对比文件名称：发明专利_JP2009130927A Digital temperature information generating apparatus for semiconductor integrated circuit
目标专利名称：用于存储器的自刷新的方法及相关设备
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：在所述存储器控制器处，接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示，其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的，并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间<br>**公开性判断：未公开** | [2] “上述したように生成された第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２の値がパッドＤＱ８〜ＤＱ１０を介してデジタル温度情報として半導体集積回路外部に出力されれば、メモリコントローラ、例えば、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）が前記デジタル温度情報を、オートリフレッシュレート（Ａｕｔｏ Ｒｅｆｒｅｓｈ Ｒａｔｅ）を定める時に使うことができる。”<br>译：“如上所述生成的第二数字代码DTI0~DTI2的值通过焊盘DQ8~DQ10作为数字温度信息输出到半导体集成电路外部，则存储器控制器，例如，GPU（图形处理单元）可以在确定自动刷新率（Auto Refresh Rate）时使用所述数字温度信息。” | 目标专利特征A的核心在于，存储器控制器在从睡眠模式唤醒时，从DRAM接收一个关于“自刷新区间的剩余部分”的指示。这是一个具体的时间间隔信息，用于同步和避免在模式转换时进行不必要的刷新。对比文件公开了DRAM（半导体集成电路）可以向外部（如存储器控制器）输出数字温度信息，并且该信息可用于确定（自动）刷新率。然而，对比文件输出的“温度信息”与目标专利的“自刷新区间剩余部分”是两种完全不同性质和用途的信息。对比文件完全没有涉及在DRAM自刷新模式结束后，向存储器控制器报告“自上次自刷新触发以来还剩余多少时间”这一同步机制。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B：** 在所述存储器控制器中，对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时<br>**公开性判断：未公开** | 无对应原文。 | 特征B是特征A的后续动作，即在接收到“剩余部分”指示后，存储器控制器启动计时器对该剩余时间进行倒计时。对比文件仅公开了存储器控制器可利用温度信息来设定刷新率，但并未描述或暗示存储器控制器会接收一个来自DRAM的、小于完整间隔的“剩余时间”并专门为此进行计时。该计时操作是目标专利同步方案的关键步骤，在对比文件中没有依据。 |
| **技术特征C：** 响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环<br>**公开性判断：未公开** | 无对应原文。 | 特征C是特征B的最终目的，即计时结束后触发一次初始刷新循环，从而无缝衔接DRAM的自刷新模式与存储器控制器控制的刷新模式。对比文件虽然提到存储器控制器可使用温度信息来“定自动刷新率”，这隐含了会触发刷新循环，但这是基于温度调整的常规周期性刷新调度，而非基于一个特定的、外部提供的“剩余时间”倒计时来触发的、用于模式转换同步的“初始”刷新循环。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D：** 对所述存储器控制器的空闲时段计时<br>**公开性判断：未公开** | 无对应原文。 | 特征D涉及判断存储器控制器何时应进入睡眠模式的操作。对比文件的主题是生成和输出温度信息，全文未提及任何关于存储器控制器活动状态监测、空闲计时或睡眠模式转换的内容。 |
| **技术特征E：** 以及响应于对所述空闲时段的计时超过阈值，而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。<br>**公开性判断：未公开** | 无对应原文。 | 特征E是特征D的后续动作，即基于空闲计时结果决定进入睡眠模式。如特征D所述，对比文件完全不涉及存储器控制器的模式转换控制，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征F：** 进一步包括：其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。<br>**公开性判断：未公开** | 无对应原文。 | 特征F限定了接收“剩余部分”指示的具体方式——从DRAM中的寄存器读取。对比文件公开了通过特定焊盘（DQ8~DQ10）输出温度信息。虽然输出信息可能源自内部寄存器，但对比文件既未公开“自刷新区间剩余部分”这一信息内容，也未公开存储器控制器通过“读取DRAM中的寄存器”这一特定接口方式来获取该信息。该特征是对信息传递途径的进一步限定，未被公开。 |
