**对比文件名称**：2014-07-24_发明申请_WO2014113417A2 AMPLIFIER WITH SWITCHABLE COMMON GATE GAIN BUFFER
**目标专利名称**：173互补共栅和共源放大器中的增益控制CN107005202B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
**特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 包括：第一放大器级，被配置为放大输入端子处的输入信号以生成第一放大信号**《直接公开》 | 参见图3及说明书[0023]、[0025]段：“The switchable gain buffer 308 comprises three (3) gain channels (e.g., Chan 1, Chan 2, and Chan 3)... The pin P3 acts as a common input terminal to all the gain channels and the amplified signal input at P3 is therefore connected to all the gain channels.” “During operation, one of the available gain channels may be selected to couple the signal at P3 to the terminal 310 of transformer X2.” | 对比文件公开了一个“可切换增益缓冲器308”，它包含多个增益通道（Chan 1, Chan 2, Chan 3），这些通道共享一个公共输入端子P3，并被配置为放大该输入端子处的输入信号，并将放大后的信号输出到变压器X2的端子310。这构成了一个被配置为放大输入信号以生成（第一）放大信号的放大器级。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B. ，所述第一放大器级具有电流转向器，**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件中通过开关（S1-S7）选择不同的、完整的增益通道（Chan 1, 2, 3）来实现增益切换，每个通道是一个独立的共栅放大器支路。 | 对比文件中的增益控制是通过开关选择不同的、完整的放大器支路（增益通道）来实现的。目标专利中的“电流转向器”是一个位于放大器级内部的特定结构，它通过将流过主放大晶体管的电流有选择地分配到不同路径（例如输出路径和AC接地路径）来调整增益，而主放大器晶体管的工作状态保持不变。对比文件未公开这种在同一放大器级内部、通过控制电流路径分配来调整增益的“电流转向器”结构。因此，技术特征B未被公开。 |
| **C. 所述电流转向器被配置为选择性地将第一电流转向以设置所述第一放大器级的增益**《未公开》 | 未发现对应描述。增益设置通过选择具有不同晶体管尺寸和/或偏置的完整增益通道实现（参见[0033]段）。 | 由于对比文件未公开“电流转向器”这一结构（特征B），因此其“选择性地将第一电流转向以设置增益”的功能自然也未被公开。对比文件设置增益的方式是切换至不同的放大器支路，而非在单一支路内进行电流转向。因此，技术特征C未被公开。 |
| **D. 以及第二放大器级，被配置为放大所述输入端子处的所述输入信号以生成第二放大信号，**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件的放大器结构（图3）仅包含一个可切换的共栅增益缓冲器级（308）。其前级的LNA 304是独立的放大器，并非与缓冲器308并行接收同一输入信号并生成另一路放大信号的“第二放大器级”。 | 目标专利要求两个放大器级（共栅和共源）并行工作，均接收同一输入信号并分别生成两路放大信号。对比文件仅公开了一个放大器级（可切换增益缓冲器308）。虽然存在LNA 304，但它是作为前级驱动，其输出（P2/P3）作为缓冲器308的输入，两者是串联关系，而非权利要求所述的并行关系。因此，技术特征D未被公开。 |
| **E. 所述第二放大器级具有设置所述第二放大器级的增益的增益控制电路**《未公开》 | 未发现对应描述。 | 由于对比文件未公开“第二放大器级”（特征D），因此其具有的“增益控制电路”也未被公开。因此，技术特征E未被公开。 |
| **F. ，其中所述第一放大器级被配置为互补共栅放大器，**《未公开》 | 对比文件中的增益通道为共栅（Common Gate）放大器，例如[0026]段描述“Chan 1 includes NMOS transistor M3 configured as a common gate amplifier.” 但所有通道均为NMOS单端结构。 | 目标专利的“互补共栅放大器”特指同时包含PMOS和NMOS晶体管对（如图3中的308,310,312,314）的对称结构。对比文件公开的共栅放大器仅为NMOS单端结构（如M3, M5, M7），并未公开包含PMOS器件的“互补”结构。因此，技术特征F未被公开。 |
| **G. 所述互补共栅放大器生成相对于所述输入信号非反相的所述第一放大信号**《未公开》 | 共栅放大器本身具有非反相特性。但如特征F所述，对比文件公开的是非互补的共栅放大器。 | 虽然共栅放大器的非反相特性是本领域公知，但该特征是与“互补共栅放大器”这一特定结构绑定的。由于对比文件未公开“互补共栅放大器”（特征F），因此该特征所限定的“互补共栅放大器生成非反相信号”的技术方案未被公开。因此，技术特征G未被公开。 |
| **H. ，并且其中所述第二放大器级被配置为互补共源放大器，**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件全文未提及“共源放大器（Common Source）”或“互补共源放大器”。 | 对比文件未公开任何形式的共源放大器级，更未公开同时包含PMOS和NMOS晶体管对的“互补共源放大器”。因此，技术特征H未被公开。 |
