**对比文件名称：** 2012-03-21_发明公开_EP2430661A1 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION
**目标专利名称：** 用于存储器器件的金属化工艺CN107924994B
**模型名称：** 本次调用的模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：**<br>所述方法包括：形成第一金属化层，所述第一金属化层耦合至器件的逻辑器件。<br>**判断结果：直接公开** | [0023] “For example, a logic process may define placement of the copper in the bottom trench 202 and in the bottom via 204 in the logic area 110.”<br>（例如，逻辑过程可以定义在逻辑区域110中底部沟槽202和底部通孔204中铜的放置。） | 对比文件公开了在逻辑区域（logic area 110）形成底部金属填充沟槽（bottom trench 202）和底部通孔（bottom via 204）。这些由铜填充的沟槽和通孔构成了与逻辑器件相关联的互连结构，即耦合至逻辑器件的金属化层。本领域技术人员能毫无疑义地确定，该“底部金属填充沟槽和通孔”对应于目标专利中“耦合至器件的逻辑器件”的“第一金属化层”。作用均为逻辑器件提供电连接。 |
| **技术特征B：**<br>以及形成专用金属化层，所述专用金属化层耦合至所述器件的磁阻随机存取存储器MRAM模块。<br>**判断结果：直接公开** | [0032] “A second copper damascene process may be performed to open top trenches 702 in the third insulating layer 604 and to open at least one of a top via 704 to the patterned top electrode 502 and a logic via 706 to the copper in the bottom trench 202...”<br>（可以执行第二铜镶嵌工艺以在第三绝缘层604中打开顶部沟槽702，并打开至图案化顶部电极502的顶部通孔704或至底部沟槽202中铜的逻辑通孔706中的至少一者...） | 对比文件公开了通过“第二铜镶嵌工艺”形成“顶部通孔704”（top via 704）和“顶部沟槽702”（top trench 702）。其中，“顶部通孔704”直接连接至MTJ器件（即MRAM模块）的“图案化顶部电极502”。因此，这些顶部通孔和沟槽构成了耦合至MRAM模块的金属化层结构。本领域技术人员能毫无疑义地确定其对应于目标专利中“耦合至所述器件的MRAM模块”的“专用金属化层”。作用均为MRAM模块提供电连接（如位线连接）。 |
| **技术特征C：**<br>其中所述专用金属化层不同于所述第一金属化层，并且其中所述专用金属化层不与所述逻辑器件共享。<br>**判断结果：直接公开** | [0023] “...in the logic area 110.” （...在逻辑区域110中。）<br>[0032] “...a top via 704 to the patterned top electrode 502...” （...至图案化顶部电极502的顶部通孔704...） | 对比文件明确区分了用于逻辑区域（110）的底部金属化层（底部沟槽202/通孔204）和用于连接MRAM（MTJ器件）的顶部金属化层（顶部通孔704/沟槽702）。它们在结构（位置、连接对象）、形成工艺（第一 vs 第二铜镶嵌工艺）上均不同。顶部通孔704专门连接到MTJ器件的顶部电极502，而不连接到逻辑区域的组件，即不与逻辑器件共享。本领域技术人员能毫无疑义地得出两者不同且不共享的结论。作用均在于实现MRAM与逻辑器件互连的独立性。 |
| **技术特征D：**<br>其特征在于，所述第一金属化层是使用后端制程BEOL金属化工艺来形成的，其中所述专用金属化层是使用专用于形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件的金属化工艺来形成的。<br>**判断结果：直接公开** | [0023] “A first copper damascene process may be performed...” （可以执行第一铜镶嵌工艺...）<br>[0032] “A second copper damascene process may be performed...” （可以执行第二铜镶嵌工艺...） | 对比文件中，“第一铜镶嵌工艺”形成了底部金属互连（第一金属化层），这是标准的BEOL金属化工艺。“第二铜镶嵌工艺”专门用于形成连接MTJ器件（MRAM模块）的“顶部通孔704”和“顶部沟槽702”，即专用于形成与MRAM模块相关联的组件。本领域技术人员能毫无疑义地确定其分别对应于目标专利的BEOL工艺和专用工艺。作用均在于区分通用互连层和存储器专用互连层。 |
