对比文件的名称：2002-11-29_发明专利_JP2002345147A Motor controller
目标专利的名称：时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括：从传感器接收区的温度测量值《未公开》 | 对比文件未记载从传感器接收“区”的温度测量值。其通过模型计算温度，而非从物理传感器接收。 | 目标专利的“从传感器接收区的温度测量值”是指从物理温度传感器（如热敏电阻器）获取测量值。对比文件中，内部温度Ti和表面温度Ts是通过热模型基于电流等参数计算得出的（参见[0026]、[0029]-[0032]），并未使用物理温度传感器来测量这些温度。因此，对比文件没有公开此特征。 |
| 技术特征B：测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能，《隐含公开》 | 【0018】「マイクロプロセッサ７は、電流検出器９、１０から変換器１１を介して電流Ｉを取込むことにより発熱量Ｑｍを計算することができる。」（微处理器7可以通过转换器11从电流检测器9、10获取电流I来计算发热量Qm。） | 目标专利中，“测量所述区的活动”包括测量电流或装置性能。对比文件公开了测量流过电机的电流I（参见[0018]），并将其用于计算发热量。测量电流属于“测量活动”的一种具体形式。虽然对比文件未涉及“装置的性能”（如CPU性能），但其公开了“测量活动”概念下的电流测量部分。因此，本领域技术人员可以从对比文件测量电流这一内容，合理推断出“测量活动”这一上位概念，故该特征被隐含公开。 |
| 技术特征C：所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量《未公开》 | 对比文件未提及高速缓存未命中、管线暂停或任何基于性能计数器的性能测量。 | 目标专利中该特征限定了“性能”的具体测量方式（高速缓存未命中或管线暂停）。对比文件涉及电机控制，其“活动”测量仅限于电流（参见[0018]），完全不涉及SoC、CPU等半导体装置的内部性能计数器或相关性能指标。因此，对比文件没有公开此特征。 |
| 技术特征D：将所测量的活动转化为所述区的功率《直接公开》 | 【0018】「Ｑｍ＝ｆ(Ｉ)＝Ｒ・Ｉ^2」（Qm = f(I) = R · I^2）【0031】「ステップＳ１で、このときの電流値Ｉから発熱量Ｑｍ(i)を求める。」（在步骤S1中，从此时的电流值I求得发热量Qm(i)。） | 目标专利的“将所测量的活动转化为所述区的功率”是指将活动（如电流）转换为功率值。对比文件中，明确测量电流I（活动），并通过公式Qm = R · I^2 将其转化为发热量（即功率）（参见[0018]）。发热量Qm本质上就是电机内部消耗的功率（以热的形式）。因此，对比文件直接公开了将测量的电流活动转化为区的功率。 |
| 技术特征E：通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移《直接公开》 | 【0025】「これらのパラメータにより、上記の熱モデルをシミュレーションし、その結果からサーボモータ２の内部の温度Ｔｉとモータの表面温度Ｔｓを求め」（根据这些参数，对上述热模型进行仿真，从其结果求出伺服电机2的内部温度Ti和电机表面温度Ts）【0029】「熱モデルは次式で表わせる。 Ｑｍ＋Ｑｂ＝Ｃｍ・ｄＴｉ／ｄｔ＋（Ｔｉ−Ｔａ）・（Ｒｍ＋Ｒａ） Ｔｓ＝（Ｒｍ・Ｔａ＋Ｒａ・Ｔｉ）／（Ｒｍ＋Ｒａ）」（热模型可用下式表示。 Qm+Qb = Cm·dTi/dt + (Ti-Ta)·(Rm+Ra) Ts = (Rm·Ta+Ra·Ti)/(Rm+Ra)） | 目标专利中，“通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移”是指利用预存的热模型参数（如热阻、热容等）对功率或活动进行计算，得到温度修正值（偏移）。对比文件明确存储了热模型参数（如热容Cm、热阻Rm、Ra、周围温度Ta等，参见[0025]），并利用这些参数和计算出的功率（发热量Qm）通过热模型公式（参见[0029]）仿真计算出内部温度Ti和表面温度Ts。这里的Ti或Ts可以视为相对于某个参考（如环境温度）的“温度偏移”或直接是温度值。该过程完全符合“参考存储的参数解释功率/活动以导出温度信息”的技术方案。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。《未公开》 | 对比文件未记载任何“调节温度测量值”的操作。其计算出的温度Ti/Ts直接用于过载判断（参见[0026], [0032]）。 | 目标专利中，“至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值”是指使用导出的温度偏移（如ΔTcorr）去校正从物理传感器获得的原始温度读数（TSENSraw），以获得更精确的温度值（TSENScorr）（参见说明书[0093]）。对比文件中，计算出的温度Ti/Ts并非用于调节另一个传感器的测量值，而是作为过载检测的直接判断依据。对比文件根本没有提及从物理传感器接收原始温度测量值并进行校正的步骤。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。《未公开》 | 对比文件中存储的热模型参数是热容Cm、热阻Rm、Ra、周围温度Ta等（参见[0025]），并非“与温度差匹配的所估计的功率”这类映射关系数据。 | 目标专利中，该特征限定了存储的热模型参数具体是“与温度差匹配的所估计的功率”（参见说明书[0091]）。对比文件存储的是热网络的物理参数（热阻、热容），并通过公式实时计算功率（Qm）和温度。其并未存储一个预置的、将“所估计的功率”与“温度差”直接匹配的查询表或矩阵。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。《未公开》 | 同上，对比文件存储的是热容Cm、热阻Rm、Ra、周围温度Ta等（参见[0025]），并非“与绝对温度匹配的所估计的功率”。 | 目标专利中，该特征限定了存储的热模型参数具体是“与绝对温度匹配的所估计的功率”（参见说明书[0091]）。对比文件存储的是热网络的物理参数（热阻、热容），并通过公式实时计算功率（Qm）和温度。其并未存储一个预置的、将“所估计的功率”与“绝对温度”直接匹配的查询表或矩阵。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。《隐含公开》 | 【0012】「インバータモジュール６にはトランジスタやＩＧＢＴなどのパワー半導体スイッチング素子が用いられていて」（逆变器模块6中使用了晶体管或IGBT等功率半导体开关元件）【0018】「電流検出器９、１０から変換器１１を介して電流Ｉを取込む」（从电流检测器9、10通过转换器11获取电流I） | 目标专利中，“电流流动穿过电源开关”是“所测量的活动”的一种具体形式。对比文件公开了测量供应给电机的电流I（参见[0018]）。该电流流经包含功率半导体开关元件（如晶体管、IGBT）的逆变器模块6（参见[0012]），这些开关元件即构成电源开关。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地理解，所测量的电流是流经这些电源开关的。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。《未公开》 | 对比文件未提及“裸片”或基于裸片装置（如SoC、CPU）性能的活动测量。其测量对象是电机电流。 | 目标专利中的“裸片的装置”指的是如SoC等半导体裸片上的装置（参见说明书背景技术和具体实施方式）。对比文件涉及的是电机控制系统，其“活动”测量是基于电机电流，与半导体裸片内部装置（如CPU核心）的性能（如指令执行效率）无关。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。《未公开》 | 对比文件未提及任何“性能计数器”。 | 目标专利中该特征限定了性能测量是基于“性能计数器”确定的（参见说明书[0030]）。对比文件完全没有涉及性能计数器的概念。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。《隐含公开》 | 【0018】「マイクロプロセッサ７は、電流検出器９、１０から変換器１１を介して電流Ｉを取込むことにより発熱量Ｑｍを計算することができる。」（微处理器7可以通过转换器11从电流检测器9、10获取电流I来计算发热量Qm。）【0014】「出力電流の情報は電流検出器９、１０の信号を変換器１１でディジタル情報に変換してから、それぞれマイクロプロセッサ７に取り込まれるようになっている。」（输出电流的信息是通过转换器11将电流检测器9、10的信号转换为数字信息后，被输入到微处理器7。） | 目标专利中，“数字功率监测器/计量器”用于测量活动并转换为功率。对比文件中，电流检测器9、10检测电流（活动），转换器11将模拟电流信号转换为数字信息，微处理器7利用该数字电流信息计算功率（发热量Qm）（参见[0018]）。这一套系统（电流检测器+转换器+微处理器）共同实现了电流活动的测量以及将其转换为功率（发热量）的功能，其作用与目标专利中的“数字功率监测器/计量器”相同。因此，该特征被隐含公开。 |
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