对比文件名称：2008-09-11_发明专利_JP2008211535A Amplifying circuit, receiver, and ic for receiver
目标专利名称：互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B
模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号<br>**《直接公开》** | [2] “図５に、この例における電流増幅回路３００の構成例の回路図を示す。 この例においては、図１０に示すように、電流増幅回路３００は、電流増幅器３０１と、電流増幅器３０２と、レプリカバイアス回路３０３からなり、可変利得増幅回路２００の差動の出力の一方を電流増幅器３０１で受け、他方を電流増幅器３０２で受ける構成となっている。” <br> [2] “図５の例は、…可変利得増幅回路２００を備える増幅回路、例えば高周波アンプ１３Ａに適用した場合としての構成例を示している。” | 对比文件公开了一个放大电路（高周波アンプ13A），其包含可変利得増幅回路200和電流増幅回路300。其中，可変利得増幅回路200（对应权利要求中的“第一放大器级”）被配置为放大来自天线调谐电路12A的输入信号（对应“输入端子处的输入信号”），并生成输出（对应“第一放大信号”）。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：，所述第一放大器级具有电流转向器，<br>**《直接公开》** | [2] “この図１０の例においては、電流増幅器３０１および３０２のそれぞれにおいて、カレントミラー回路を構成するＭＯＳＦＥＴ３１３とＭＯＳＦＥＴ３１１とにおいて、ＭＯＳＦＥＴ３１３に流れる電流とＭＯＳＦＥＴ３１１に流れる電流との比が、１：ｎとなるように構成され、かつ、ｎの値が可変（プログラマブル）とされる。” <br> [2] “この図１１は、レプリカバイアス回路３０３と電流増幅器３０１との部分の具体構成例であり、…ＭＯＳＦＥＴ３１１１〜３１１５のそれぞれのソースは、それぞれスイッチ用チャンネルのＭＯＳＦＥＴ３６１１〜３６１５のドレイン−ソース間を通じて＋Ｖｃｃの電源ラインに接続する。” | 对比文件中的可変利得増幅回路200的输出由電流増幅回路300进行放大。電流増幅回路300包含由MOSFET 313和311构成的电流镜（カレントミラー回路），并且通过开关MOSFET 3611-3615等选择性地控制电流路径，这实质上构成了一个电流转向器，用于将来自输入信号（经由差分放大器60或可変利得増幅回路200）的电流进行重新分配。其作用与目标专利中通过电流转向器设置增益相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：所述电流转向器被配置为选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益<br>**《直接公开》** | [2] “この図１０の例においては、電流増幅器３０１および３０２のそれぞれにおいて、カレントミラー回路を構成するＭＯＳＦＥＴ３１３とＭＯＳＦＥＴ３１１とにおいて、ＭＯＳＦＥＴ３１３に流れる電流とＭＯＳＦＥＴ３１１に流れる電流との比が、１：ｎとなるように構成され、かつ、ｎの値が可変（プログラマブル）とされる。” <br> [2] “したがって、前記ｎの値を、同調周波数に応じて可変とすることにより、高周波アンプ１３Ａとして、最低同調周波数から最高同調周波数までの間で、利得をほぼ一定とすることができる。” | 对比文件明确记载，通过改变电流镜的电流比n（例如，通过图11中的开关控制并联的MOSFET 3111-3115和3121-3125），可以调整电流增益，从而设置放大电路的增益，以补偿因调谐频率变化引起的增益偏差。这直接公开了通过选择性地控制电流路径（即电流转向）来设置放大器增益的技术特征。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：以及第二放大器级，被配置为放大所述输入端子处的所述输入信号以生成第二放大信号，<br>**《直接公开》** | [2] “図５の例は、…可変利得増幅回路２００を備える増幅回路、例えば高周波アンプ１３Ａに適用した場合としての構成例を示している。” <br> [2] “３段の可変利得アンプ１２１，１２２，１２３のそれぞれのＭＯＳＦＥＴ１０３および１０４のドレインに得られる差動の出力が、前述したようなカレントミラー回路からなる電流増幅回路３００で増幅されて、出力端Ｏ１，Ｏ２に導出される。” | 对比文件中的放大电路（高周波アンプ13A）整体上接收输入信号并生成放大输出。