对比文件名称：2013-07-04_发明申请_US20130169347A1 Temperature Management Circuit, System on Chip Including the Same and Method of Managing Temperature
目标专利名称：170时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
模型名称：GPT-4
根据目标专利说明书，其核心在于通过功率监测器（如数字功率监测器/计量器）测量SoC特定区域（区）的活动，将活动转换成功率，并利用存储的热量模型参数（如与温度差或绝对温度匹配的估计功率）来解释该功率或活动，从而导出温度偏移，最终基于该温度偏移来校正温度传感器的原始测量值，以补偿传感器因位置等原因导致的测量误差。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 从传感器接收区的温度测量值** <br>《直接公开》 | 说明书[0008]段：“... a main temperature signal is generated using a main sensor, where the main temperature signal is a signal having a value corresponding to a main temperature of the SOC. Subsidiary temperature signals are generated using subsidiary sensors, where the subsidiary temperature signals are pulse signals having frequencies corresponding to subsidiary temperatures of subsidiary blocks in the SOC, respectively.” <br> 说明书[0072]段：“... The temperature management unit 100 generates temperature information of the SOC 10 based upon the main temperature signal SMT and the subsidiary temperature signals SPi... The temperature information may be stored in the temperature management unit 100 and may be provided to a processor in the SOC 10.” | 对比文件明确公开了使用主传感器和多个子传感器来生成温度信号，这些信号对应于SoC的整体温度和各子块的温度。温度管理单元基于这些信号生成温度信息并提供给处理器。因此，处理器（或类似控制器）从传感器接收“区”（即子块）的温度测量值这一技术特征被直接公开。 |
| **B: 测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能** <br>《隐含公开》 | 说明书[0153]段：“... The subsidiary sensor 310 may include a ring oscillator... The ring oscillator has an operational speed proportional to the subsidiary temperature of a corresponding subsidiary block to output a temperature signal SPi.” <br> 说明书[0154]-[0158]段：描述了环形振荡器中反相器的操作速度与温度成正比，其频率输出与温度相关。 | 目标专利中，“区的活动”具体化为电流或装置性能，并最终用于估计功率。对比文件中，子传感器（如环形振荡器）的输出频率与对应子块的温度成正比。本领域技术人员公知，SoC中特定功能块（区）的温度变化主要由其功耗（即活动水平，如电流消耗、计算性能）引起。因此，通过测量与温度相关的频率（即温度信号），实质上是在间接测量或反映该区的“活动”水平（包括电流和性能导致的产热）。这是一种隐含的、基于物理原理的公开。 |
| **C: 所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量** <br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件完全没有提及任何基于高速缓存未命中数量或管线暂停数量来确定性能或活动的方法。该特征是目标专利中定义性能测量的一种具体实施方式，在对比文件中没有记载。 |
| **D: 将所测量的活动转化为所述区的功率** <br>《隐含公开》 | 说明书[0153]段：“... The ring oscillator has an operational speed proportional to the subsidiary temperature of a corresponding subsidiary block to output a temperature signal SPi.” <br> 说明书[0181]-[0186]段：描述了根据子温度计数值和参考计数值计算子块温度频率(Fj)和温度值(Tj)的公式（表达式2-4）。 | 对比文件公开了将子传感器的脉冲频率（对应温度）量化为计数值，并通过与参考信号比较来计算具体的子块温度值（表达式4）。本领域技术人员理解，SoC区域的温度是其功耗（功率）的函数。因此，从测量的温度相关频率推导出温度值的过程，隐含了将反映“活动”的温度信号“转化”为了一个与“功率”消耗直接相关的物理量（温度）。虽然对比文件没有明确使用“功率”一词，但根据热力学基本原理，温度是功率耗散的结果，这种转化关系是隐含的。 |
| **E: 通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移** <br>《未公开》 | 说明书[0095]段：“... After the SOC is integrated, calibration information for correcting errors in real temperature measurement may be obtained through test operations and the calibration information may be stored in the EFROM 600. For example, temperature threshold values for detecting the variation of temperature as will be described below may be corrected based upon the stored calibration information.” <br> 说明书[0181]-[0186]段：通过表达式2-4计算温度值，其中包含通过实验确定的常数b1、c1、c2。 | 对比文件提到了存储用于校正温度测量误差的“校准信息”以及通过实验确定计算温度公式中的常数。然而，这些“校准信息”或常数是用于直接从传感器读数计算绝对温度或温差，而不是目标专利中定义的“热量模型参数”——即**预先存储的、将估计功率与温度差或绝对温度进行匹配的参数集合**（见目标专利图7，框712）。目标专利的核心“解释”步骤是将实时功率或活动与这些预先存储的模型参数进行匹配以导出“温度偏移”（校正值ΔTcorr）。对比文件缺乏这种“匹配存储模型”以导出“偏移校正值”的构思和具体实施方式。 |
| **F: 以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值** <br>《未公开》 | 说明书[0008], [0090]段：提及基于温度信号控制SOC的操作（如控制功率供应电压或操作频率）。 <br> 说明书[0102]段：“The processor 400 may control at least one of the overall operations of the SOC 20 and the respective operations of the subsidiary blocks BLKi by executing the interrupt service routine ISR based upon the subsidiary temperature signals SPi and the detected variation of the main temperature.” | 对比文件公开了基于测量的温度信息（主温和子块温度）来“控制”或“调节”SoC或其子块的操作参数（如电压、频率），这是一种热管理动作。但目标专利的“调节所述温度测量值”特指对传感器原始的、有误差的读数进行校正，以得到更精确的温度值（TSENScorr = TSENSraw + ΔTcorr）。对比文件没有公开这种对温度传感器原始读数本身进行校正以输出更准确温度值的过程。其控制对象是操作参数，而非温度测量值。 |
| **G: 其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率** <br>《未公开》 | 无相关描述。 | 如特征E所述，对比文件没有公开“所存储的热量模型参数”这一概念，更未提及该参数包含“与温度差匹配的所估计的功率”。 |
| **H: 其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率** <br>《未公开》 | 无相关描述。 | 如特征E所述，对比文件没有公开“所存储的热量模型参数”这一概念，更未提及该参数包含“与绝对温度匹配的所估计的功率”。 |
| **I: 其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关** <br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未提及通过测量流经电源开关的电流来作为活动测量的一部分。 |
| **J: 其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能** <br>《隐含公开》 | 同特征B的引用。子传感器输出频率与子块温度相关，而子块温度由其活动（性能）导致。 | 此特征是对特征B中“装置的性能”的进一步限定。如特征B论述，对比文件中子传感器测量的温度相关频率，间接反映了对应子块（即装置的一部分）由于其运行“性能”而产生的热活动。因此，该特征被隐含公开。 |
| **K: 其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的** <br>《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未提及使用“性能计数器”（如用于计数高速缓存未命中、管线暂停的硬件计数器）来确定性能测量值。 |
| **L: 其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的** <br>《未公开》 | 说明书[0069]段：“... by implementing the one main sensor with a digital sensor and the other subsidiary sensors with pulse sensors...” | 对比文件用于测量温度相关活动（通过温度间接反映）的装置是“脉冲传感器”（如环形振荡器）和“数字（温度）传感器”。这些是温度传感器，而非目标专利中专门用于直接或间接测量功率的“数字功率监测器/计量器”。两者在测量对象（温度 vs. 功率/活动）和目的上存在本质区别。 |
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