本次评估的对比文件名称：2010-04-02_发明专利_JP2010074501A Amplifier circuit and receiving apparatus
目标专利名称：无削减信号包络地提升放大器增益 CN107852138B
调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《未公开》**<br>包括：差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子， | 说明书[2]段：“第２のｎチャネル電界効果トランジスタＭ２は、ゲートが入力電圧Ｖｉｎの端子に接続され、ソースが基準電位ノード（グランド電位ノード）に接続され、ドレインが出力電圧Ｖｏｕｔの端子に接続される。”<br>译：第2 n沟道场效应晶体管M2，其栅极连接到输入电压Vin的端子，源极连接到基准电位节点（地电位节点），漏极连接到输出电压Vout的端子。 | 对比文件公开了单个晶体管（M2）构成放大器级，其栅极（控制端子）连接到输入Vin，漏极（输出端子）连接到输出Vout。然而，目标专利要求保护的是**差分级**，即需要两个晶体管分别处理差分输入和差分输出。对比文件中的放大器是单端输入、单端输出结构，未公开由第一晶体管和第二晶体管构成的差分级。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子 | 未找到相关内容。 | 对比文件的放大器电路（如图1、2所示）是单端结构，仅有一个放大晶体管M2（以及一个共源共栅晶体管M3，见说明书[2]段）。没有公开与M2配对构成差分对的第二晶体管，也没有第二差分输入和输出。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子 | 说明书[2]段：“第１のｎチャネル電界効果トランジスタＭ１は、ドレインが電源電位ノードに接続され、ソースがソース接地型アンプＭ２の出力端子に接続される。”<br>译：第1 n沟道场效应晶体管M1，其漏极连接到电源电位节点，源极连接到源极接地型放大器M2的输出端子。 | 对比文件公开了晶体管M1，其源极（输出端子）连接到放大器晶体管M2的漏极（输出端子），而非M2的栅极（控制端子）。M1与电阻R1、电容C1共同构成有源电感（アクティブインダクタ），作为M2的负载使用，其功能是为放大器提供可调谐的负载阻抗，而非作为偏置晶体管为M2的栅极提供偏置电压/电流。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子 | 未找到相关内容。 | 由于对比文件未公开差分级，不存在第二晶体管，因此也不存在对应的第二偏置晶体管。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E《直接公开》**<br>第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间 | 说明书[2]段：“第１の容量Ｃ１は、第１のｎチャネル電界効果トランジスタＭ１のゲート及びソース間に接続される可変容量である。”<br>译：第1电容C1是连接在第1 n沟道场效应晶体管M1的栅极与源极之间的可变电容器。 | 对比文件明确公开了电容C1连接在晶体管M1的栅极（控制端子）和源极（输出端子）之间。该连接构成了一个反馈路径。在对比文件中，该反馈网络是构成有源电感（アクティブインダクタ）的一部分，用于实现特定的阻抗特性。从结构上看，这与目标专利中“电连接在偏置晶体管的控制端子与输出端子之间的反馈网络”这一技术特征相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间， | 未找到相关内容。 | 对比文件仅公开了针对晶体管M1的一个反馈电容C1。由于未公开第二偏置晶体管，因此也不存在对应的第二反馈网络。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。 | 说明书[2]段：“第１の容量Ｃ１は、第１のｎチャネル電界効果トランジスタＭ１のゲート及びソース間に接続される可変容量である。”<br>译：第1电容C1是连接在第1 n沟道场效应晶体管M1的栅极与源极之间的可变电容器。 | 对比文件仅公开了针对晶体管M1的一个电容性反馈电路（C1）。未公开针对第二偏置晶体管的电容性反馈电路。因此，技术特征G中关于“每个包括电容性反馈电路”的要求未被满足，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。 | 未找到相关内容。 | 目标专利的发明点在于，通过在偏置晶体管上施加反馈网络来**改变（减小）其跨导**，从而提升差分级的增益，同时避免信号削波。