在描述中，可変利得増幅回路200处理输入信号，其输出再由電流増幅回路300进一步放大。从电路功能整体来看，電流増幅回路300可以被视为对来自输入端的信号进行放大的另一级放大电路（即第二放大器级），并生成最终的输出信号（在输出端O1，O2）。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：所述第二放大器级具有设置所述第二放大器级的增益的增益控制电路<br>**《直接公开》** | [2] “この図１０の例においては、電流増幅器３０１および３０２のそれぞれにおいて、カレントミラー回路を構成するＭＯＳＦＥＴ３１３とＭＯＳＦＥＴ３１１とにおいて、ＭＯＳＦＥＴ３１３に流れる電流とＭＯＳＦＥＴ３１１に流れる電流との比が、１：ｎとなるように構成され、かつ、ｎの値が可変（プログラマブル）とされる。” <br> [2] “この図１１は、…バッファメモリ５２からの４ビットのデータの各１ビットのデータが、スイッチング制御信号として供給される。” | 对比文件中的電流増幅回路300（对应第二放大器级）明确具有可编程的增益控制功能。通过改变电流镜的尺寸比n（见图10描述），或者更具体地通过图11所示的由控制数据（B1-B4）控制的开关MOSFET阵列，可以设置该电流放大级的增益。这直接构成了第二放大器级的增益控制电路。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：，其中所述第一放大器级被配置为互补共栅放大器，<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件中的第一放大器级（可変利得増幅回路200）由图6所示的 cascode（共源共栅）结构的差分放大器构成（参见[2] “図６に示すように、この原理的構成の等価回路図に示す可変利得アンプ１００は、カスコード（Cascode）接続されたＭＯＳＦＥＴ１０１〜１０４を用いた差動アンプによる構成である。”）。Cascode结构是共源-共栅的组合，并非目标专利所特指的“互补共栅放大器”（Complementary Common-Gate）。目标专利的互补共栅放大器（如图3中的302）同时使用PMOS和NMOS晶体管以互补方式构成共栅放大，而对比文件中的cascode放大器是同类型晶体管（均为NMOS或根据电路设计）的堆叠，结构和工作原理不同。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：所述互补共栅放大器生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 基于特征F未被公开，且对比文件未对其可変利得増幅回路200的输入输出相位关系进行明确描述，因此技术特征G未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：，并且其中所述第二放大器级被配置为互补共源放大器，<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件中的第二放大器级（電流増幅回路300）是基于电流镜的电流放大器（参见图10），其核心是MOSFET 311和312以互补形式连接（CMOS接続），但这本质上是一个输出级/电流缓冲器，其偏置和增益由电流镜（313, 314等）设定，并非目标专利所定义的信号反相放大作用的“互补共源放大器”。目标专利的互补共源放大器（如图3中的304）是明确的电压放大级，具有信号反相功能。两者结构和工作原理不同。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：所述互补共源放大器生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 基于特征H未被公开，且对比文件未描述其電流増幅回路300具有信号反相功能，因此技术特征I未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：所述增益控制电路包括互补共源共栅晶体管的并联支路，所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路被选择性地使能以设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《隐含公开》** | [2] “すなわち、図１１に示すように、電流増幅器３０１において、この例では、ＭＯＳＦＥＴ３１１およびＭＯＳＦＥＴ３１２のそれぞれは、複数個、図１１の例では５個のＭＯＳＦＥＴ３１１１〜３１１５およびＭＯＳＦＥＴ３１２１〜３１２５により構成する。” <br> [2] “そして、ＭＯＳＦＥＴ３１１１〜３１１５のそれぞれのソースは、それぞれスイッチ用チャンネルのＭＯＳＦＥＴ３６１１〜３６１５のドレイン−ソース間を通じて＋Ｖｃｃの電源ラインに接続する。” <br> [2] “そして、ＭＯＳＦＥＴ３１２１〜３１２５のそれぞれのソースは、それぞれスイッチ用ＭＯＳＦＥＴ３６２１〜３６２５のドレイン−ソース間を通じて接地する。” | 对比文件图11公开了在電流増幅器301中，输出晶体管（311和312）由多个并联的MOSFET（3111-3115和3121-3125）构成，每个并联支路通过一个开关MOSFET（3611-3615和3621-3625）控制其是否接入电路。