| **I. 所述互补共源放大器生成相对于所述输入信号反相的所述第二放大信号。**《未公开》 | 未发现对应描述。 | 由于对比文件未公开“互补共源放大器”（特征H），因此该放大器生成反相信号的功能自然也未被公开。因此，技术特征I未被公开。 |
| **J. 所述增益控制电路包括互补共源共栅晶体管的并联支路，所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路被选择性地使能以设置所述第二放大器级的所述增益。**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件未涉及“互补共源共栅晶体管”的结构。 | 该特征限定了第二放大器级增益控制电路的具体结构为“互补共源共栅晶体管的并联支路”。对比文件完全没有公开这样的电路结构。因此，技术特征J未被公开。 |
| **K. 进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号，以控制所述电流转向器来设置所述第一放大器级的所述增益并且控制所述增益控制电路来设置所述第二放大器级的所述增益。**《未公开》 | 对比文件公开了基带处理器（207）输出控制信号（305, c1-c7）来控制开关（S1-S7）以选择增益通道（参见[0031]段）。 | 对比文件公开的控制器（基带处理器）输出控制信号用于选择不同的增益通道。然而，目标专利的控制器用于控制“电流转向器”和“增益控制电路”，这两者在对比文件中均未被公开（见特征B、E）。控制对象不同，实现的功能（通道切换 vs. 电流转向/支路使能）也不同。因此，技术特征K未被公开。 |
| **L. 所述控制器被配置为输出第一控制信号以控制电流转向器将所选择量的所述第一电流转向到形成AC接地的节点，而将所述第一放大器级的所述增益设置为所选择的增益设置，并且所述控制器被配置为输出第二控制信号以选择性地使能所述互补共源共栅晶体管的所述并联支路，而将所述第二放大器级的所述增益设置为所选择的所述增益设置。**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件未涉及“AC接地的节点”以及通过电流转向或使能互补共源共栅支路来设置增益。 | 该特征非常具体地描述了控制器如何分别控制第一和第二放大器级的增益。对比文件完全没有公开将电流转向到“AC接地节点”的操作，也没有公开“互补共源共栅晶体管的并联支路”。因此，技术特征L未被公开。 |
| **M. 所述增益控制电路包括第二电流转向器，所述第二电流转向器被配置为将所选择量的第二电流转向以设置所述第二放大器级的所述增益。**《未公开》 | 未发现对应描述。 | 对比文件未公开“第二放大器级”（特征D），也未公开用于该级的“第二电流转向器”。因此，技术特征M未被公开。 |
| **N. 所述电流转向器被配置为将所选择量的所述第一电流转向到节点，并且所述第二电流转向器被配置为将所述所选择量的所述第二电流转向到所述节点，所述节点形成AC信号接地。**《未公开》 | 未发现对应描述。 | 该特征描述了两个电流转向器共同将电流转向到一个“AC信号接地”节点的具体架构。对比文件完全没有公开这样的节点或架构。因此，技术特征N未被公开。 |
| **O. 进一步包括耦合在所述节点与信号接地之间的电容器，所述所选择量的所述第一电流和所述所选择量的所述第二电流在所述节点处在相反方向上流动，导致在所述节点与所述电容器之间流动的第三电流，所述第三电流比所述第一电流或所述第二电流小。**《未公开》 | 未发现对应描述。 | 该特征进一步限定了AC接地节点的具体实现细节，包括连接的电容器以及复杂的电流关系。对比文件完全没有公开相关内容。因此，技术特征O未被公开。 |
| **P. 进一步包括控制器，所述控制器被配置为输出控制信号以控制电流转向器设置所述第一放大器级的所述增益，并控制所述第二电流转向器设置所述第二放大器级的所述增益。**《未公开》 | 参见对特征K的论述。 | 与特征K类似，但更侧重于两个电流转向器。由于对比文件未公开“电流转向器”和“第二电流转向器”（特征B、M），因此该特征也未被公开。 |
| **Q. 进一步包括累积电路，所述累积电路被配置为接收所述第一放大信号和所述第二放大信号并输出差分信号。**《未公开》 | 对比文件图3中，变压器X2将单端信号转换为差分信号输出给混频器306（参见[0024]段）。 | 对比文件的变压器X2接收的是**单个**放大器级（所选中的增益通道）的输出信号，并将其转换为差分信号。目标专利的“累积电路”是接收**两个**放大器级（共栅和共源）输出的两路信号，并将其组合（累积）为差分信号。两者功能（单端转差分 vs. 两路合并为差分）和输入信号数量不同。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **R. 所述累积电路包括偏置信号发生器，所述偏置信号发生器生成偏置所述第一放大信号和所述第二放大信号的偏置信号。**《未公开》 | 对比文件有偏置发生器312（参见[0030]段），但它生成的是用于增益通道晶体管（M3，M4等）的栅极偏置电压（VBx, VCx），并非用于“偏置第一和第二放大信号”。 | 目标专利的偏置信号发生器（如图3中的比较器358）是累积电路的一部分，其生成的偏置信号（如VBN1）用于偏置放大信号的共模电平。对比文件的偏置发生器312是独立的电路，为放大器的有源器件提供工作点偏置，两者作用不同。因此，技术特征R未被公开。 |
| **S. 所述累积电路包括在第一绕组两端接收所述第一放大信号和所述第二放大信号的变压器，所述第一绕组具有向所述偏置信号发生器输出共模电压信号的中心抽头。**《未公开》 | 未发现对应描述。对比文件变压器X2的第一绕组没有中心抽头，其一个端子接增益通道输出，另一个端子接Vdd（参见图3及[0024]段）。 | 该特征限定了累积电路中变压器的具体连接方式：其第一绕组两端分别接收两路放大信号，并具有输出共模电压的中心抽头。对比文件的变压器X2不具备此结构：其第一绕组一端接放大器输出，另一端接电源，且无中心抽头。因此，技术特征S未被公开。 |
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