返回项目页面
对比文件列表
1997-12-23_发明授权_US5700706A Self-aligned isolated polysilicon plugged contacts_+++C_D_E_L_M_N_b_p+++.docx
2026-02-20 00:22
1999-01-26_发明授权_US5864156A Isolated plugged contacts_+++C_D_E_L_N_a_b_i_m+++.docx
2026-02-20 00:22
2001-03-27_发明授权_US06207564B1 Method of forming self-aligned isolated plugged contacts_+++C_D_E_L_M_n+++.docx
2026-02-20 00:22
2002-07-26_发明专利_JP2002208643A Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof_+++A_B_C_D_E_I_L_M+++.docx
2026-02-20 00:22
2006-04-13_发明申请_US20060076689A1 Damascene processes for forming conductive structures_+++d_e_f+++.docx
2026-02-20 00:22
2006-05-11_发明专利_JP2006120722A Semiconductor device and manufacturing method therefor_+++L_c_d_e_m_n+++.docx
2026-02-20 00:22
2012-01-12_发明申请_US20120007209A1 SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING DAMASCENE TRENCHES WITH CONDUCTIVE STRUCTURES AND RELATED METHOD_+++C_D_E_F_L_b_i_j_m_n+++.docx
2026-02-20 00:22
2013-05-16_发明申请_US20130119474A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++D_E_L_M_N_i_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2013-06-06_发明申请_WO2013081767A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++C_D_E_L_M_N_P_a_b_f_h_i_o+++.docx
2026-02-20 00:22
2013-09-26_发明申请_US20130248990A1 SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_C_D_E_i_l_m+++.docx
2026-02-20 00:22
2013-10-01_发明公开_KR1020130106917A 반도체 소자 및 이의 제조 방법_+++B_C_D_I_L_M_e+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-02-06_发明申请_US20140035048A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME_+++B_E_I_M_N_P_a_c_d_l+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-02-11_发明公开_KR1020140017294A 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법_+++C_D_P_a_b_e_g_i_l_m_n+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-07-17_发明公开_KR1020140090680A 자기 정렬 접점 및 국부 상호접속부를 형성하는 방법_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_b_f_g_j_k_o_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-07-23_发明公开_CN103946971A 用于形成自对准触点和局部互连的方法_+++B_C_E_a_d_f_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-09-16_发明授权_US08835245B2 Semiconductor device comprising self-aligned contact elements_+++A_B_C_D_E_I_L_M_N_O_f_g_j+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-09-24_发明公开_EP2780937A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++B_C_D_E_I_L_M_N_a_f_g_h_j_k_o_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2015-01-19_发明专利_JP2015502039A 自己整合コンタクト及びローカル相互接続を形成する方法_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_f_g_j_k_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine_+++A_b_d_i_l+++.docx
2026-02-23 21:22
2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine_+++A_b_d_i_l+++.docx