通过控制这些开关，可以改变有效输出晶体管的尺寸（或数量），从而改变电流镜的增益比n，进而设置第二放大器级（電流増幅回路300）的增益。虽然对比文件未明确将这些并联MOSFET称为“互补共源共栅晶体管”，但其作为输出级晶体管，在电路中承担着将电流信号传递到负载的作用。本领域技术人员可以理解，通过选择性地使能这些并联的晶体管支路来实现增益控制，这与技术特征J所描述的原理是相同的。因此，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号，以控制所述电流转向器来设置所述第一放大器级的所述增益并且控制所述增益控制电路来设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《直接公开》** | [2] “ここで、スイッチ用ＭＯＳＦＥＴ３６１１〜３６１５および３６２１〜３６２５をスイッチング制御する４ビットのデータは、この例の高周波アンプ１３Ａにおいて、同調周波数が最低同調周波数と最高同調周波数との間で変わっても、利得がほぼ一定となるように、各同調周波数に応じて予め定められて、不揮発性メモリ５１に蓄えられている。” <br> [2] “そして、テレビチューナの同調周波数が、そのときに、どの周波数になっているかは、図２のＰＬＬ回路３０の可変分周回路３２や３５に設定する分周比から分かる。 …その認識結果に基づく制御データＣＴＬにより、不揮発性メモリ５１から、そのときの同調周波数に対応する４ビットのデータを読み出して、バッファメモリ５２に供給して、利得制御するようにすることができる。” | 对比文件明确公开了通过一个控制系统（包括不揮発性メモリ51、バッファメモリ52以及监控调谐频率的控制部如CPU）来生成并提供控制数据（4ビットのデータ），这些控制数据作为开关控制信号（スイッチング制御信号）施加到图11中的开关MOSFET上，从而控制電流増幅回路300（对应第二放大器级）的增益。虽然对比文件未明确描述对第一放大器级（可変利得増幅回路200）的增益进行同样的数字控制（其增益由模拟AGC电压控制），但公开了通过控制器输出数字控制信号来设置第二放大器级增益的基本特征。考虑到隐含公开判断标准宽松，可以认为控制器输出控制信号设置第二放大器级增益的特征被公开。对于同时控制第一级增益的部分，对比文件未涉及。但技术特征K的核心是“控制器被配置为输出控制信号以控制...增益控制电路来设置第二放大器级的增益”，这部分已被直接公开。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：所述控制器被配置为输出第一控制信号以控制电流转向器将所选择量的所述第一电流转向到形成AC接地的节点，而将所述第一放大器级的所述增益设置为所选择的增益设置，并且所述控制器被配置为输出第二控制信号以选择性地使能所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路，而将所述第二放大器级的所述增益设置为所选择的所述增益设置。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件虽然公开了控制器输出控制信号（4位数据）来选择性地使能并联的MOSFET支路（对应特征J），从而设置第二放大器级的增益，但并未公开“将所选择量的第一电流转向到形成AC接地的节点”这一具体操作方式。目标专利中（如图8、11）的电流转向涉及将电流分流到一个形成AC虚地的节点（如节点760），以实现增益调节而不影响输入阻抗。对比文件的增益调节机制是通过改变电流镜的镜像比例来实现，其电流路径和节点功能不同，没有涉及形成AC接地的节点进行电流转向。因此，技术特征L中关于第一控制信号和AC接地节点的部分未被公开，尽管第二控制信号使能并联支路的部分已被隐含公开（特征J），但作为一个整体技术特征，L未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：所述增益控制电路包括第二电流转向器，所述第二电流转向器被配置为将所选择量的第二电流转向以设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件中用于设置第二放大器级（電流増幅回路300）增益的电路是如图10、11所示的可编程电流镜结构。