对比文件名称：发明专利_JP2013138162A Wiring board with built-in coil
目标专利名称：说明书
模型名称：GPT-4
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或部分) | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** | “コイル内蔵配線基板１は、フェライト層を含んでいる板状の基体部11と、...基体部11の上面に設けられた接続電極14と、基体部11の下面に設けられた端子電極15とを含んでいる。” (说明书第[0016]段) | 对比文件公开了“基体部11”，其为板状（具有厚度），因此必然具有两个相对的表面（上面和下面）以及连接这两个表面的侧面（外围）。虽然基体部11由多层铁氧体层压而成（第[0017]段），但最终形成一个整体的板状绝缘体，其具有第一表面（上面）、第二表面（下面）和外围（侧面）是必然存在的物理属性。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。**判断为隐含公开。** |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** | “接続電極14は...、端子電極15は...。...ＩＣ素子２は、コイル内蔵配線基板１の基体部11の上面に設けられている。” (说明书第[0010]、[0012]段) | 对比文件明确公开了“接続電極14”和“ＩＣ素子２”设置在基体部11的“上面”（即第一表面）。接続電極14用于电连接IC元件2，属于电路元件。因此，对比文件直接公开了在绝缘体第一表面上布置有电路元件（电极和IC芯片）的子集。**判断为直接公开。** |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** | “基体部11の下面に設けられた端子電極15とを含んでいる。” (说明书第[0016]段) | 对比文件明确公开了“端子電極15”设置在基体部11的“下面”（即第二表面）。端子電極15用于外部电路连接，属于电路元件。因此，对比文件直接公开了在绝缘体第二表面上布置有电路元件（电极）的子集。**判断为直接公开。** |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** | 对比文件未提及“导电侧壁”。电连接通过基体内部的“配線導体12”和“ビア導体”（通孔导体）实现（第[0010]、[0011]段）。关于电容器，对比文件提到了“導体ペースト”（导体浆料）形成图案（第[0020]段），但未描述任何具体的层叠电容器结构，特别是未描述与绝缘体表面接触的、由内部导电层、介电层、中间导电层构成的电容器。 | 1. **导电侧壁**：对比文件完全没有公开在基体部（绝缘体）的外围（侧面）上设置导电侧壁。所有电连接均在基体内部通过嵌入的布线导体和通孔实现。因此，“导电侧壁”及其“布置在外围上”的特征未被公开。<br>2. **侧壁的电耦合功能**：由于不存在导电侧壁，自然也就不存在通过侧壁将上下表面电路耦合的功能。该功能未被公开。<br>3. **第一电容器的具体结构**：对比文件未公开目标专利中定义的特定层叠结构的电容器，该电容器与绝缘体第一表面接触并具有明确的三层结构（内部导电层-介电层-中间导电层）。对比文件中的导体图案可能起到电容作用，但其具体构成（是否与表面接触、是否具有所述三层结构）是不明确的。因此，该电容器的限定特征未被公开。<br>**综上，技术特征D整体未被公开。** |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃** | “基体部11は、...酸化鉄，酸化ニッケル，酸化銅，酸化亜鉛およびガラス成分を含んだフェライト層を有している。” (说明书第[0017]段) | 对比文件明确公开了基体部11（即绝缘体）包含“ガラス成分”（玻璃成分）。因此，绝缘体包括玻璃这一特征被直接公开。**判断为直接公开。** |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** | 基体部11是板状，由多层“フェライトグリーンシート”（铁氧体生片）层压烧结而成（第[0017]、[0020]段），其整体厚度是显著的。而电路元件如“接続電極14”、“端子電極15”和“ＩＣ素子２”是形成或安装在基体表面上的较薄结构。虽然未明确给出厚度数值的比较，但根据本领域普通技术知识和常规制造工艺（如印刷电极、贴装芯片），绝缘基板的厚度远大于表面电路元件（如电极、芯片）的厚度是显而易见的。因此，本领域技术人员能够合理推断出该特征。**判断为隐含公开。** | |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** | “コイル内蔵配線基板は、例えば直流電流の電圧を変換する機能を有するＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いられている。” (说明书第[0002]段) | 对比文件公开的线圈内置布线板用于DC-DC转换器等，其功能是功率转换和电压变换，而非对特定频带的信号进行滤波。虽然内置线圈具有电感特性，但其应用场景和配置目的与目标专利中明确限定的“对第一频带滤波”和“对第二（更高）频带滤波”的多路复用器功能完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** | “コイル導体13は、...基体部11に埋設されている。