对比文件的名称:2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine

目标专利的名称:缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B

本次调用的模型名称:gpt-4

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:从传感器接收区的温度测量值<br>**《直接公开》**[2] “入力側へ、タイマー29,エンジン回転センサ30,気筒判別センサ31,アクセルペダルやアクセルレバーの開度センサ25,吸入空気のターボ圧センサ33,**吸気温度センサ34,ラジエーター水温センサ35**,吸入空気量センサ36,作業レバーの位置センサ37,GPS(A)コモンレール圧センサ22,高度センサ(B)等を接続入力すると共に、出力側から、グロープラグ制御信号38,燃料噴射弁制御信号39,コモンレール圧制御信号40等が出力される。”<br>(输入侧连接有:计时器29、发动机转速传感器30、气缸判别传感器31、油门踏板及油门杆开度传感器25、吸入空气的涡轮压力传感器33、**进气温度传感器34、散热器水温传感器35**、吸入空气量传感器36、作业杆位置传感器37、GPS(A)共轨压力传感器22、高度传感器(B)等,同时,从输出侧输出预热塞控制信号38、燃料喷射阀控制信号39、共轨压力控制信号40等。)本技术特征要求从传感器接收“区”的温度测量值。根据目标专利说明书上下文,此“区”应为半导体裸片上的特定区域。在对比文件中,其发动机控制单元(ECU)18的输入侧明确连接有“散热器水温传感器35”和“进气温度传感器34”,这些传感器用于检测发动机冷却水温度和进气温度,属于从传感器接收温度测量值。尽管“区”的具体定义(半导体区域 vs 发动机系统部件)不同,但“从传感器接收温度测量值”这一上位技术手段已被对比文件明确公开,且作用均为提供温度反馈信息。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。因此,**技术特征A被直接公开**。
**技术特征B**:测量所述区的活动,所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能,<br>**《隐含公开》**[2] “単位時間当たりのエンジン回転数の変化及び単位時間当たりの燃料噴射量の検出を行い”<br>(进行单位时间内的发动机转速变化以及单位时间内的燃料喷射量的检测)<br>[2] “エンジン回転数及び噴射量の計測によってエンジンの負荷状態を把握する”<br>(通过发动机转速及喷射量的测量来把握发动机的负荷状态)本技术特征要求测量“区”的活动,活动形式包括电流或装置性能。对比文件虽未提及半导体裸片或其中的电流,但其ECU持续测量并检测“发动机转速”和“燃料喷射量”。这些参数(转速、喷射量)是发动机这一“装置”运行状态(即“活动”)的直接反映。本领域技术人员能够合理推断,测量一个装置(无论是发动机还是包含裸片的电子装置)的运行参数(如转速、功耗/电流、性能指标)是获取其活动状态的惯用手段。对比文件公开了测量装置(发动机)的活动(转速、喷射量),尽管具体参数形式不同,但属于部分公开了“测量活动”这一概念,因此可认为隐含公开了通过测量装置参数来获取活动信息的技术特征。因此,**技术特征B被隐含公开**。
**技术特征C**:所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量<br>**《未公开》**对比文件中未发现涉及“高速缓存未命中”或“管线暂停”的相关内容。本技术特征限定了“性能”测量的具体方式,即基于处理器架构特有的微架构事件(高速缓存未命中、管线暂停)。对比文件涉及的领域是作业机械的发动机控制,其测量的“性能”或活动参数完全是机械/热力系统的参数(如转速、喷射量、负荷率),与半导体处理器内部的微架构性能计数器无关。本领域技术人员无法从对比文件中提及的发动机转速、喷射量等内容,通过任何合理的推理得到“基于高速缓存未命中或管线暂停数量来确定性能”的技术方案。因此,**技术特征C未被公开**。
**技术特征D**:将所测量的活动转化为所述区的功率<br>**《隐含公开》**[2] “回転数と噴射量の相関を予め設定した噴射量マップと実噴射量によりエンジンの負荷率を算出し”<br>(根据预先设定的转速与喷射量相关的喷射量映射图和实际喷射量,计算出发动机的负荷率)<br>[2] “燃料噴射量の計測によるエンジン負荷率の算出を行い”<br>(进行基于燃料喷射量测量的发动机负荷率算出)本技术特征要求将测量到的活动转化为“区”消耗的功率。对比文件中,ECU根据测量到的“喷射量”(和转速)来“算出发动机的负荷率”。在发动机领域,“负荷率”直接反映了发动机的输出功率或负载功率需求,是表征功率水平的关键参数。因此,“根据测量的活动(喷射量)计算出负荷率”这一过程,实质上就是将测量的活动(燃料喷射量,代表能量输入)转化为一个表征功率水平的参数(负荷率)。尽管转化的对象是“发动机的功率”而非“半导体区的功率”,但“将测量的活动转化为功率(或功率相关参数)”这一技术手段已被对比文件部分公开。本领域技术人员可以合理推断,在需要管理功耗/热量的其他电子装置中,采用类似原理(根据活动估算功率)是可行的。因此,**技术特征D被隐含公开**。
**技术特征E**:通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移<br>**《未公开》**对比文件中未发现涉及“所存储的热量模型参数”或通过解释功率/活动来“导出温度偏移”的相关内容。