虽然该结构可以视为一种电流转向或电流分配的实现方式，但目标专利的“第二电流转向器”（如图10中的1000）具有特定的结构和连接方式，用于在互补共源放大器级中实现增益控制。对比文件的电路结构不同，且未明确描述为“第二电流转向器”。从严格直接公开的角度，技术特征M未被直接公开。从隐含公开角度看，对比文件的增益控制电路（可编程电流镜）确实实现了通过控制电流路径（可视为一种转向）来设置增益的功能，但考虑到其电路拓扑与目标专利的“第二电流转向器”存在差异，且目标专利权利要求中“第二电流转向器”是与“第一放大器级具有电流转向器”相呼应的特定构件，谨慎判断下，认为技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：所述电流转向器被配置为将所选择量的所述第一电流转向到节点，并且所述第二电流转向器被配置为将所述所选择量的所述第二电流转向到所述节点，所述节点形成AC信号接地。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件完全没有公开任何关于两个电流转向器将电流转向到同一个形成AC信号接地的节点的技术内容。目标专利的这一特征（如图11所示）是其实现特定工作模式（保持输入阻抗恒定）的关键之一。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：进一步包括耦合在所述节点与信号接地之间的电容器，所述所选择量的所述第一电流和所述所选择量的所述第二电流在所述节点处在相反方向上流动，导致在所述节点与所述电容器之间流动的第三电流，所述第三电流比所述第一电流或所述第二电流小。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件未公开如技术特征N所述的节点，自然也未公开与该节点耦合的电容器以及在该节点处电流相消流动的具体细节。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号以控制电流转向器设置所述第一放大器级的所述增益，并控制所述第二电流转向器设置所述第二放大器级的所述增益。<br>**《直接公开》** | [2] “ここで、スイッチ用ＭＯＳＦＥＴ３６１１〜３６１５および３６２１〜３６２５をスイッチング制御する４ビットのデータは、…不揮発性メモリ５１に蓄えられている。” <br> [2] “その認識結果に基づく制御データＣＴＬにより、不揮発性メモリ５１から、そのときの同調周波数に対応する４ビットのデータを読み出して、バッファメモリ５２に供給して、利得制御するようにすることができる。” | 此特征与技术特征K实质内容重叠，均涉及控制器输出控制信号设置增益。对比文件已公开控制器（通过内存和缓冲器）输出控制信号（4位数据）来设置第二放大器级（電流増幅回路300）的增益。虽然未明确提及控制“第一放大器级”的电流转向器，但已公开了控制器控制第二放大器级增益控制电路（其包含可视为电流转向的结构）的核心部分。因此，技术特征P被对比文件直接公开。 |
| **技术特征Q**：进一步包括累积电路，所述累积电路被配置为接收所述第一放大信号和所述第二放大信号并输出差分信号。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 对比文件的放大电路输出是差分信号（O1, O2），但并未公开一个独立的“累积电路”（如目标专利图3中的306，包含变压器352）来接收两个放大信号并合成差分输出。对比文件中，差分输出是直接来自电流放大级300的输出节点。其电路中存在的共模反馈电路（コモンモードフィードバック回路150）用于稳定直流工作点，并非用于合并两个反相/非反相信号以输出差分信号的“累积电路”。因此，技术特征Q未被对比文件公开。 |
| **技术特征R**：所述累积电路包括偏置信号发生器，所述偏置信号发生器生成偏置所述第一放大信号和所述第二放大信号的偏置信号。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 基于特征Q未被公开，且对比文件中未提及目标专利中由累积电路（变压器中心抽头）产生偏置信号VBN1的类似结构，因此技术特征R未被对比文件公开。 |
| **技术特征S**：所述累积电路包括在第一绕组两端接收所述第一放大信号和所述第二放大信号的变压器，所述第一绕组具有向所述偏置信号发生器输出共模电压信号的中心抽头。<br>**《未公开》** | 未发现相关记载。 | 基于特征Q和R未被公开，对比文件中不存在这样的变压器结构，因此技术特征S未被对比文件公开。 |
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