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权利要求与技术特征

F 其中，所述源线包括布置在所述多个堆叠式金属层中并电耦合在一起的多条堆叠式金属线。

G 其中，所述源线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线具有彼此不同的长度。

H 其中，所述源线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线具有彼此不同的宽度。

I 其中，所述源线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线具有彼此不同的长度和宽度。

J 进一步包括：布置在所述IC中在所述源线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线之间的至少一个延长通孔，所述至少一个延长通孔将所述源线的所述多条堆叠式金属线当中的所述至少两条金属线电耦合在一起。

K 其中，所述位线被布置在所述IC中布置在所述半导体层之上的多个堆叠式金属层中。

L 其中，所述位线包括布置在所述多个堆叠式金属层中并电耦合在一起的多条堆叠式金属线。

M 其中，所述位线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线具有彼此不同的长度和宽度。

N 进一步包括：布置在所述IC中在所述位线的所述多条堆叠式金属线当中的至少两条金属线之间的至少一个延长通孔，所述至少一个延长通孔将所述位线的所述多条堆叠式金属线当中的所述至少两条金属线电耦合在一起。

O 进一步包括：布置在所述IC中的至少一个MRAM专用金属层，其中所述位线被布置在所述至少一个MRAM专用金属层中。

P 其特征在于： 所述至少一个MRAM位单元包括多个MRAM位单元
Q 所述位线包括耦合在所述多个MRAM位单元的所述MTJ的所述第一端电极与所述多个MRAM位单元的每个存取晶体管的漏极之间的共享位线。

R 其中，所述源线的电阻和所述位线的电阻为相等的电阻。

S 其中，所述MTJ进一步包括：隧道势垒，其在所述第一端电极与所述第二端电极之间
T 自由层，其在所述第二端电极与所述隧道势垒之间
U 钉扎层，其在所述第一端电极与所述隧道势垒之间。

V 进一步包括：布置在所述IC中的字线，其中所述字线被耦合到所述存取晶体管的栅极。

W 其中，所述至少一个MRAM位单元包括至少一个1T‑1MTJ MRAM位单元。

X 其中，所述至少一个MRAM位单元包括至少一个2T‑1MTJ MRAM位单元。

Y 其中，所述至少一个MRAM位单元包括至少一个2T‑2MTJ MRAM位单元。

Z 其中，所述至少一个MRAM位单元包括MRAM阵列中的多个MRAM位单元。
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