**对比文件名称**：实用新型_JPS5119853Y2
**目标专利名称**：说明书
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围<br>**《隐含公开》** | 根据图纸（特に図１、図２、図３）所示，部件1（基板）具有上下两个表面和侧面。 | 对比文件图纸明确展示了一个具有三维结构的部件（基板）。本领域技术人员从图纸中可以直接、毫无疑义地看出该基板具有上表面（对应于第一表面）、下表面（对应于第二表面）以及连接上下表面的侧面（对应于外围）。因此，该技术特征被对比文件图纸所公开。 |
| **技术特征B**：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上<br>**《隐含公开》** | 根据图纸（図１、図２），在上表面（部件1的上面）布置有导电图案（例如部件2、3等）。 | 对比文件图纸显示，在基板的上表面设置有明确的导电图案，这些图案构成了电路元件（如电感、电容或互连线）。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，这些布置在上表面的导电图案构成了一个电路元件集合（即子集）。因此，该技术特征被对比文件图纸所公开。 |
| **技术特征C**：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上<br>**《隐含公开》** | 根据图纸（図３），在下表面（部件1的下面）也布置有导电图案。 | 对比文件图纸显示，在基板的下表面同样设置有导电图案，构成了另一部分电路元件。这与上表面的电路元件共同构成了完整的电路。本领域技术人员可以合理推断出这些布置在下表面的导电图案构成了另一个电路元件集合（第二子集）。因此，该技术特征被对比文件图纸所公开。 |
| **技术特征D**：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。<br>**未公开** | 对比文件图纸未明确示出“导电侧壁”结构，也未示出电容器的具体分层结构（内部导电层、介电层、中间导电层）。 | 1. **导电侧壁**：对比文件图纸未显示在基板侧面设置有用于电连接的导电侧壁。上下表面的电路连接可能通过其他方式（如贯穿基板的过孔）实现，这与目标专利中明确限定的“布置在外围上的导电侧壁”这一特定结构不同。<br>2. **电容器的多层结构**：目标专利明确限定了第一电容器的具体分层构造（内部导电层-介电层-中间导电层），这种结构是实现特定性能（如高电容密度）的细节特征。对比文件图纸仅展示了导电图案的平面布局，完全未披露电容器，特别是这种具有明确顺序材料叠层的电容器结构。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。 |
| **技术特征E**：所述绝缘体包括玻璃<br>**未公开** | 对比文件未记载绝缘体（基板）的材料。 | 目标专利说明书第[0038]段明确绝缘体可以包括玻璃。对比文件（无论是图纸还是可能存在的简要文字说明）均未提及绝缘体（基板）的材料成分。本领域技术人员无法从对比文件中得知其材料是否为玻璃。 |
| **技术特征F**：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。<br>**未公开** | 对比文件未提供任何关于绝缘体厚度与电路元件厚度关系的尺寸信息或描述。 | 目标专利说明书第[0038]段强调了绝缘体厚度大于其上电路元件的厚度。这是一个具体的尺寸关系限定。对比文件仅提供了示意图，没有任何尺寸标注或相关描述。本领域技术人员无法从图纸中判断绝缘体基板与表面导电图案之间的厚度关系。 |
| **技术特征G**：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。<br>**未公开** | 对比文件未记载电路的功能或滤波特性。 | 目标专利说明书第[0030]、[0046]段描述了电路子集的滤波功能及频带关系。对比文件仅展示了电路元件的物理布局，完全没有提及该电路的具体功能（如滤波）、工作频带以及频带之间的高低关系。功能限定未被公开。 |
| **技术特征H**：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器<br>**《隐含公开》** | 根据图纸（図１、図２），上表面的导电图案中包含螺旋形状的图案（例如部件2）。 | 在电子电路领域，螺旋形状的导电图案通常被理解为平面螺旋电感器。对比文件图纸上表面显示的螺旋图案，本领域技术人员可以毫无疑义地识别其为电感器。因此，该技术特征被公开。 |
| **技术特征I**：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。<br>**未公开** | 对比文件未记载任何电感值或电容值，也未对上下表面元件的参数进行比较。 | 该特征限定了上下表面电感器和电容器之间的具体参数相对关系（“更低电感”、“更低电容”）。对比文件仅显示了元件的形状和布局，完全没有提供任何关于电感量、电容量的数值信息或相对大小比较。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这种特定的参数关系。 |
| **技术特征J**：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。<br>**《隐含公开》** | 根据图纸（図１、図２、図３），上下表面的导电图案中均包含螺旋形状的图案。 | 如上文对特征H的论述，图纸中上下表面的螺旋图案可以被本领域技术人员识别为螺旋电感器。因此，第一电感器和第二电感器均为螺旋电感器的特征被图纸所公开。 |
| **技术特征K**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。<br>**未公开** | 对比文件图纸未示出电感器的分层结构。 | 目标专利说明书第[0058]-[0060]、[0071]-[0073]段详细描述了电感器的复杂多层结构（内部导电子层-绝缘子层-外部导电子层），这是实现高性能电感器的特定制造工艺细节。对比文件图纸仅以平面视图展示了电感器的二维形状，完全没有揭示其三维分层构造。该具体结构未被公开。 |
| **技术特征L**：所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。<br>**未公开** | 同上，对比文件图纸未示出电感器的任何分层结构。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开电感器的任何分层细节，因此第二电感器的这种特定多层结构未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。<br>**未公开** | 对比文件图纸未明确示出下表面有电容器，更未示出电容器的分层结构。 | 首先，对比文件图纸可能未明确标识下表面的哪个图案是电容器。其次，即使存在电容器，对比文件也完全没有公开如目标专利所限定的这种由特定顺序材料层（内部导电层-介电层-中间导电层）构成的多层电容器结构。该具体结构未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层。<br>**未公开** | 同技术特征K。 | 此特征与技术特征K实质相同，对比文件未公开该分层结构。 |
| **技术特征O**：所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。<br>**未公开** | 同技术特征L。 | 此特征与技术特征L实质相同，对比文件未公开该分层结构。 |
| **技术特征P**：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器。<br>**未公开** | 对比文件图纸未示出任何过孔结构，也未明确示出电感器与电容器的连接关系。 | 目标专利中的过孔是用于连接不同层间特定元件（电感器和电容器）的互连结构。对比文件图纸是简单的二维布局图，没有显示任何垂直方向的互连结构（如过孔），也没有明确标识出电感器和电容器的连接点。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。<br>**未公开** | 同上，对比文件图纸未示出任何过孔结构。 | 理由同技术特征P。对比文件未公开任何过孔结构。 |
| **技术特征R**：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集。<br>**未公开** | 对比文件未显示导电侧壁，因此也不存在作为其一部分的“低频带接触表面”。 | 该特征依赖于“导电侧壁”的存在，并进一步限定了侧壁上具有特定功能的接触表面（低频带接触表面）。如特征D所述，对比文件未公开“导电侧壁”，因此其进一步限定的接触表面自然也未被公开。 |
| **技术特征S**：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集。<br>**未公开** | 对比文件未显示导电侧壁，因此也不存在作为其一部分的“高频带接触表面”。 | 理由同技术特征R。该特征依赖于未被公开的“导电侧壁”。 |
| **技术特征T**：天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。<br>**未公开** | 对比文件未显示导电侧壁，因此也不存在作为其一部分的“天线接触表面”。同时，未记载电路与天线的连接关系。 | 理由同技术特征R。该特征依赖于未被公开的“导电侧壁”。此外，对比文件也未提及任何与天线连接的功能或结构。 |
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