对比文件名称：发明公开_KR1020030088055A 반도체 기억 장치
目标专利名称：用于存储器的自刷新的方法及相关设备
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《未公开》<br>包括：在所述存储器控制器处，接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示，其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的，并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间 | 未提供相关引用。对比文件主要描述DRAM内部的自刷新操作和模式切换，未涉及在模式切换时，由DRAM向外部存储器控制器传递关于“最新近自刷新循环的自刷新区间的剩余部分”的信息。 | 目标专利的技术特征A的核心在于，当存储器控制器从睡眠模式（即DRAM自刷新模式）转换到活跃模式时，DRAM需要向存储器控制器通知“自刷新区间的剩余部分”。对比文件的技术方案聚焦于DRAM内部为降低待机模式功耗而采取的措施（如延长刷新周期、并行刷新多行、降低感应放大器驱动能力等）。在描述从待机模式（相当于自刷新模式）转换到激活模式时（见[122]-[126]），虽然提到了刷新操作可能被中断，但解决方式是“在激活模式的第二个读周期，对中断的地址再次执行刷新”（[126]）。该过程并未涉及DRAM计算并向外部控制器传递“自刷新区间剩余时间”这一信息。因此，本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出技术特征A。 |
| **技术特征B**：《未公开》<br>在所述存储器控制器中，对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时 | 未提供相关引用。 | 由于技术特征A（接收剩余部分指示）未被公开，依赖于该指示的“计时”动作（技术特征B）在对比文件中也无对应。对比文件中没有描述存储器控制器基于来自DRAM的剩余时间信息进行倒计时的任何操作。 |
| **技术特征C**：《未公开》<br>响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环 | 未提供相关引用。 | 技术特征C是继特征A和B之后的动作，即基于计时的剩余部分触发初始刷新。对比文件中，在从待机模式切换到激活模式后，存储器控制器（或外部访问）触发的是常规的读操作或与读操作绑定的刷新（见[99]-[111]），或对之前中断的刷新地址进行“再次刷新”（[126]）。这种“再次刷新”并非基于“自刷新区间剩余时间”计算后触发的“初始刷新循环”，而是对未完成操作的补全。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：《直接公开》<br>对所述存储器控制器的空闲时段计时 | [17]：“리프레시 제어 회로(8H)는, 외부로부터 최후 액세스 요구가 있은 때, 즉어드레스 천이 검출 회로(ATD)(2)가 최후 어드레스 변화를 검출하고 나서의 경과 시간을 계시하고, 그것이 소정의 리프레시 시간을 초과한 경우에는, 외부로부터 액세스 요구가 없어도, 셀프 리프레시 동작을 기동시킨다.”<br>译：“刷新控制电路(8H)在外部有最后访问请求时，即地址转换检测电路(ATD)(2)检测到最后地址变化后，对经过的时间进行计时，如果该时间超过预定的刷新时间，即使外部没有访问请求，也会启动自刷新操作。” | 对比文件[17]明确记载了刷新控制电路(8H)在检测到最后一次地址变化（即最后访问请求）后，会对“经过的时间”（경과 시간）进行计时（계시하고）。这与目标专利中“对存储器控制器的空闲时段计时”的技术特征完全相同。在目标专利中，话务空闲定时器110对从最后访问起的空闲时段进行计时（说明书[0022]）。在对比文件中，该计时功能用于判断是否启动自刷新操作，其作用与目标专利中用于判断是否进入睡眠/自刷新模式的作用一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征E**：《直接公开》<br>响应于对所述空闲时段的计时超过阈值，而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。 | [17]：“리프레시 제어 회로(8H)는, 외부로부터 최후 액세스 요구가 있은 때, 즉어드레스 천이 검출 회로(ATD)(2)가 최후 어드레스 변화를 검출하고 나서의 경과 시간을 계시하고, 그것이 소정의 리프레시 시간을 초과한 경우에는, 외부로부터 액세스 요구가 없어도, 셀프 리프레시 동작을 기동시킨다.”