**对比文件名称**：发明授权_US08594603B2 Systems and methods for cancelling interferers in a receiver
**目标专利名称**：131相移混频器
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：多个混频电路，其被配置为生成多个频率变换信号<br>《直接公开》 | 参见图1及说明书[0018]、[0022]-[0023]。其中描述了接收机包括I信号路径102和Q信号路径104，每条路径均包含主信号路径106和交替路径108。主信号路径包含无源混频器112，交替路径包含无源下变频混频器120。这些混频器将RF信号下变频以形成基带或中频信号（即频率变换信号）。 | 对比文件明确公开了接收机中包含多个混频器（如112，120），这些混频器被配置为对RF信号进行下变频，生成基带或中频信号，即“频率变换信号”。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“多个混频电路，其被配置为生成多个频率变换信号”。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述多个混频电路中的至少一个混频电路被配置有多个路径，每个路径表示一种线性模式，所述多个路径包括：高线性模式的第一路径，其被配置有第一金属氧化物半导体电阻器<br>《未被公开》 | 无相应引用。对比文件描述了主路径和交替路径具有不同的噪声和/或线性特性（参见[0017]），但这是两个独立的、完整的信号处理路径（各自包含LNA、缓冲器、混频器等），而非单个混频器内部配置的多个可切换路径。 | 目标专利的技术特征B是指单个混频器（如辅助混频器）内部被配置有多个路径（如高线性模式路径、低线性模式路径），每个路径对应一种线性模式，并通过特定结构（如MOS电阻器）实现。对比文件公开的主路径和交替路径是两个独立的下变频通道，用于实现干扰抵消，其“不同线性特性”源于整体架构差异（如交替路径包含PGA和HPF），并非指单个混频器内部具有可切换的、表示不同线性模式的多个路径，更没有公开“高线性模式的第一路径，其被配置有第一金属氧化物半导体电阻器”这一具体结构。因此，技术特征B既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：以及低线性模式的第二路径，其被配置有第二金属氧化物半导体电阻器和第一线性模式开关，所述第一金属氧化物半导体电阻器和所述第二金属氧化物半导体电阻器是由本地振荡信号控制的<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 如特征B所述，对比文件未公开单个混频器内部具有表示不同线性模式的多个路径。因此，也未公开“低线性模式的第二路径”及其具体配置（第二MOS电阻器和第一线性模式开关），以及这些MOS电阻器由本地振荡信号控制。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：以及多个组合电路，其被配置为对所述多个频率变换信号进行组合以生成差分基带输出信号。<br>《隐含公开》 | 参见说明书[0026]：“For out-of-channel signals, the baseband output of the alternate paths can be of equal magnitude, but opposite phase, to the baseband output of the main paths, resulting in signal cancellation before entering the TIA.” 以及图1，其中主路径和交替路径的输出被组合。 | 目标专利的“组合电路”（如图16中的1622, 1624）用于对同一组混频器产生的多个频率变换信号（如1672, 1676）进行组合，以生成最终的差分基带输出信号。对比文件公开了将主路径和交替路径（两者均产生基带频率变换信号）的输出进行组合（“signal cancellation”），以在进入TIA前实现干扰抵消。虽然两者“组合”的具体目的和电路结构上下文不同（目标专利是合成混频器输出以形成差分信号，对比文件是抵消干扰），但“对多个频率变换信号进行组合以生成（一个）输出信号”这一基本功能概念在对比文件中已体现。根据宽松的隐含公开判断标准，本领域技术人员可以从对比文件公开的“信号组合/抵消”概念，合理推断出需要使用某种“组合电路”来实现该功能。因此，技术特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E**：所述至少一个混频电路是全球移动通信系统(GSM)无SAW收发机的辅助混频器。<br>《未被公开》 | 无相应引用。对比文件未提及GSM无SAW收发机，也未将其混频器描述为用于相位失衡调整的“辅助混频器”。 | 目标专利明确限定该混频电路是应用于“GSM无SAW收发机”环境中的“辅助混频器”，用于相位失衡调整。对比文件虽然描述了一种接收机，但未明确其为GSM无SAW收发机，其混频器（112, 120）是主信号路径和交替路径中的下变频器，用于干扰抵消，而非专门用于I/Q相位校正的“辅助混频器”。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：所述第一线性模式开关是由低线性模式信号控制的金属氧化物半导体开关。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何由“低线性模式信号”控制的金属氧化物半导体开关。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：所述多个路径还包括：中等线性模式的第三路径，其被配置有第三金属氧化物半导体电阻器和第二线性模式开关，所述第三金属氧化物半导体电阻器也是由所述本地振荡信号控制的。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 如特征B、C所述，对比文件未公开单个混频器内部具有表示不同线性模式的多个路径。因此，也未公开“中等线性模式的第三路径”及其具体配置。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：所述第二线性模式开关是由中等线性模式信号控制的金属氧化物半导体开关。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何由“中等线性模式信号”控制的金属氧化物半导体开关。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：所述多个混频电路被配置为接收差分本地振荡器信号和差分RF输入信号，所述差分本地振荡器信号包括正差分本地振荡器信号和负差分本地振荡器信号，以及所述差分RF输入信号包括正差分RF输入信号和负差分RF输入信号。