| **技术特征E：**<br>其特征在于，所述BEOL金属化工艺指定正整数n个金属化层，并且其中所述器件包括至少n+1个金属化层。<br>**判断结果：未公开** | 无相应记载。 | 对比文件描述了底部和顶部金属化层的形成，但未提及任何关于基础BEOL金属化工艺所指定的金属化层数量（n），也未明确说明通过插入专用金属化层使得总层数变为n+1。该特征涉及特定的工艺设计规则和层数定义，对比文件未提供相关信息。 |
| **技术特征F：**<br>其特征在于，形成所述专用金属化层包括执行镶嵌工艺以形成所述一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括以下一者或多者：所述MRAM模块的位线或所述MRAM模块的阵列触点。<br>**判断结果：直接公开** | [0032] “A second copper damascene process may be performed to open top trenches 702 in the third insulating layer 604 and to open... a top via 704 to the patterned top electrode 502...”<br>（可以执行第二铜镶嵌工艺以在第三绝缘层604中打开顶部沟槽702，并打开...至图案化顶部电极502的顶部通孔704...） | 对比文件明确公开了通过“第二铜镶嵌工艺”形成“顶部通孔704”和“顶部沟槽702”。其中，“顶部通孔704”直接连接到MTJ器件的顶部电极502，在MRAM器件中，连接到存储单元顶部电极的金属结构可以起到位线或触点（如阵列触点）的作用。本领域技术人员能毫无疑义地确定，通过该镶嵌工艺形成的组件（顶部通孔/沟槽）即对应于MRAM模块的位线或触点。作用均为对MRAM单元进行寻址和信号传输。 |
| **技术特征G：**<br>其特征在于，进一步包括在形成所述专用金属化层之后形成第三金属化层，其中所述第一金属化层与第一节距相关联，所述第一节距小于与所述第三金属化层相关联的第二节距，其中所述专用金属化层被配置成利用所述第一金属化层的所述第一节距来形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括基于电阻的存储元件。<br>**判断结果：未公开** | 无相应记载。 | 对比文件未描述在所述“专用金属化层”（即顶部通孔704/沟槽702层）**之后**再形成一个“第三金属化层”。此外，对比文件未讨论任何金属化层的“节距”（pitch）关系，也未提及专用金属化层“利用”第一金属化层的节距来形成MRAM组件。虽然对比文件的MTJ器件本身是“基于电阻的存储元件”，但技术特征G作为一个包含特定层序、节距关系和配置目的的完整技术方案，并未被对比文件公开。 |
| **技术特征H：**<br>其特征在于，所述第一节距是遵循所述器件的后端制程BEOL金属化工艺的特定节距。<br>**判断结果：未公开** | 无相应记载。 | 对比文件未提及任何金属化层的“节距”，也未提及BEOL工艺的“特定节距”。该特征是关于设计规则的具体限定。 |
| **技术特征I：**<br>其特征在于，所述第一金属化层具有第一密度，所述第一密度大于与所述第三金属化层相关联的第二密度。<br>**判断结果：未公开** | 无相应记载。 | 对比文件未提及任何金属化层的“密度”，也未提及“第三金属化层”。该特征是关于金属化层物理属性的限定。 |
| **技术特征J：**<br>其特征在于，形成所述第一金属化层和形成所述专用金属化层是通过处理器执行指令来发起的。<br>**判断结果：直接公开** | [0053] “The computer may be coupled to one or more semiconductor fabrication devices and configured to execute instructions to initiate formation of a magnetic tunnel junction (MTJ) device on a structure that includes a bottom cap layer and a bottom metal-filled trench having a normal axis... The computer may also be configured to execute instructions stored at the computer readable medium to initiate a copper damascene process to open a top trench in the insulating layer, to open a top via to the top electrode...”<br>（计算机可以耦合到一个或多个半导体制造设备并被配置成执行指令以发起在包括底部盖层和具有法线的底部金属填充沟槽的结构上形成磁性隧道结（MTJ）器件...计算机还可以被配置成执行存储在计算机可读介质上的指令以发起铜镶嵌工艺，以在绝缘层中打开顶部沟槽，打开至顶部电极的顶部通孔...） | 对比文件明确公开了通过计算机（包含处理器）执行指令来发起MTJ器件的制造过程，该过程包括形成底部金属填充沟槽（对应第一金属化层）和通过铜镶嵌工艺形成顶部沟槽/通孔（对应专用金属化层）。这直接对应于目标专利中“通过处理器执行指令来发起”形成金属化层的特征。作用均为实现制造过程的自动化与控制。 |
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