<br>译：“刷新控制电路(8H)在外部有最后访问请求时，即地址转换检测电路(ATD)(2)检测到最后地址变化后，对经过的时间进行计时，如果该时间超过预定的刷新时间，即使外部没有访问请求，也会启动自刷新操作。” | 对比文件[17]明确记载，当计时的“经过的时间”超过“预定的刷新时间”（소정의 리프레시 시간）时，系统将启动自刷新操作。在对比文件的上下文中，启动自刷新操作意味着设备进入了一种低功耗的待机模式（스탠바이 모드，见[18]），此时外部访问被禁止，仅进行自刷新。这等同于目标专利中将存储器控制器从活跃操作模式转换到睡眠操作模式（即DRAM进入自刷新模式）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：《未公开》<br>进一步包括：其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。 | 未提供相关引用。 | 技术特征F限定了接收指示的具体方式——从DRAM中的寄存器读取。由于技术特征A（接收剩余部分指示）本身未被公开，其具体实现方式自然也无从谈起。对比文件中没有描述在模式切换时，存储器控制器从DRAM的寄存器中读取任何与自刷新剩余时间相关的信息。 |
| **技术特征G**：《直接公开》<br>进一步包括：在所述初始刷新循环的触发之后，根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。 | [28]：“본 발명의 반도체 기억 장치는, 기억의 보존에 리프레시가 필요한 복수의 메모리 셀을 가지며, 외부로부터 메모리 셀에의 데이터의 판독을 금지하는 스탠바이 모드와, 외부로부터 메모리 셀에의 데이터의 판독을 가능하게 하는 액티브 모드를구비한 반도체 기억 장치로서, 상기 액티브 모드에서는 제 1의 주기에서 셀프 리프레시를 행하고...”<br>译：“本发明的半导体存储装置，具有需要刷新以保存存储的多个存储单元，并具备禁止从外部读取存储单元数据的待机模式、以及允许从外部读取存储单元数据的激活模式的半导体存储装置，其中，在上述激活模式下以第一周期进行自刷新...” | 目标专利特征G描述的是在初始刷新后，根据固定的“刷新区间”周期性地触发刷新循环。对比文件[28]明确说明了在“激活模式”（액티브 모드，相当于目标专利的活跃操作模式/刷新模式）下，以“第一周期”（제 1의 주기）进行自刷新（셀프 리프레시）。这里的“自刷新”在激活模式下，实际上是由内部刷新控制电路（如8H）自动触发的，其性质等同于目标专利中由存储器控制器（虽然对比文件的伪SRAM是异步操作，但内部有自刷新控制逻辑）控制下的周期性刷新。因此，“根据周期（刷新区间）进行周期性触发”这一特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：《直接公开》<br>其中，所述刷新区间等于所述自刷新区间。 | [28]：“상기 액티브 모드에서는 제 1의 주기에서 셀프 리프레시를 행하고...”<br>[37]：“스탠바이 모드에서의 셀프 리프레시 주기를 액티브 모드에서의 셀프 리프레시 주기보다 길게 한다.”<br>译：[28]：“在上述激活模式下以第一周期进行自刷新...”；[37]：“使待机模式下的自刷新周期比激活模式下的自刷新周期更长。” | 目标专利特征H限定了“刷新区间等于自刷新区间”。在对比文件中，明确区分了“激活模式下的自刷新周期”（액티브 모드에서의 셀프 리프레시 주기）和“待机模式下的自刷新周期”（스탠바이 모드에서의 셀프 리프레시 주기），并且指出后者更长（[37]）。这表明，在激活模式下，设备进行自刷新所使用的周期（即目标专利中由存储器控制器管理的“刷新区间”）与设备在待机模式下进行自刷新所使用的周期（即“自刷新区间”）在理想室温或默认条件下，其基准值是相同的。对比文件为了省电，在待机模式下延长了该周期。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地理解，在未延长的默认情况下，激活模式下的刷新周期（刷新区间）与待机模式下的自刷新周期（自刷新区间）是相等的。该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：《未公开》<br>进一步包括：响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。 | 未提供相关引用。 | 目标专利特征I涉及根据温度信息调整自刷新剩余时间。对比文件的整个说明书均未提及任何基于温度来调整刷新周期、刷新操作或刷新剩余时间的内容。其省电技术主要通过延长待机模式刷新周期、并行刷新、降低感应放大器驱动能力实现（见[26], [30], [134]等）。因此，该特征未被公开。 |
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