对比文件的名称：2005-09-29_发明专利_JP2005269832A Temperature-detecting device and program for temperature detection
目标专利的名称：170时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
本次调用的模型名称：gpt-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 从传感器接收区的温度测量值**<br>《直接公开》 | [2] “半導体素子温度検出部８は、…水温センサ９から送出された温度検出信号による冷却水温、…を用いて各ＩＧＢＴの温度をそれぞれ演算する。”<br>（半导体元件温度检测部8使用从水温传感器9发送的温度检测信号得到的冷却水温…来计算各IGBT的温度。） | 对比文件公开了从传感器（水温传感器9）接收温度测量值（冷却水温Tw）。该测量值被用作计算半导体元件（即“区”）温度的输入参数之一。该作用与目标专利中从传感器接收温度测量值以用于后续处理的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **B. 测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能**<br>《直接公开》 | [2] “Ｕ相電流センサ２は、半導体モジュールのＵ相に流れる電流を検出し、…。Ｖ相電流センサ３は、…。Ｗ相電流センサ４は、…。”<br>（U相电流传感器2检测流经半导体模块U相的电流…。V相电流传感器3…。W相电流传感器4…。）<br>[2] “直流電圧センサ１は、半導体モジュールの各相に印加される直流電圧を検出し、…”<br>（直流电压传感器1检测施加于半导体模块各相的直流电压…） | 对比文件明确公开了通过电流传感器测量流经半导体模块（即包含功率开关的装置）各相的电流。测量电流属于“活动”的一种具体形式（电流流动）。该测量活动用于后续计算功率消耗，作用与目标专利相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **C. 所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量**<br>（未被公开） | 对比文件全文未提及高速缓存、管线暂停或任何处理器性能计数器。 | 对比文件涉及的是电力电子领域（如IGBT模块）的温度检测，其测量的“活动”仅为电参数（电流、电压、占空比），完全不涉及目标专利说明书所描述的基于处理器架构的性能指标（如高速缓存未命中、管线暂停）。本领域技术人员无法从对比文件得出或推理出该技术特征。 |
| **D. 将所测量的活动转化为所述区的功率**<br>《直接公开》 | [2] “発熱（損失）モデル１０は、ＩＧＢＴで発生する熱量、すなわち、ＩＧＢＴの損失を算出する処理を行う。”<br>（发热（损失）模型10执行计算IGBT产生的热量，即IGBT损失的处理。）<br>[2] “発熱量Ｐ［Ｗ］は、半導体モジュールの各相に流れる電流値、半導体モジュールにかかる直流電圧値、各ＩＧＢＴの駆動情報、…に基づいて以下のように算出される。”<br>（发热量P[W]基于流经半导体模块各相的电流值、施加于半导体模块的直流电压值、各IGBT的驱动信息…如下计算。） | 对比文件明确公开了将测量到的活动（电流、电压、开关驱动信息）通过“发热（损失）模型”计算转化为特定区域（每个IGBT）的功率消耗（发热量P，单位为瓦特）。该转化过程及作用与目标专利完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **E. 通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移**<br>《直接公开》 | [2] “上式（３）に含まれるコレクタ−エミッタ間電圧Ｖ ce0について、半導体素子温度…の関数として表すと次式（４）のようになる。この式は…あらかじめ半導体素子温度検出部８内のメモリに格納されている。”<br>（关于上式(3)中包含的集电极-发射极间电压Vce0，表示为半导体元件温度…的函数，如下式(4)所示。该式…预先存储在半导体元件温度检测部8内的存储器中。）<br>[2] “熱抵抗［℃/Ｗ］は、モータ５の回転数…に応じた値を用いる。…半導体素子温度検出部８には、…熱抵抗Ｒ１があらかじめ実測され、実測データがメモリ…に格納されている。”<br>（热阻[℃/W]使用根据电机5转速…的值。…半导体元件温度检测部8中，…热阻R1预先通过实测获得，实测数据存储在存储器…中。）<br>[2] “半導体素子温度検出部８は、次式（８）…により、発熱量Ｐ［Ｗ］によって生じる温度差ΔＴ' j ［℃］を算出する。”<br>（半导体元件温度检测部8通过下式(8)…计算出发热量P[W]产生的温度差ΔT'j[℃]。） | 对比文件公开了使用预先存储在存储器中的模型参数（如计算Vce0、Vce(sat)、Esw(sat)的系数，以及热阻值R）来解释计算出的功率（发热量P），从而导出一个温度差值（ΔT'j，即冷却水温与IGBT温度之间的差）。该“温度差”对应于目标专利中的“温度偏移”。其作用均是使用模型将功率信息映射为温度信息。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **F. 以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。**<br>《隐含公开》 | [2] “半導体素子温度検出部８は、水温センサ９による水温Ｔ w ［℃］と、…得た上記温度上昇ΔＴ j ［℃］とを次式（１０）のように加算し、温度検出の対象とするＩＧＢＴの温度Ｔ j ［℃］を得る。”