范围，并且其中所述输入电压范围大于所述电源电压电平； 接收基于所述输出节点处的所述输入信号的电压受限信号； 对所述电压受限信号执行单端电压电平检测；以及 基于所述单端电压电平检测来生成检测到的输出，其中所述生成检测到的输出包括在生成检测到的输出之前执行迟滞以降低所述比较器电路的噪声灵敏度。
权利要求14
如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一和第二半导体器件包括金属氧化物半导体晶体管。
权利要求15
如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一和第二半导体器件的工作范围的最大电压为约1.8V。
权利要求16
如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括使除了漏泄电流之外的静态电流消耗最小化。
权利要求17
一种用于无线通信的装置，包括： 至少一个处理器；以及 耦合至所述至少一个处理器的比较器电路，所述比较器电路包括：输入节点，配置成接收传达将由所述至少一个处理器使用的信息的输入电压，其中所述输入电压在输入电压范围内并且所述输入电压范围包括第一范围和第二范围； 电压受限的输出节点； 第一半导体器件，配置成在所述输入节点处的输入电压落在所述输入电压范围的所述第一范围内时将所述输入节点与所述电压受限的输出节点耦合； 第二半导体器件，配置成在所述输入节点处的所述输入电压落在所述输入电压范围的所述第二范围内时将所述电压受限的输出节点耦合至包括电源电压电平的电源电压源，其中所述输入电压范围大于所述第一或第二半导体装置任一者的工作范围，并且其中所述输入电压范围大于所述电源电压电平； 耦合至所述电压受限的输出节点的单端电压检测电路，其中所述单端电压检测电路包括迟滞生成电路系统以降低所述比较器电路的噪声灵敏度。
权利要求18
如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述输入电压范围包括在所述第一范围与所述第二范围之间的第三范围，并且其中在所述输入节点处的所述输入电压落在所述第三范围内时所述第一和第二半导体器件均不控制所述电压受限的输出节点。
权利要求19
如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一和第二半导体器件包括金属氧化物半导体晶体管。
权利要求20
如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一和第二半导体器件的操作范围的最大电压为约1.8V。
权利要求21
如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述迟滞生成电路系统包括二极管式连接的晶体管以及开关晶体管。
权利要求22
如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述装置除了漏泄电流之外不消耗静态电流。