对比文件名称：2006-10-26_发明申请_US20060238267A1 Zoned thermal monitoring
目标专利名称：170时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
模型名称：专利创造性评估模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：从传感器接收区的温度测量值《直接公开》 | [0020] “The temperature calculated for each RO is a function of the temperature reported by the thermal sensing device 130, the RO frequency and the CRO frequency.”；[0025] “The TCC periodically evaluates the temperature of each of the RO's and the CRO.” | 对比文件明确公开了温度计算电路(TCC)接收来自热传感设备130（一种温度传感器）报告的温度，以及各个环形振荡器(RO)和参考环形振荡器(CRO)的振荡频率（用于计算温度）。这直接对应于“从传感器接收区的温度测量值”。 |
| B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能《隐含公开》 | [0021] “the calibration factors may also reflect the power consumed by the integrated circuit.”；[0026] “the calibration factor will cause a higher temperature to be reported for a local hot spot in a high power consumption chip, as compared to the same oscillator and hot spot in a lower power consumption chip.”；[0026] “power is easily measured on automatic test equipment” | 对比文件明确提到了功耗(power consumed)被用于校准因子的确定。功耗是装置活动（如晶体管开关，即电流流动或性能活动）的直接结果。本领域技术人员能够理解，要确定功耗（无论是通过测量还是估算），必然涉及对导致功耗的装置“活动”（例如电流流动、晶体管开关活动等性能指标）的测量或知晓。因此，测量活动（其结果是功耗）这一特征被对比文件隐含公开。 |
| C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量《未公开》 | 无相关描述 | 对比文件全文未提及任何通过“高速缓存未命中数量”或“管线暂停数量”来测量或确定性能的内容。其提及的功耗校准是基于工艺角（process corner）和电压，而非此类具体的性能计数器。 |
| D：将所测量的活动转化为所述区的功率《隐含公开》 | [0021] “the calibration factors may also reflect the power consumed by the integrated circuit.”；[0026] “power is easily measured on automatic test equipment, tables generated by the thermal simulation can be used to obtain the calibration offset, once the power is known” | 对比文件公开了校准因子反映了集成电路的功耗，并且功耗可以在制造测试时被测量。虽然对比文件没有明确描述一个将“活动测量值”实时转换为“区功率”的步骤，但其校准过程已经隐含了“功耗”这一概念。本领域技术人员知晓，装置的活动（如电流、性能）是功耗的直接原因。在已知活动或通过活动可推断功耗的前提下，将“活动”信息用于确定或“转化”为“功率”信息（无论是通过测量、查表还是模型计算），是本领域的常规技术手段。因此，该特征被隐含公开。 |
| E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移《直接公开》 | [0020] “Calibration factors are provided to calibrate the temperature reported by the thermal sensing device 130. In addition, calibration factors are provided to calibrate each of the ROs to account for inaccuracies... That temperature difference is based on the distance of the RO from the local hot spot as well as the power used by the integrated circuit.”；[0025] 公式 T(ro)=(((P(ro)-P(cro))/P(cro))*(RoConst+T(ts)+F(ro) 及对F(ro)的解释 | 对比文件明确公开了使用存储的校准因子（如F(ro)、RoConst）来解释（即用于计算）各个RO区域的温度。这些校准因子考虑了该RO到局部热点的距离以及集成电路的功耗（即“功率”）。这些校准因子的作用就是用于导出对原始温度读数（基于RO和CRO频率计算得到）的偏移（F(ro)本身就是一个偏移值），从而得到更准确的温度报告。这直接对应于“通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率来导出温度偏移”。 |
| F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值《直接公开》 | [0025] 温度计算公式 T(ro)=(((P(ro)-P(cro))/P(cro))*(RoConst+T(ts)+F(ro)，其中F(ro)即为温度偏移。 | 对比文件公开的温度计算公式中，最终报告的温度T(ro)明确包含了基于存储的校准因子F(ro)（即温度偏移）的调节。计算出的T(ro)本身就是经过偏移调节后的温度测量值。因此，该技术特征被直接公开。 |
| G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率《未公开》 | 无相关描述 | 对比文件中存储的校准参数（如F(ro)）是用于温度计算的偏移值或常数，其确定过程可能考虑了功耗和距离，但参数本身并非“与温度差匹配的所估计的功率”这种形式。说明书未公开一种存储了将“所估计的功率”与“温度差”直接匹配的参数表或模型。 |
| H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率《未公开》 | 无相关描述 | 对比文件中存储的校准参数（如F(ro)、RoConst）是用于计算绝对温度T(ro)的因子，但参数本身并非“与绝对温度匹配的所估计的功率”这种形式。说明书未公开一种存储了将“所估计的功率”与“绝对温度”直接匹配的参数表或模型。 |
| I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关《隐含公开》 | [0021] “That temperature difference is based on the distance of the RO from the local hot spot as well as the power used by the integrated circuit.”；[0022] 描述了FPU区域因大量晶体管开关而成为热点。 | 对比文件提及功耗用于校准，而功耗的产生源于集成电路中晶体管的开关活动，这必然涉及电流的流动。虽然未明确提及“电源开关”，但晶体管开关本质上是控制电流通断的元件。本领域技术人员能够理解，测量或知晓导致功耗的“活动”，自然包括知晓电流流动（穿过作为开关的晶体管）这一基本物理过程。因此，该限定被隐含公开。 |
| J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能《隐含公开》 | [0021] “the calibration factors may also reflect the power consumed by the integrated circuit.”；[0022] “floating point unit (FPU) 203... will have a high number of transistors switching as compared to the cache and thus will be a hot spot”。 | 对比文件明确指出，校准因子反映了集成电路的功耗，并且特定功能单元（如FPU）因其更高的晶体管开关活动（即更高的性能活动水平）而成为热点。因此，所测量的“活动”实质上包括了基于装置（如FPU）性能（即其开关活动水平）的信息。该特征被隐含公开。 |
| K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的《未公开》 | 无相关描述 | 对比文件全文未提及使用“性能计数器”来测量或确定装置的性能或活动。其提到的功耗测量是通过自动测试设备(ATE)在制造阶段进行的，而非通过芯片上的性能计数器实时监测。 |
| L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的《未公开》 | [0026] “power is easily measured on automatic test equipment” | 对比文件提及功耗是通过自动测试设备(ATE)测量的，这是一种外部测试设备，并非目标专利中所述的集成在芯片上的“数字功率监测器/计量器”。对比文件未公开使用片上的数字功率监测器来实时测量活动并转换为功率。 |
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