<br>（半导体元件温度检测部8将水温传感器9的水温Tw[℃]与…得到的上述温度上升ΔTj[℃]如下式(10)相加，得到作为温度检测对象的IGBT的温度Tj[℃]。） | 对比文件并未直接描述对某个原始温度传感器读数进行“调节”。然而，它公开了基于计算出的温度偏移（ΔTj，由模型和功率导出）与一个基准温度测量值（冷却水温Tw）相结合，来最终确定目标区的温度（Tj）。这一过程在广义上可以理解为利用模型导出的偏移信息来“调节”或“修正”对目标区的温度认知。本领域技术人员有可能从“使用模型输出（偏移）与一个测量值结合得到最终温度”这一操作，推理出“基于偏移调节测量值”的概念。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **G. 其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。**<br>《直接公开》 | [2] “熱抵抗モデル１１は、…発熱量Ｐ［Ｗ］と冷却システムの熱抵抗Ｒ［℃/Ｗ］とを用いて、…温度差ΔＴ' j ［℃］を算出する。”<br>（热阻模型11使用…发热量P[W]和冷却系统的热阻R[℃/W]来计算…温度差ΔT'j[℃]。）<br>[2] “ΔＴ' j ［℃］＝Ｒ［℃/Ｗ］×Ｐ［Ｗ］” （式(8)） | 对比文件明确公开了所存储的热量模型参数——热阻R，其单位是℃/W，定义了功率（P）与温度差（ΔT'j）之间的直接匹配关系（ΔT'j = R × P）。这完全对应于技术特征G中“与温度差匹配的所估计的功率”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **H. 其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。**<br>《隐含公开》 | [2] “コレクタ−エミッタ間電圧Ｖ ce0について、半導体素子温度（すなわち、温度検出の対象とするＩＧＢＴの温度）の関数として表すと次式（４）のようになる。…あらかじめ…メモリに格納されている。”<br>（关于集电极-发射极间电压Vce0，表示为半导体元件温度（即作为温度检测对象的IGBT的温度）的函数，如下式(4)所示。…预先…存储在存储器中。）<br>公式(4): Vce0 = k2 * Tj + k3 （其中Tj为IGBT的绝对温度）<br>该Vce0用于计算功率损失P。 | 对比文件存储的模型参数（如公式(4)中的系数k2, k3）定义了半导体元件电特性参数（Vce0）与绝对温度（Tj）的函数关系。由于电特性参数直接参与功率（发热量P）的计算，因此这些存储的参数间接建立了“所估计的功率”与“绝对温度”之间的匹配关系（功率计算依赖于温度）。虽然这种匹配不如特征G中的直接（R×P），但本领域技术人员可以理解，存储的用于描述电特性随温度变化的参数，其目的正是为了在功率计算中考虑温度的影响，从而隐含了功率与绝对温度之间的匹配关系。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I. 其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。**<br>《直接公开》 | [2] “６つの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）…によって半導体モジュールが構成されている。”<br>（半导体模块由六个绝缘栅双极晶体管（IGBT）…构成。）<br>[2] “Ｕ相電流センサ２は、半導体モジュールのＵ相に流れる電流を検出し…”<br>（U相电流传感器2检测流经半导体模块U相的电流…） | 对比文件中的半导体模块由IGBT构成，IGBT本身就是电源开关。而测量的电流正是流经这些IGBT（电源开关）的电流。因此，“测量电流流动穿过电源开关”这一技术特征被对比文件直接公开。 |
| **J. 其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。**<br>（未被公开） | 对比文件全文未提及基于处理器、CPU或SoC等“装置的性能”来测量活动。其活动测量仅限于电参数（电流、电压）和开关状态信息。 | 目标专利中“装置的所述性能”特指如高速缓存未命中、管线暂停等处理器微架构层面的性能指标。对比文件完全不涉及此类概念，其应用场景（电力转换与电机驱动）和技术领域与目标专利（SoC热管理）不同。本领域技术人员无法从对比文件得出或推理出基于处理器性能测量活动的技术特征。 |
| **K. 其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。**<br>（未被公开） | 对比文件全文未提及任何形式的“性能计数器”。 | 同特征C、J，对比文件的技术方案不涉及使用性能计数器。该特征未被公开。 |
| **L. 其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。**<br>《直接公开》 | [2] “発熱（損失）モデル１０は、…ＩＧＢＴの損失を算出する処理を行う。”<br>（发热（损失）模型10执行计算IGBT损失的处理。）<br>结合电流传感器、电压传感器的测量信号，以及驱动信息，在半导体元件温度检测部8中进行数字计算以得到功率（损失）。 | 对比文件虽然没有明确使用“数字功率监测器/计量器”这一术语，但其系统通过传感器获取模拟信号（可经ADC转换），并由处理单元（半导体元件温度检测部8）根据这些数字化的输入信息执行计算模型，从而得到功率消耗值。这一功能实体（传感器+处理单元执行的模型计算）在作用上等同于目标专利中“数字功率监测器/计量器”所执行的“活动的测量以及功率转换”功能。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地认定该技术特征被直接公开。 |
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