对比文件名称：发明申请_WO2016017511A1 電子部品及びその製造方法
目标专利名称：双侧电路
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围**<br>**《直接公开》** | [0012] “本体１０は、直方体状をなしている。 本体１０の上側の面を上面、下側の面を底面Ｓ１、右側の面を右面Ｓ２、左側の面を左面Ｓ３、前側の面を前面、後ろ側の面を後面と呼ぶ。” <br>（本体10呈长方体状。将本体10的上侧面称为上面，下侧面称为底面S1，右侧面称为右面S2，左侧面称为左面S3，前侧面称为前面，后侧面称为后面。） | 对比文件中的“本体10”是一个具有明确几何形状（长方体）的部件，其必然具有上表面（上面）、下表面（底面S1）以及连接上下表面的外围表面（右面S2、左面S3、前面、后面）。这与目标专利中“绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围”的技术特征完全相同。虽然对比文件未明确使用“绝缘体”一词，但其描述的本体10由绝缘体层、绝缘基板等构成（参见[0012]-[0017]），其材料（如环氧树脂、玻璃布等）和功能决定了其本质上是绝缘体。本领域技术人员阅读对比文件后，能毫无疑义地得出本体10即为一个具有第一表面（如上表面）、第二表面（如下表面）和外围（如侧面）的绝缘体。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上**<br>**《直接公开》** | [0019] “コイル３２は、図２に示すように、絶縁体基板１６の表面上に設けられており...” <br>（如图2所示，线圈32设置在绝缘基板16的表面上...） | 对比文件中的“线圈32”是一个电路元件（电感器）。根据[0019]，该线圈32明确设置在绝缘基板16的“表面上”。绝缘基板16是构成“本体10”的一部分（[0012]），其表面可对应于目标专利中绝缘体的“第一表面”。因此，对比文件公开了“电路元件的第一子集（线圈32）布置在第一表面上”的技术方案。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上**<br>**《直接公开》** | [0020] “コイル３７は、図２に示すように、絶縁体基板１６の裏面上に設けられており...” <br>（如图2所示，线圈37设置在绝缘基板16的里面上...） | 对比文件中的“线圈37”是另一个电路元件（电感器）。根据[0020]，该线圈37明确设置在绝缘基板16的“裏面上”（即背面上）。绝缘基板16的背面是其与表面相对的另一侧主面，对应于目标专利中绝缘体的“第二表面”。因此，对比文件公开了“电路元件的第二子集（线圈37）布置在第二表面上”的技术方案。 |
| **技术特征D：以及至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。**<br>**部分《直接公开》/部分未公开** | [0026] “外部電極２０は、図３に示すように、電子部品１の右面Ｓ２を覆っていると共に、電子部品１の上面、底面Ｓ１、前面及び後面に折り返されている。” <br>（如图3所示，外部电极20覆盖在电子元器件1的右面S2上，并且折返到电子元器件1的上面、底面S1、前面及后面。）<br>[0027] “外部電極２５は、図３に示すように、電子部品１の左面Ｓ３を覆っていると共に、電子部品１の上面、底面Ｓ１、前面及び後面に折り返されている。” <br>（如图3所示，外部电极25覆盖在电子元器件1的左面S3上，并且折返到电子元器件1的上面、底面S1、前面及后面。）<br>[0022] “引き出し導体３２ａは...コイル３２の上流端に接続されている。...引き出し導体３２ａは、...右面Ｓ２から本体１０外に露出している。” <br>（引出导体32a...连接到线圈32的上游端。...引出导体32a...从右面S2露出到本体10外。）<br>[0023] “引き出し導体３７ａは...コイル３７の下流端に接続されている。...引き出し導体３７ａは、...左面Ｓ３から本体１０外に露出している。” <br>（引出导体37a...连接到线圈37的下游端。...引出导体37a...从左面S3露出到本体10外。）<br>[0026] “外部電極２０と引き出し導体３２ａとが接触している。” <br>（外部电极20与引出导体32a相接触。）<br>[0027] “外部電極２５と引き出し導体３７ａとが接触している。” <br>（外部电极25与引出导体37a相接触。）<br>[0021] “ビアホール導体３９は、絶縁体基板１６を上下方向に貫通しており、コイル３２の下流端とコイル３７の上流端とを接続している。” <br>（通孔导体39在上下方向上贯通绝缘基板16，连接线圈32的下游端和线圈37的上游端。） | **关于“导电侧壁”及“电耦合”部分（直接公开）：** 对比文件中的“外部电极20”和“外部电极25”分别覆盖在本体10的右面S2和左面S3上（即外围上），其作用是实现外部电连接，符合“导电侧壁”的特征。线圈32（第一子集）通过引出导体32a与外部电极20电接触，线圈37（第二子集）通过引出导体37a与外部电极25电接触。同时，线圈32和线圈37之间通过通孔导体39在内部实现了电连接（[0021]）。因此，从整体电路来看，布置在外围上的导电侧壁（外部电极20和25）与内部互联（通孔39）共同作用，将布置在两侧的电路元件（线圈32和37）连接成一个完整的电路（例如串联电感），实现了将第一子集电耦合至第二子集的功能。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该结论。<br>**关于“第一电容器”及其具体层状结构部分（未公开）：** 对比文件全文仅公开了作为电感器的线圈32和37，以及连接用的通孔导体和引出导体，并未提及任何电容器结构，更未公开如目标专利所述的由“第一内部导电层、第一介电层、第一中间导电层”构成的层状电容器结构。该特征是目标专利中实现特定滤波功能的组成部分，在对比文件中完全缺失。因此，技术特征D中关于电容器的部分未被公开。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃**<br>**《直接公开》** | [0016] “絶縁体基板１６は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたプリント配線基板であり...” <br>（绝缘基板16是玻璃布含浸环氧树脂的印刷布线基板...） | 对比文件明确记载绝缘基板16的材料是“玻璃布（ガラスクロス）”含浸环氧树脂。玻璃布由玻璃纤维制成，其主要成分是玻璃。绝缘基板16是构成绝缘体“本体10”的核心部分（[0012]）。因此，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出，该绝缘体（本体10）中包含了玻璃材料。 |
