对比文件名称：2006-12-16_发明专利_TW200643391A 分區之熱監視 ZONED THERMAL MONITORING
目标专利名称：时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
本次调用模型名称：专利创造性评估模型
以下是根据目标专利权利要求技术特征划分，与对比文件进行的比对分析：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| **A. 从传感器接收区的温度测量值**<br>《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“溫度感測裝置130係設置於該相關環式振盪器(CRO)101旁。該CRO 101的振盪頻率代表該熱感測裝置130的溫度。”<br>第[0043]段：“對每個RO計算的溫度為該熱感測裝置130所報告的溫度、該RO的頻率以及該CRO的頻率之函數。”<br>第[0049]段：“TCC 120藉由在預定數目的CRO/RO循環期間計數參考時脈循環之數目而測定各個CRO/RO之週期。” | 对比文件明确公开了：1）存在一个热感测装置（温度传感器）130；2）存在多个环形振荡器（RO）103-111，每个RO位于集成电路（相当于“裸片”或“区”）的不同位置；3）温度计算电路（TCC）120接收来自热感测装置130的温度报告以及各RO（包括CRO）的振荡频率（周期）信息。这对应于目标专利中“从传感器接收区的温度测量值”。两者作用相同，都是为后续温度计算或校正提供原始温度数据。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出此特征。 |
| **B. 测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0005]段：“在有開關電晶體(switching transistor)密集分佈的區域周圍之區傾向有較平均晶粒溫度高很多之溫度...”<br>第[0025]段：“該等校準因子亦可反映該積體電路所耗費的功率。”<br>第[0037]段：“由於在自動測試設備上容易測量功率，因此只要該功率為已知，則可使用熱模擬產生的表(table)而得到該校準偏移。” | 目标专利中“测量区的活动”目的是为了估计功率消耗，从而进行温度校正。对比文件虽未明确使用“活动”一词，但反复强调功率消耗对温度的影响，并指出校准因子需反映集成电路的功率使用（功耗）。本领域技术人员公知，集成电路的功率消耗与其内部晶体管开关活动（电流流动）及运行性能直接相关。因此，通过测量功率（如对比文件所述），本领域技术人员能够合理推断出这背后必然隐含着对导致功耗变化的活动（如电流、性能）的测量或知晓。对比文件部分公开了“活动”的目的（用于校准）和结果（功率），本领域技术人员可推理出测量活动是必要前提。 |
| **C. 所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量**<br>《隐含公开》 | 说明书未明确提及“高速缓存未命中”或“管线暂停”。 | 目标专利将“高速缓存未命中”或“管线暂停的数量”作为衡量“装置性能”的具体示例。对比文件公开了性能与功率消耗相关，并提及“性能计数器”。虽然对比文件未具体列举这些示例，但“高速缓存未命中”和“管线暂停”是衡量处理器（CPU）性能的常见且公知的性能事件。本领域技术人员在考虑如何量化“装置性能”以关联功率和温度时，完全有可能并合理地选择这些典型的性能计数器事件作为测量基础。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **D. 将所测量的活动转化为所述区的功率**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0025]段：“該等校準因子亦可反映該積體電路所耗費的功率。”<br>第[0037]段：“由於在自動測試設備上容易測量功率，因此只要該功率為已知，則可使用熱模擬產生的表(table)而得到該校準偏移。” | 目标专利中“将活动转化为功率”是连接活动测量与温度模型的关键步骤。对比文件明确指出校准因子需要反映或基于“功率”。虽然对比文件没有描述一个明确的从“活动”到“功率”的实时转化过程，但它强调了“功率”是温度校准的核心输入之一。本领域技术人员为了应用基于功率的校准因子（如对比文件所教导），必然需要获得当前功率信息。而获得当前功率最直接的方式之一，就是根据测量的活动（如B特征所述）来实时估算或转换成功率。因此，对比文件关于使用功率进行校准的教导，隐含了需要将活动转化为功率这一技术手段。 |
| **E. 通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移**<br>《直接公开》 | 说明书第[0025]段：“提供校準因子以校準各個該等RO，以說明與該電路相關聯的誤差(inaccuracy)以及該等RO和該積體電路之局部高溫區域(熱點(hot spot))之間之溫度差。此溫度差係基於從該RO至該局部熱點之距離以及該積體電路所使用的功率。”<br>第[0030]段：“各個RO所偵測的溫度T(ro)可計算為：T(ro)＝(((P(ro)－P(cro))/P(cro))*(RoConst＋T(ts)＋F(ro)，其中...F(ro)為...RO的偏移；以及RoConst＝120/(R－1)，其中R＝P120/P0...”<br>第[0032]段：“該校準因子F(ro)可說明自局部熱點至RO之距離、該振盪器電路中的誤差(隨製程變化的RO改變)、以及功率。” | 目标专利中“参考所存储的热量模型参数来解释功率或活动以导出温度偏移”的核心在于：使用预先存储的、基于模型（如热模拟）得到的参数，结合当前状态（功率或反映功率的活动），来计算一个对原始温度读数的调整量（偏移）。对比文件完全公开了这一技术构思：1）**所存储的参数**：校准因子（如F(ro)、RoConst）被存储在非易失性存储器（如熔丝）中。2）**参数的解释对象**：这些校准因子明确用于解释“功率”（见第[0025]、[0037]段）和“活动”（功率消耗由活动引起，见特征B论述）。3）**导出温度偏移**：校准因子F(ro)本身就是用于在温度计算公式中引入的一个“偏移”（第[0030]段原文称为“偏移”），该偏移的值是基于到热点的距离（相当于空间位置误差）和功率（相当于动态热状态）通过热模拟预先确定的（第[0037]段）。因此，对比文件直接公开了本特征。 |