| **技术特征G：** 进一步包括：在所述初始刷新循环的触发之后，根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。<br>**公开性判断：直接公开** | [2] “上述したように生成された第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２の値がパッドＤＱ８〜ＤＱ１０を介してデジタル温度情報として半導体集積回路外部に出力されれば、メモリコントローラ、例えば、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）が前記デジタル温度情報を、オートリフレッシュレート（Ａｕｔｏ Ｒｅｆｒｅｓｈ Ｒａｔｅ）を定める時に使うことができる。”<br>译：“如上所述生成的第二数字代码DTI0~DTI2的值通过焊盘DQ8~DQ10作为数字温度信息输出到半导体集成电路外部，则存储器控制器，例如，GPU（图形处理单元）可以在确定自动刷新率（Auto Refresh Rate）时使用所述数字温度信息。” | 目标专利特征G描述的是在同步用的“初始刷新循环”之后，存储器控制器进入常规工作状态，根据“刷新区间”周期性地触发刷新循环。对比文件明确指出，存储器控制器可以利用从DRAM获得的温度信息来确定“自动刷新率（Auto Refresh Rate）”。确定刷新率即意味着存储器控制器将按照该速率周期性地向DRAM发出自动刷新命令，这正是“根据刷新区间周期性地触发刷新循环”的体现。虽然对比文件未明确区分“初始”和“附加”循环，但“周期性地触发刷新循环”这一核心动作已被直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中，所述刷新区间等于所述自刷新区间。<br>**公开性判断：隐含公开** | [2] “前記セルフリフレッシュは、半導体記憶装置内部で周期的に行われる。” <br>译：“所述自刷新在半导体存储装置内部周期性地进行。”<br>[2] “前記オートリフレッシュ動作も周辺温度によりオートリフレッシュ信号の周期を可変させる技術適用のために半導体記憶装置周りの温度情報を必要としており...” <br>译：“所述自动刷新动作为了应用根据周围温度使自动刷新信号周期可变的技术，也需要半导体存储装置周围的温度信息...” | 目标专利特征H限定存储器控制器控制的“刷新区间”与DRAM自刷新时的“自刷新区间”相等。对比文件分别提到了“自刷新”和“自动刷新”，且两者都需要根据温度信息来调整其周期（刷新率）。在存储器系统中，为了使DRAM在两种模式下工作协调，并基于相同的温度调整机制，本领域技术人员容易理解，作为调整基准的“刷新区间”（即室温或标称下的刷新间隔）在两种模式下通常是相同的。对比文件虽然没有明确声明两者相等，但其技术方案（为两种刷新模式提供统一的温度信息）隐含了它们共享相同或可关联的时间基准，从而本领域技术人员可以合理推断出“刷新区间等于自刷新区间”这一技术特征。 |
| **技术特征I：** 进一步包括：响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。<br>**公开性判断：隐含公开** | [2] “前記セルフリフレッシュ動作の効率を上げるために周辺温度により前記セルフリフレッシュ信号の周期を可変させる技術が適用されている。” <br>译：“为了提高所述自刷新动作的效率，应用了根据周围温度使所述自刷新信号的周期可变的技术。”<br>[2] “前記オートリフレッシュ動作も周辺温度によりオートリフレッシュ信号の周期を可変させる技術適用のために半導体記憶装置周りの温度情報を必要としており...” <br>译：“所述自动刷新动作为了应用根据周围温度使自动刷新信号周期可变的技术，也需要半导体存储装置周围的温度信息...”<br>[2] “上述したように生成された第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２の値がパッドＤＱ８〜ＤＱ１０を介してデジタル温度情報として半導体集積回路外部に出力されれば、メモリコントローラ、例えば、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）が前記デジタル温度情報を、オートリフレッシュレート（Ａｕｔｏ Ｒｅｆｒｅｓｈ Ｒａｔｅ）を定める時に使うことができる。” <br>译：“如上所述生成的第二数字代码DTI0~DTI2的值通过焊盘DQ8~DQ10作为数字温度信息输出到半导体集成电路外部，则存储器控制器，例如，GPU（图形处理单元）可以在确定自动刷新率（Auto Refresh Rate）时使用所述数字温度信息。” | 目标专利特征I的核心是“根据温度指示调整（减小）刷新间隔”。对比文件的核心发明目的就是提供一种生成数字温度信息的装置，其应用背景明确指向：1）用于自刷新模式，根据温度改变自刷新信号的周期；2）用于自动刷新模式，存储器控制器利用此温度信息来确定（调整）自动刷新率。无论应用于哪种模式，其技术本质都是“响应于温度指示而调整刷新间隔”。虽然目标专利具体应用在调整“剩余部分”，而对比文件是调整完整的“周期”或“率”，但“根据温度减小时间间隔”这一基本技术手段已被对比文件充分公开。因此，本领域技术人员可以从对比文件公开的“根据温度调整刷新周期”这一上位概念，合理推断出将其应用于调整“自刷新区间的剩余部分”这一具体情形。 |
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