| **技术特征F：以及所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。**<br>**《直接公开》** | 结合说明书附图（图3）及文字描述可以推断。绝缘基板16的厚度（例如约60μm，[0030]提及“絶縁体基板１６の厚さは６０μｍ以下が好ましい”）远大于形成在其表面的线圈32、37的厚度。线圈是通过电镀形成的导体图案（[0031]-[0032]），其厚度通常为微米级，显著小于作为支撑体的绝缘基板及整个本体10的厚度。 | 根据对比文件的整体描述和附图，本领域技术人员可以明确理解，作为绝缘体一部分的绝缘基板16（或整个本体10）是电路元件（线圈32、37）的承载基体，其结构厚度必然大于其上形成的电路元件（导体图案）的厚度。这是电子元器件制造领域的公知常识，从对比文件的图示（图3）中也能直观看出基体厚度远大于导线厚度。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G：根据权利要求1所述的电路设备，其中，所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。**<br>**未公开** | [0028] “以上のように構成された電子部品１は、例えば、外部電極２０から入力された信号が、回路素子３０を経由して、外部電極２５から出力されることで、インダクタとして機能する。” <br>（如上构成的电子元器件1，例如，从外部电极20输入的信号经由电路元件30从外部电极25输出，从而作为电感器发挥作用。） | 对比文件明确其电子元器件1的功能是作为“电感器（インダクタ）”，即一个单一的感性元件。目标专利中，电路元件的第一子集和第二子集被分别配置为对不同频带（高、低频带）进行滤波，这构成了一个多路复用器（如双工器）的核心功能。对比文件完全没有提及任何滤波功能，更没有公开将两侧电路元件配置为分别对不同频带进行滤波的技术方案。二者功能和作用完全不同。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器**<br>**《直接公开》** | [0019] “コイル３２は、...絶縁体基板１６の表面上に設けられており...” <br>（线圈32...设置在绝缘基板16的表面上...） | 线圈是典型的电感器。对比文件已公开线圈32作为电路元件的第一子集布置在第一表面（绝缘基板16表面）上。因此，“电路元件的第一子集还包括第一电感器”被直接公开。 |
| **技术特征I：以及所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。**<br>**未公开** | 对比文件未公开任何关于线圈32和线圈37电感值大小的比较信息。<br>对比文件未公开任何电容器。 | 1. 对比文件虽然公开了两个线圈（电感器），但未对其电感值进行任何描述或比较，无法得出第二电感器比第一电感器电感更低的结论。<br>2. 对比文件完全没有公开任何电容器，因此“具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器”无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：根据权利要求4所述的电路设备，其中，所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。**<br>**《直接公开》** | [0019] “コイル３２は、...上側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心に近づく渦巻状の導体層である。” <br>（线圈32...从上方向俯视时，是边顺时针旋转边向中心靠近的涡旋状导体层。）<br>[0020] “コイル３７は、...上側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心から遠ざかる渦巻状の導体層である。” <br>（线圈37...从上方向俯视时，是边顺时针旋转边从中心远离的涡旋状导体层。） | 对比文件明确描述线圈32和线圈37均为“渦巻状の導体層”（涡旋状导体层），即螺旋形状。因此，“第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器”被直接公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层**<br>**未公开** | 对比文件未描述线圈（电感器）具有如此复杂的多层结构。线圈32、37仅被描述为通过电镀形成的导体图案（[0031]-[0032]），未提及由内部导电子层、绝缘子层、外部导电子层构成。 | 目标专利中电感器的特定三层结构（如结合图4所述）是为了实现特定性能或制造工艺而设计的。对比文件中的电感器是简单的平面螺旋导体，没有公开这种分层绝缘的结构。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**未公开** | 同上。对比文件未描述线圈（电感器）具有如此复杂的多层结构。 | 同上。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。**<br>**未公开** | 对比文件未公开任何电容器。 | 该技术特征描述了第二电容器的具体层状结构。由于对比文件完全没有公开电容器，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层**<br>**未公开** | 同技术特征K。 | 同技术特征K。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**未公开** | 同技术特征L。 | 同技术特征L。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器**<br>**未公开** | 对比文件有通孔导体39（[0021]），但其作用是连接两个线圈（电感器），而不是连接电感器和电容器。 | 目标专利中的过孔用于连接特定结构的电感器和电容器。对比文件虽然公开了过孔，但其连接对象（两个电感器）和目的（形成串联电感）与目标专利不同。更重要的是，对比文件没有公开“第一电容器”，因此不存在用于将电感器耦合至电容器的过孔。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。**<br>**未公开** | 同上。对比文件没有第二电容器，因此不存在用于将第二电感器耦合至第二电容器的过孔。 | 该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集**<br>**未公开** | 对比文件的外部电极20、25作为端子，但未将其区分为“低频带接触表面”、“高频带接触表面”或“天线接触表面”。它们仅是电感器的两个外部连接端。 | 目标专利中按功能（低频带、高频带、天线）区分导电侧壁的接触表面，这是由其多路复用器的应用决定的。对比文件的电子元器件作为单一电感器工作，其外部电极不具备这种按频带功能划分的特征。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集**<br>**未公开** | 同上。 | 同上。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。**<br>**未公开** | 同上。 | 同上。该技术特征未被公开。 |
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