コイル導体13は、第１の層111の上面に形成された第１のコイルパターン131と第２の層112の上面に形成された第２のコイルパターン132とを含んでいる。” (说明书第[0011]段) | 对比文件明确公开了“コイル導体13”（线圈导体）作为电感元件。虽然该线圈导体是“埋設”在基体内部，而非明确“布置在所述第一表面上”，但其通过“配線導体12”与布置在第一表面的“接続電極14”和“ＩＣ素子２”电连接（第[0010]、[0012]段）。因此，线圈导体的电感功能是归属于（或者说服务于）安装在上表面IC芯片的电路系统的。本领域技术人员可以理解，该电感器是电路元件第一子集（上表面电路）的组成部分。**判断为隐含公开。** |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** | 对比文件未对不同的电感器或电容器进行电感值或电容值的比较。其线圈导体13是一个整体，并未描述其包含两个具有不同电感值的独立电感器。同样，也未描述两个具有不同电容值的电容器。因此，关于“更低电感”和“更低电容”的比较特征未被公开。 | |
| **技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** | “コイル導体13は、平面透視において基体部11の中心部を囲むような形状を有しており...第１のコイルパターン131と第２のコイルパターン132とを含んでいる。” (说明书第[0011]段)；图1显示了螺旋状的线圈图案。 | 对比文件附图和文字描述表明，线圈导体13由第1线圈图案131和第2线圈图案132构成，并在平面透视中呈围绕中心部的形状，这明确是螺旋电感器的典型结构。因此，“螺旋电感器”这一特征被直接公开。虽然对比文件未明确区分“第一”和“第二”螺旋电感器，但其公开的线圈导体整体即为螺旋结构，可以对应于目标专利中的电感器。**判断为直接公开。** |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** | 对比文件未描述电感器具有如此复杂的多层结构（内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层）。其线圈导体是通过“導体ペースト”（导体浆料）印刷在铁氧体生片上然后烧结形成的单一导体图案（第[0020]段）。因此，该具体的层叠结构特征未被公开。 | |
| **技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** | 同上。对比文件未描述电感器的此种多层结构。该特征未被公开。 | |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** | 对比文件未描述任何与绝缘体第二表面接触的、由内部导电层、介电层、中间导电层构成的层叠电容器结构。该特征未被公开。 | |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。** | 同技术特征K，该特征未被公开。 | |
| **技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** | 同技术特征L，该特征未被公开。 | |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。** | “基体部11の第２の層112に設けられたビア導体によって電気的に接続されている。” (说明书第[0011]段)；“貫通導体用の直径150μｍの貫通孔を形成した。この貫通孔に、貫通導体ペーストを...充填し...貫通導体となる...” (第[0021]段) | 对比文件公开了在基体部（相当于绝缘体）的层间设置“ビア導体”（通孔导体）用于连接不同层的导体图案，例如连接第1线圈图案131和第2线圈图案132（第[0011]段）。制造过程中也描述了形成通孔并填充导体以形成贯通导体（第[0021]段）。这些通孔导体（过孔）被布置在基体（绝缘体）中，并用于电连接不同的电路元件（如线圈图案之间，以及线圈与电极之间）。虽然未明确限定“第一中间绝缘体”和专门用于连接“电感器”和“电容器”，但过孔在多层绝缘基板中用于层间互联是公知常识，且对比文件明确公开了过孔用于连接嵌入的导体（包括可能具有电容特性的导体图案）。因此，本领域技术人员能够合理推断出存在布置在绝缘体中的过孔用于耦合电路元件（包括电感性和电容性元件）。**判断为隐含公开。** |
| **技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** | 同上。对比文件公开的基体部为多层结构，其中的通孔导体（ビア導体）可以存在于各层之间，用于实现各种电路元件的互连。因此，同样可以推断存在用于连接其他电路元件（可对应于第二电感器和第二电容器）的过孔。**判断为隐含公开。** | |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。** | 对比文件未公开“导电侧壁”，因此自然也不存在构成该侧壁的“低频带接触表面”。电连接通过表面电极（端子電極15）和内部布线实现。该特征未被公开。 | |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。** | 同上，该特征未被公开。 | |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** | 同上，该特征未被公开。 |
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