对比文件中，电容C1反馈网络的主要目的是与M1、R1共同形成有源电感，作为放大晶体管M2的可调负载，其目标是实现输入阻抗和增益的宽频带控制，且不依赖于频率（参见说明书[2]段）。对比文件未描述该反馈网络用于改变M1本身的跨导，也未提及通过改变偏置晶体管的跨导来提升放大器增益。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。 | 未找到相关内容。 | 同技术特征H的论述，对比文件未提及反馈网络用于减小偏置晶体管的跨导。其作用机理和目的与目标专利不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。 | 说明书[2]段：“第２のｎチャネル電界効果トランジスタＭ２は、ゲートが入力電圧Ｖｉｎの端子に接続され、ソースが基準電位ノード（グランド電位ノード）に接続され、ドレインが出力電圧Ｖｏｕｔの端子に接続される。”<br>译：第2 n沟道场效应晶体管M2，其栅极连接到输入电压Vin的端子，源极连接到基准电位节点（地电位节点），漏极连接到输出电压Vout的端子。 | 对比文件公开了晶体管M2是N型（n沟道）器件，且其输出端子（连接到Vout）是漏极。然而，目标专利要求的是差分对中的两个晶体管都是N型且输出端子为漏极。对比文件仅公开了单个晶体管M2，未公开构成差分对的第二晶体管。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。 | 说明书[2]段：“第１の容量Ｃ１は、第１のｎチャネル電界効果トランジスタＭ１のゲート及びソース間に接続される可変容量である。”<br>译：第1电容C1是连接在第1 n沟道场效应晶体管M1的栅极与源极之间的可变电容器。 | 对比文件公开了电容C1是可变电容器（可変容量）。但仅针对第一反馈网络（假设M1对应第一偏置晶体管），未公开第二反馈网络及其可变电容器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。 | 说明书[2]段：“トランジスタＭ１の相互コンダクタンスをｇｍ、トランジスタＭ１のゲート−ソース間容量をＣｇｓとすると、...”<br>译：设晶体管M1的跨导为gm，晶体管M1的栅源间电容为Cgs，... | 对比文件在电路分析中提到了晶体管M1的栅源电容Cgs（寄生电容），并将其作为有源电感阻抗计算公式（公式5）中的一个参数。然而，这属于晶体管固有的寄生参数，在电路分析中被考虑，并非如目标专利所要求的那样，作为**反馈网络的组成部分**被明确“包括”。目标专利说明书强调了反馈网络可“包括寄生电容”（如说明书[0011]段），而对比文件并未将寄生电容描述为反馈网络的一个设计要素或组成部分。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大，其中C是所述电容器的电容并且C_par是所述第一晶体管的寄生电容。 | 未找到相关内容。 | 目标专利的该特征明确限定了通过特定因子 (1 + C/C_par) 来增大跨导（实为减小偏置晶体管跨导以提升差分增益）。对比文件完全没有公开这样的技术手段、公式或效果。对比文件中电容C1的作用是构成有源电感，其效果体现在负载阻抗ZL和最终增益Gm*Zout上，而非直接以所述公式来改变M1的跨导以实现增益提升。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。 | 说明书[2]段：“受信回路３００は、高周波用低雑音増幅回路３０２、電圧制御発振器３０３、ミキサ３０４、フィルタ３０５及びベースバンド回路３０６を有する。”<br>译：接收电路300具有高频低噪声放大电路302、电压控制振荡器303、混频器304、滤波器305和基带电路306。 | 对比文件图3及相应描述公开了放大电路302后面连接有混频器304。然而，目标专利要求混频器电路电连接到**差分输入**，功率放大器电连接到**差分输出**。首先，对比文件的放大电路302是单端输入（来自天线301），并非差分输入。其次，对比文件未提及功率放大器（Power Amplifier），其放大电路302的输出是连接到混频器304进行下变频，而非驱动功率放大器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。 | 说明书[2]段：“バッファ回路２０２は、ｎチャネル電界効果トランジスタ２１１及び電流源２１２を有する。”<br>译：缓冲电路202具有n沟道场效应晶体管211和电流源212。 | 对比文件图2公开了电流源212，但其是为缓冲电路202中的晶体管211提供偏置电流，而非为目标专利中差分放大器的第一晶体管（或第二晶体管）设置DC操作点。对比文件未示出为放大晶体管M2（或M3）设置DC操作点的专用电流源。因此，该技术特征未被公开。 |
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