<br>《直接公开》 | 参见图1、图2及说明书[0019]、[0032]-[0034]。描述了本地振荡器输入部分140、LO缓冲器142、多相滤波器144产生正交LO信号。LNA 101输出差分RF信号。混频器（如112, 212）接收这些差分信号进行操作。 | 对比文件明确公开了接收机使用差分LO信号（例如，通过多相滤波器144产生正交LO）和差分RF输入信号（来自LNA 101和巴伦126）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，差分信号必然包含正和负分量。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：所述多个混频电路包括第一混频电路、第二混频电路、第三混频电路和第四混频电路，所述多个混频电路被配置为将所述差分本地振荡器信号与所述差分RF输入信号进行混频，以生成包括第一频率变换信号、第二频率变换信号、第三频率变换信号和第四频率变换信号的所述多个频率变换信号。<br>《隐含公开》 | 参见图2及说明书[0034]。图2示出了无源混频器212，其包括四个开关M8 270, M9 272, M10 274, M11 276。这些开关由LO信号驱动，对来自缓冲器210的RF电流进行换向（commutation），实现下变频。 | 目标专利的特征J具体限定了四个混频电路及其与差分LO和RF信号极性的特定连接关系，以生成四个指定的频率变换信号。对比文件未明确描述如此具体的四个独立混频电路单元及其与信号极性的——映射关系。然而，对比文件图2公开的无源混频器212包含四个开关（M8-M11），这本质上构成了一个双平衡混频器的核心，其功能正是通过这四个开关单元，将差分LO信号与差分RF信号进行混频，从而产生下变频的输出电流（即频率变换信号）。本领域技术人员熟知，一个完整的双平衡混频功能通常由四个这样的开关单元协同工作来实现。因此，尽管对比文件未以目标专利的精确术语描述，但本领域技术人员从对比文件公开的混频器结构（四个开关单元、接收差分LO和RF信号、进行下变频）可以合理推断，其包含了多个混频电路单元，它们被配置为将差分LO与差分RF信号混频以生成多个频率变换信号。根据宽松的隐含公开标准，技术特征J被隐含公开。 |
| **技术特征K**：所述第一混频电路被配置为将所述正差分本地振荡器信号和正差分RF输入信号进行混频，以生成所述第一频率变换信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未明确描述其混频器中的某个特定开关或电路单元被配置为专门将“正差分LO信号和正差分RF输入信号”进行混频以生成一个指定的“第一频率变换信号”。图2中的开关M8-M11的连接关系未明确到如此具体的信号极性组合。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：所述第二混频电路被配置为将所述负差分本地振荡器信号和正差分RF输入信号进行混频，以生成所述第二频率变换信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 同特征K，对比文件未公开此具体映射关系。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第三混频电路被配置为将所述负差分本地振荡器信号和负差分RF输入信号进行混频，以生成所述第三频率变换信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 同特征K，对比文件未公开此具体映射关系。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第四混频电路被配置为接收所述正差分本地振荡器信号和负差分RF输入信号，以生成所述第四频率变换信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 同特征K，对比文件未公开此具体映射关系。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：所述多个组合电路包括第一组合电路和第二组合电路，所述多个组合电路被配置为生成所述差分基带输出信号的正基带输出信号和负基带输出信号。<br>《隐含公开》 | 参见说明书[0026]及图1。描述了主路径和交替路径的输出被组合（“resulting in signal cancellation”）。虽然未明确图示两个独立的组合电路，但组合功能必然通过某种电路实现。 | 目标专利的特征O具体限定了两个组合电路分别用于生成差分输出的正、负分量。对比文件未明确公开如此具体划分的两个组合电路。然而，对比文件公开了将两个路径的信号进行组合以实现抵消，这隐含了需要某种组合机制。在接收机中，生成差分输出（包含正和负分量）是一种常见做法。本领域技术人员从对比文件公开的“信号组合”概念以及生成最终输出信号的需求出发，有可能推理出可以使用电路来组合信号并产生差分输出（包含正和负基带输出信号）。根据宽松的隐含公开标准，技术特征O被隐含公开。 |
| **技术特征P**：所述第一组合电路被配置为对所述第一频率变换信号和所述第三频率变换信号进行组合，以生成所述正基带输出信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何组合电路对如特征K、M所定义的“第一频率变换信号”和“第三频率变换信号”进行特定组合。因此，技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：所述第二组合电路被配置为对所述第二频率变换信号和所述第四频率变换信号进行组合，以生成所述差分基带输出信号的负基带输出信号。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何组合电路对如特征L、N所定义的“第二频率变换信号”和“第四频率变换信号”进行特定组合。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：所述至少一个混频电路包括：与至少一个压控可变电阻器串联的本地振荡器控制的金属氧化物半导体电阻器。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件中的混频器（如图2的212）由开关晶体管（M8-M11）实现，未提及这些开关是“由本地振荡信号控制的金属氧化物半导体电阻器”，更未提及与“压控可变电阻器”串联的结构。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：所述至少一个压控可变电阻器中的每个被配置成一组可开关的电阻器。<br>《未被公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开“压控可变电阻器”，也未公开其被配置成“一组可开关的电阻器”。因此，技术特征S未被公开。 |
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