本技术特征的核心在于使用“存储的热量模型参数”对功率或活动进行解释,从而“导出温度偏移”。对比文件虽然涉及温度传感器和基于温度的控制(如防止过热),但其控制逻辑是基于传感器实测温度(如水温)的直接反馈或微分趋势判断(参见[2]“検出水温の時間微分成分を用いてエンジンがオーバーヒート傾向にあると判定”),并未公开任何“存储的热量模型参数”,也没有公开通过模型参数解释功率或活动以推导出理论温度变化(温度偏移)的步骤。其温度管理是直接基于物理测量,而非基于模型的计算估计。因此,**技术特征E未被公开**。
**技术特征F**:以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。<br>**《未公开》**对比文件中未发现基于“温度偏移”来“调节温度测量值”的相关内容。本技术特征要求用导出的“温度偏移”去调节从传感器直接获得的“温度测量值”。对比文件中的温度控制(如过热保护)是直接依据传感器测量值(或其一阶导数)来调整发动机工作参数(如喷射量、喷油正时、耕作深度等),目的是改变发动机状态以影响实际温度,而不是对传感器读出的温度测量值本身进行数学上的修正或调节。没有证据表明对比文件公开了通过一个计算出的偏移量来调整原始温度传感器读数的技术方案。因此,**技术特征F未被公开**。
**技术特征G**:其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。<br>**《未公开》**对比文件中未发现涉及“所存储的热量模型参数”的描述,更未提及该参数“包含与温度差匹配的所估计的功率”。本技术特征是对“热量模型参数”的进一步限定。如前所述,对比文件未公开任何“热量模型参数”,自然也不可能公开该参数的具体内容(如包含与温度差匹配的估计功率)。因此,**技术特征G未被公开**。
**技术特征H**:其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。<br>**《未公开》**对比文件中未发现涉及“所存储的热量模型参数”的描述,更未提及该参数“包含与绝对温度匹配的所估计的功率”。本技术特征是对“热量模型参数”的另一种限定。同理,由于对比文件未公开“热量模型参数”这一概念,该限定特征也未被公开。因此,**技术特征H未被公开**。
**技术特征I**:其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。<br>**《隐含公开》**[2] “ゼネレータの発電電流の周波数によりゼネレータの回転数を算出し”<br>(根据发电机的发电电流频率来算出发电机的转速)本技术特征限定了所测量的活动之一是“电流流动穿过电源开关”。对比文件公开了检测“发电电流”(発電電流)以计算发电机转速。发电电流的流动必然穿过电路的开关元件(如发电机内部的整流电路或外部的调节器开关)。虽然对比文件未明确点出“电源开关”,但测量电流流动这一行为已被公开,且电流流经的路径中必然包含开关类元件以实现通断控制。本领域技术人员可以合理推断,在电学测量领域,测量电流流动是常见活动,且电流通常会流经各类开关。因此,**技术特征I被隐含公开**。
**技术特征J**:其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。<br>**《未公开》**对比文件中测量的活动(转速、喷射量等)均基于发动机这一机械装置,与“裸片”(半导体芯片)以及基于裸片的“装置的性能”无关。本技术特征将“活动”的来源明确限定为“基于裸片的装置的性能”。对比文件的技术领域(发动机控制)与目标专利(半导体集成电路)完全不同,其所有活动测量均不涉及任何半导体裸片或由裸片构成的电子装置的“性能”(如处理速度、计算吞吐量等)。本领域技术人员无法从对比文件中得到任何关于测量半导体裸片装置性能的启示。因此,**技术特征J未被公开**。
**技术特征K**:其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。<br>**《未公开》**对比文件中未发现“性能计数器”或基于性能计数器确定测量值的任何描述。本技术特征限定了性能测量的实现工具为“性能计数器”。这是计算机和处理器架构中的专用硬件单元。对比文件中用于测量发动机状态(转速、喷射量等)的均是物理传感器(如转速传感器、压力传感器),与数字电路中的“性能计数器”有本质区别。因此,**技术特征K未被公开**。
**技术特征L**:其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。<br>**《隐含公开》**[2] “エンジンコントロールユニット18(以下「ECU」という)からの指令に基づき”<br>(基于来自发动机控制单元18(以下称为ECU)的指令)<br>整个系统由ECU这个电子控制单元进行信号采集、计算和控制。本技术特征限定了测量和功率转换的执行主体是“数字功率监测器/计量器”。对比文件的核心控制部件是“发动机控制单元(ECU)18”,它是一个数字电子控制器。ECU接收来自各种传感器(模拟或数字)的信号,并进行计算(如计算负荷率)。这个过程实质上就是通过数字电子装置(ECU)来监测发动机活动(通过传感器)并执行相关计算(可视为一种转换)。尽管“ECU”不专门命名为“数字功率监测器”,但其功能包含了数字化的监测和计算。本领域技术人员可以合理推断,使用一个数字处理单元来执行测量信号的采集和后续计算,是等同于使用数字监测/计量器的技术手段。因此,**技术特征L被隐含公开**。

<<<A>>><<<b>>><<<d>>><<<i>>><<<l>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE