**对比文件名称**：1997-09-16_发明授权_US5668468A Common mode stabilizing circuit and method
**目标专利名称**：无削减信号包络地提升放大器增益 CN107852138B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子，<br>**《未公开》** | 对比文件图6示出了晶体管Q3和Q4。Q3的基极（控制端子）接收输入电流I1+，其集电极（输出端子）连接到节点Vout1（第一差分输出）。 | 对比文件公开了一个跨导级（transconductance stage），其包含晶体管Q3。Q3的基极接收输入信号（I1+），集电极输出信号（Vout1）。然而，该电路在对比文件中的作用是作为“transconductance stage”或“current gain block”（参见说明书第6段），用于将输入电流转换为电压，其核心功能是提供跨导增益并与共模稳定电路（M1, M2, RL）配合工作，而非作为目标专利中定义的、用于放大差分电压信号的“差分级”。二者在电路中的角色和功能目的不同。因此，对比文件未公开目标专利中具有特定放大功能的“差分级”及其第一晶体管。 |
| **技术特征B**：所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子<br>**《未公开》** | 对比文件图6示出了晶体管Q4。Q4的基极（控制端子）接收输入电流I1-，其集电极（输出端子）连接到节点Vout2（第二差分输出）。 | 同理，对比文件虽然公开了包含Q3和Q4的对称输入对，但其整体构成一个跨导输入级，用于驱动后续的共模稳定电路（M1, M2, RL），其目的并非独立构成一个差分放大器级。其输出Vout1和Vout2是作为共模稳定电路的输入检测点。这与目标专利中作为核心放大单元的“差分级”在电路架构和功能上存在本质区别。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子<br>**《隐含公开》** | 对比文件图6示出了晶体管M1。M1的源极（输出端子）通过负载电阻RL连接到晶体管Q3的基极（控制端子）。说明书第4段描述：“Vcm is sampled between load resistors RL and applied directly to the gates of MOSFETs M1 and M2.” | 在对比文件图6中，晶体管M1的源极通过电阻RL连接到Q3的基极。虽然存在一个中间电阻RL，但从电路连接关系上看，M1的输出端子（源极）通过导电路径（包括RL）连接到了Q3的控制端子（基极）。本领域技术人员可以理解，电阻RL是负载电阻，用于建立输出电压，其存在并不改变M1的输出端子最终与Q3的控制端子实现电连接以提供偏置或稳定功能的事实。因此，可以合理推断出对比文件隐含公开了“第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子<br>**《隐含公开》** | 对比文件图6示出了晶体管M2。M2的源极（输出端子）通过负载电阻RL连接到晶体管Q4的基极（控制端子）。 | 与特征C同理，M2的输出端子（源极）通过负载电阻RL连接到Q4的控制端子（基极）。本领域技术人员可以毫无疑义地理解这种连接关系构成了电连接。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E**：第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间<br>**《未公开》** | 对比文件图6中，晶体管M1的栅极（控制端子）连接到共模参考电压Vcm，其源极（输出端子）连接到电阻RL和Q3的基极。从M1的栅极到源极之间存在一条路径：栅极 -> Vcm节点 -> RL -> 源极。说明书第4段描述：“Vcm is sampled between load resistors RL and applied directly to the gates of MOSFETs M1 and M2.” | 对比文件中，M1的栅极接收外部提供的固定参考电压Vcm，而Vcm是从两个负载电阻RL之间的节点“采样”（sampled）得到的。从M1栅极到源极的路径并非一个旨在提供反馈以改变M1自身特性的“反馈网络”。该路径是用于将采样到的共模电压施加到M1栅极，从而使M1作为一个受控电流源/可变电阻来稳定输出节点的共模电压。其作用原理是开环控制（直接施加参考电压），而非通过连接在M1自身控制端和输出端之间的反馈网络来形成闭环反馈以改变其跨导。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：以及第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间，<br>**《未公开》** | 对比文件图6中，晶体管M2的栅极（控制端子）连接到共模参考电压Vcm，其源极（输出端子）连接到电阻RL和Q4的基极。存在从M2栅极经Vcm节点和RL到源极的路径。 | 理由同特征E。M2栅极接收固定的Vcm，该电压来源于输出共模电压的采样。但这并非一个连接在M2自身控制端和输出端之间的、用于改变其自身参数的反馈网络。其目的是共模电压稳定，而非构成目标专利中定义的、用于减小偏置晶体管跨导的反馈网络。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。<br>**《未公开》** | 对比文件全文及所有附图均未提及或示出任何电容器或电容性反馈元件。 | 对比文件的核心是使用电阻RL采样共模电压并直接控制MOSFET的栅极来实现稳定，其反馈路径是纯电阻性的（通过RL），或者更准确地说，是利用了晶体管本身的跨导特性进行电压控制，并未引入任何电容性元件。目标专利明确要求反馈网络“包括电容性反馈电路”，这是其实现跨导减小、提升增益而不移动DC工作点的关键。对比文件完全没有公开这一技术特征。 |
