非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2012-08-16_US2012205764A_发明申请_US20120205764A1 Methods of Integrated Shielding into MTJ Device for MRAM_+++B_H_I_M_N_a_e_g+++.docx |
| 0 | US5543228A_Description_20260320_0246.docx |
| 0 | 2014-01-23_US2014021570A_发明申请_US20140021570A1 METHODS OF INTEGRATED SHIELDING INTO MTJ DEVICE FOR MRAM_+++A_B_C_D_H_I_M_N_e_g_j_k_l+++.docx |
| 0 | 2013-12-25_EP2676274A_发明公开_EP2676274A1 METHODS OF INTEGRATED SHIELDING INTO MTJ DEVICE FOR MRAM_+++A_B_E_G_H_I_M_N_c_d+++.docx |
| 0 | 2013-12-11_CN103443860A_发明公开_CN103443860A 将屏蔽集成到用于磁阻随机存取存储器的磁隧道结装置中的方法_+++I_N_a_b+++.docx |
| 0 | 2013-10-17_JP2013538805A_发明专利_JP2013538805A Compositions containing natural ingredients for the protection of plant products and crops.docx |
| 0 | 2013-09-19_US2013241015A_发明申请_US20130241015A1 MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME_+++A_G_I+++.docx |
| 0 | 2013-06-17_JP2013524515A_发明专利_JP2013524515A Manufacturing a magnetic tunnel junction memory element_+++B_I_J_K_L_M_N+++.docx |
| 0 | 2013-02-07_US2013034917A_发明申请_US20130034917A1 METHOD FOR FABRICATING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE_+++A_I_n+++.docx |
| 0 | 2012-12-25_US8338869B_发明授权_US08338869B2 Sidewall coating for non-uniform spin momentum-transfer magnetic tunnel junction current flow_+++A_I_b_n+++.docx |
| 0 | 2012-11-22_None_发明专利_JPWO2010140569A1 粘着シート及び半導体ウエハの裏面研削方法.docx |
| 0 | 2012-08-23_WO2012112619A_发明申请_WO2012112619A1 METHODS OF INTEGRATED SHIELDING INTO MTJ DEVICE FOR MRAM_+++A_B_H_I_N_c_e_j_k_l_m+++.docx |
| 0 | 1973-02-20_None_实用新型_JPS4815035U JPS4815035U -_+++e+++.docx |
| 0 | 2012-04-18_CN102422421A_发明公开_CN102422421A 磁性隧道结装置及制造_+++A_I_N+++.docx |
| 0 | 2011-09-29_US2011235217A_发明申请_US20110235217A1 Fabricating A Magnetic Tunnel Junction Storage Element_+++A_I_b+++.docx |
| 0 | 2011-06-23_JP2011518440A_发明专利_JP2011518440A The method of manufacturing a magnetic tunnel junction device using two mask_+++A_B_I_J_K_L_N+++.docx |
| 0 | 2008-10-14_US7436797B_发明授权_US07436797B2 Wireless architecture and support for process control systems.docx |
| 0 | 2005-12-15_US2005276233A_发明申请_US20050276233A1 Wireless architecture and support for process control systems.docx |
| 0 | 2005-10-06_US2005218574A_发明申请_US20050218574A1 Hydraulic shock absorber.docx |
| 0 | 2005-07-21_US2005156215A_发明申请_US20050156215A1 METHOD OF MAKING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE_+++I+++.docx |
| 0 | 2005-04-28_US2005090056A_发明申请_US20050090056A1 A METHOD OF MAKING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE_+++B_I_a+++.docx |
| 0 | 2004-11-18_US2004229430A_发明申请_US20040229430A1 Fabrication process for a magnetic tunnel junction device_+++G_b_i+++.docx |
| 0 | 1977-04-23_None_发明专利_JPS5214796B1 JPS5214796B1 -_+++c_i_j_k_l_n+++.docx |
权利要求1
一种磁性隧道结MTJ装置，包括： 第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠； 所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体；以及与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。
权利要求2
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。
权利要求3
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。
权利要求4
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。
权利要求5
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。
权利要求6
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。
权利要求7
如权利要求6所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。
权利要求8
如权利要求7所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。
权利要求9
如权利要求7所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。
权利要求10
如权利要求9所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。
权利要求11
如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。
权利要求12
一种磁性隧道结MTJ装备，包括： 用于掩盖耦合至MTJ层堆叠的第一电极层以及用于提供至所述第一电极层的导电路径的第一装置，所述第一装置邻接所述第一电极层； 用于保护所述第一装置的侧壁的装置，所述用于保护的装置邻接所述第一装置的所述侧壁、所述第一电极层的侧壁、以及所述MTJ层堆叠的表面；以及用于掩盖MTJ层堆叠以及用于电耦合至所述导电路径的第二装置，所述第二装置与所述用于保护的装置的侧壁对准并邻接所述第一装置的表面，其中所述第二装置被安排成与所述第一装置和所述第一电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二装置的横向尺寸对准。
权利要求13
如权利要求12所述的MTJ装备，其特征在于，所述MTJ装备被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。