| **F. 以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值**<br>《直接公开》 | 说明书第[0030]段：“各個RO所偵測的溫度T(ro)可計算為：T(ro)＝(((P(ro)－P(cro))/P(cro))*(RoConst＋T(ts)＋F(ro)，其中...F(ro)為...RO的偏移...”<br>第[0043]段：“提供校準因子以校準由該熱感測裝置130所報告的溫度。此外，提供校準因子以校準各個該等RO，以說明...該等RO和該積體電路之局部高溫區域(熱點(hot spot))之間之溫度差。” | 目标专利的“调节温度测量值”即利用导出的温度偏移对原始读数进行校正。对比文件公开的温度计算公式T(ro) = ... + F(ro)中，F(ro)就是一个基于功率和距离的校准偏移量，它被直接加到由热感测装置报告的温度T(ts)及其他项计算出的中间值上，从而得到最终的、经过调节（校正）后的温度值T(ro)。这明确构成了基于偏移调节温度测量值。作用与目标专利完全相同，用于提高温度读数的准确性。 |
| **G. 其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0025]段：“此溫度差係基於從該RO至該局部熱點之距離以及該積體電路所使用的功率。”<br>第[0032]段：“該校準因子F(ro)可說明自局部熱點至RO之距離...以及功率。”<br>第[0037]段：“基於為功率之函數之距離，熱模擬(thermal simulation)可設定梯度的期望值。” | 目标专利的“与温度差匹配的所估计的功率”指存储的参数中建立了功率值与特定温度差（如传感器位置与热点之间的温差）的对应关系。对比文件明确指出：1）RO与热点之间存在**温度差**；2）校准因子F(ro)的设定需要考虑**功率**和**距离**（距离直接导致温度差）；3）通过**热模拟**可以建立基于功率函数的距离（梯度/温度差）期望值表。这表明，在对比文件的技术方案中，所存储的校准因子（F(ro)）本质上封装了“特定功率水平下，特定距离（对应特定温度差）所需的偏移量”这一关系。因此，本领域技术人员可以毫无困难地理解，对比文件所存储的参数隐含了功率与温度差的匹配关系。 |
| **H. 其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0030]段：“T(ro)＝(((P(ro)－P(cro))/P(cro))*(RoConst＋T(ts)＋F(ro)”。其中T(ts)是热感测装置报告的温度（一个绝对温度基准），F(ro)和RoConst是基于功率等因素确定的偏移和常数。 | 目标专利中“与绝对温度匹配的所估计的功率”指存储的参数可用于根据功率直接确定或校正出一个绝对温度值。对比文件最终计算出的T(ro)就是一个报告给系统的**绝对温度值**（例如用于触发风扇或时钟调节）。这个绝对温度值是通过公式计算得到的，而公式中的关键参数（F(ro)、RoConst）是基于功率等因素预先确定并存储的。因此，存储的参数（校准因子）通过计算过程，实现了根据功率信息最终决定或校正绝对温度值的作用。本领域技术人员能够理解，存储的参数间接实现了功率与最终输出的绝对温度的匹配。 |
| **I. 其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0005]段：“在有開關電晶體(switching transistor)密集分佈的區域...” | 目标专利中“电流流动穿过电源开关”是“活动”的一种具体表现形式。对比文件指出了“开关晶体管”的密集活动是导致局部高温（热点）的主要原因。本领域技术人员公知，开关晶体管的操作本质上就是电流的导通与关断，其活动水平直接体现为穿过这些晶体管（可视为电源开关）的电流变化。因此，对比文件对“开关晶体管”活动的关注，隐含了对“电流流动穿过电源开关”这一活动测量指标的公开。 |
| **J. 其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能**<br>《隐含公开》 | 同特征B、C的引用及论述。对比文件强调功率消耗，而功率消耗与装置性能（如处理器执行指令的速度、吞吐量）直接相关。 | 目标专利特征J是特征B的进一步限定和重申。如特征B、C所述，对比文件通过关注功率消耗，隐含了需要对导致功耗变化的因素进行考量，而装置的性能水平是核心因素之一。因此，对比文件隐含公开了所测量的活动至少部分基于装置性能。 |
| **K. 其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的**<br>《隐含公开》 | 说明书未明确说明为热管理而使用性能计数器，但提到了“性能计数器”这一概念存在于相关技术领域。 | 目标专利明确使用性能计数器来量化性能（如高速缓存未命中数）。对比文件虽然未将性能计数器与热管理直接关联，但本领域技术人员知晓，性能计数器是测量处理器（装置）性能（如指令周期、缓存效率）的标准且常用硬件模块。在对比文件已经教导需要关注功率/活动（与性能相关）以进行温度校准的基础上，为了更精确、实时地获取性能指标，采用性能计数器来辅助测量是容易想到的、合理的常规技术手段。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **L. 其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0037]段：“由於在自動測試設備上容易測量功率...” | 目标专利明确使用“数字功率监测器/计量器”来执行活动测量和功率转换。对比文件提到了在测试设备上测量功率，并指出校准因子需反映功率。虽然未明确说明在芯片内部集成数字功率监测器进行实时监测，但为了实现基于实时功率的持续温度校正（如对比文件所追求的目标），本领域技术人员很容易想到采用集成电路中常见的数字功率监测或计量电路来实时获取功率信息，这属于公知的常规选择。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
<<<A>>><<<E>>><<<F>>><<<b>>><<<c>>><<<d>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<j>>><<<k>>><<<l>>>