| **技术特征H**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。<br>**《未公开》** | 对比文件说明书第4段描述了M1和M2的电流与尺寸、跨导常数K‘等参数的关系（公式3），表明其跨导是固有的，并用于设定Vcm。 | 在对比文件中，晶体管M1和M2的跨导是其固有的器件参数，用于根据公式(3)设定共模电压Vcm。电路并不旨在“改变”M1和M2的跨导。相反，其依赖于M1和M2具有确定且匹配的跨导来稳定工作点。目标专利的反馈网络是主动用于“改变”跨导以作为提升增益的手段，二者目的和作用机理完全不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。<br>**《未公开》** | 同上，对比文件未提及减小M1、M2跨导的内容。其工作依赖于M1、M2的跨导。 | 目标专利的核心创新点之一就是通过反馈网络（特别是电容反馈）来“减小”偏置晶体管的跨导，从而提升差分级的增益。对比文件的电路既无此类反馈网络，也无此目的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。<br>**《直接公开》** | 对比文件图6示出了晶体管Q3和Q4，并标注为NPN晶体管（双极型）。其输出端子为集电极。说明书第5段提及：“if the stage which follows is bipolar, it would be desirable... Bipolar transistors Q1 and Q2 may be used in place of MOS devices M1 and M2...” | 目标专利权利要求J限定了第一、第二晶体管是N型晶体管器件，输出端子是漏极。对比文件图6中的Q3、Q4是NPN双极晶体管，其输出端子是集电极。在半导体领域，双极晶体管的集电极和场效应管的漏极在电路中均承担输出电流/信号的功能，是本领域公认的对应输出端子。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，对比文件公开的NPN晶体管Q3、Q4及其集电极端子，与目标专利中“N型晶体管器件”及其“输出端子”（即漏极）在电路功能上是等同的。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及任何电容器，更不用说可变电容器。 | 由于特征G（电容性反馈电路）本身未被公开，其进一步限定的“可变电容器”特征自然也未被公开。对比文件电路不包含任何电容性元件。 |
| **技术特征L**：其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及利用偏置晶体管（M1、M2）的寄生电容作为反馈网络的一部分。 | 目标专利说明书中提到，反馈网络可以包括偏置晶体管的寄生电容（C_par）。对比文件虽然M1、M2作为晶体管必然存在寄生电容，但说明书和附图均未描述或暗示将这些寄生电容作为反馈网络的有意组成部分来利用。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子 (1 + C/C_par) 被增大，其中C是所述电容器的电容并且C_par是所述第一晶体管的寄生电容。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开任何连接在偏置晶体管控制端和输出端之间的电容器，也未提及通过电容反馈来按特定公式增大跨导或增益。 | 该特征包含了具体的电路连接（电容器）和精确的增益提升公式。对比文件完全没有公开这些内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及混频器电路或功率放大器。 | 对比文件公开的电路是一个独立的共模稳定电路，可以用于各种场合（如图6的跨导级，图7的自动增益控制电路），但并未具体公开其与混频器电路和功率放大器连接构成完整系统。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。<br>**《隐含公开》** | 对比文件图6中，电流源Icm连接在M1和M2的源极与地之间。说明书第4段描述：“The known common mode current Icm is accepted by each transistor...”。此外，输入级Q3、Q4由电流源It提供偏置（It在图6左侧，连接至Q3、Q4的发射极）。 | 在对比文件图6中，共模电流Icm流经M1和M2，这实际上为M1和M2（即偏置晶体管）设定了静态工作电流，从而设置了它们的DC操作点。虽然Icm是一个共享电流源，但它为M1和M2共同提供了偏置电流，本领域技术人员可以理解，这等效于为每个偏置晶体管设定了DC操作点。同时，为差分输入对Q3、Q4提供偏置的电流源It，也设置了Q3、Q4（即第一、第二晶体管）的DC操作点。因此，对比文件隐含公开了使用电流源来设置第一、第二晶体管以及偏置晶体管的DC操作点这一技术特征。 |
<<<J>>><<<c>>><<<d>>><<<o>>>