对比文件名称：US2008272875A1_Description_20260219_0453
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
模型名称：DeepSeek-R1
根据目标专利说明书和权利要求的描述，目标专利的核心在于一种“梯度层堆叠电感器”，其关键特征在于螺旋电感器（尤其是最内匝）在垂直于基板方向上的厚度根据一个梯度（从第一厚度到更大的第三厚度）而增大，目的是减小最内匝的导电体积以降低涡流损耗，从而降低电阻。对比文件US2008272875A1公开了一种“交错三维片上差分电感器和变压器”，其核心在于通过将线圈的匝分成部分绕组并在不同层上交错排列（水平错开），以减小寄生电容、提高自谐振频率和品质因数。两者的发明目的和技术手段有本质区别。
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征比对表格：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或部分) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 | [0035] “The interleaved on-chip differential inductor 10 shown in FIG. 1 is located on or associated with six layers of a generally non-conductive substrate built on top of a chip... The substrate 7, it will be understood, preferably is a generally non-conductive or dielectric material such as silicon dioxide.” | **直接公开**。对比文件明确公开了电感器位于或关联于芯片上构建的基板（substrate）上，并且基板是非导电或介电材料。这与目标专利中作为支撑结构的基板作用相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一特征。 |
| **技术特征B**：以及 布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器， | [0035] “The interleaved on-chip differential inductor 10... contains a first coil 20 and a second coil 30...”； [0042] “The partial windings of the differential inductor shown in FIGS. 1-3 are therefore interleaved both horizontally as well as vertically.” | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件公开了布置在基板上的电感器（线圈），但该电感器是“交错三维差分电感器”，其部分绕组在不同层上水平交错排列以减小寄生电容。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指电感器厚度从最内匝到最外匝（或在最内匝内）根据梯度单调递增的结构，目的是减小涡流损耗。对比文件全文未提及电感器厚度变化，也未提及“梯度层堆叠”。两者结构原理和作用不同。本领域技术人员无法从对比文件中得出“梯度层堆叠电感器”的技术方案。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 | [0037] “The conductive partial windings may be made of a metal...”； [0039] “... the first coil 20 has a ‘left’ or first partial winding 21 on the first layer 12...” | **隐含公开**。对比文件公开了由金属制成的部分绕组（partial windings）布置在不同层上。对于一个螺旋线圈（如线圈20或30），其最内匝由分布在多个层上的部分绕组连接构成。这些部分绕组在垂直于基板的方向上必然具有一个物理厚度（即金属层的厚度）。虽然对比文件未明确测量并指出“最内匝的第一部分厚度”，但根据其结构描述和制造常识（沉积金属层），本领域技术人员能够合理推断出构成最内匝的任一部分绕组（例如，位于某层上的部分绕组21）在垂直方向上具有一个厚度。该厚度在对比文件中是部分绕组本身固有的物理属性。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度， | [0039] “... connected by a via 22 to a ‘right’ or second partial winding 23 on the second layer 13.” | **隐含公开**。理由同技术特征C。构成最内匝的另一个部分绕组（例如，部分绕组23）在垂直方向上同样具有一个物理厚度。虽然对比文件未明确区分并命名“第一部分”和“第二部分”，但从线圈结构可知，最内匝由多个部分绕组段组成，每个部分绕组段都具有厚度。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度， | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件完全没有提及构成同一线圈（或最内匝）的不同部分绕组在垂直方向上的厚度存在差异。其关注点在于部分绕组的水平交错排列以增大间距，降低层间电容。目标专利中“第二厚度大于第一厚度”是实现在最内匝内厚度梯度变化的关键。本领域技术人员无法从对比文件公开的任何内容中，推理出同一线圈最内匝的不同部分具有不同且递增的厚度。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度， | [0039] “The right partial winding 23 is connected by a via 24 to a ‘left’ or third partial winding 25 on the third layer 14...” | **隐含公开**。理由同技术特征C和D。构成最内匝的再一个部分绕组（例如，部分绕组25）在垂直方向上具有厚度。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度， | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件完全没有提及构成同一线圈（或最内匝）的不同部分绕组的厚度之间存在“第三厚度大于第一和第二厚度”的关系。这是目标专利实现厚度梯度递增的具体数值关系，在对比文件中毫无记载或暗示。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。这是目标专利的核心发明点。对比文件完全没有公开电感器厚度（尤其是最内匝厚度）沿着螺旋路径（或从内到外）梯度增大的任何内容。其交错结构是为了水平错位，垂直方向的层厚可能是均匀的。本领域技术人员无法从对比文件中推理出厚度梯度的技术方案。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 | [0035] “... contains a first coil 20 and a second coil 30...”； [0039] 描述了线圈20和30由部分绕组通过通孔连接构成； [0040] “Each set of a ‘left’ partial winding and a ‘right’ partial winding on a layer... are not connected except at the bottom layer 17...” | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件公开了第一线圈20和第二线圈30，但它们是两个独立的差分线圈，通过中心抽头连接，并非一个覆盖另一个的“第一导电螺旋和第二导电螺旋”。目标专利的特征I描述了一种阶梯层堆叠结构，其中上层螺旋覆盖下层螺旋，并且最内匝的不同部分由不同螺旋构成。对比文件的线圈是交错但独立的，不存在“覆盖”关系，也未描述最内匝的特定部分仅由下层螺旋构成、另一部分由上下螺旋共同构成等具体结构。两者结构布局和作用原理不同。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 | [0039] 描述了部分绕组21, 23, 25等，但未比较其长度； [0041] “... the partial windings in the first layer 12 are disposed farther from an imaginary vertical axis... than are the partial windings in the second layer 13...” 这指的是半径/位置，非指螺旋导体的自身长度。 | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件虽然描述了部分绕组位于不同半径，但并未提及或暗示不同螺旋（或同一螺旋的不同部分）的导体“长度”存在特定的大小关系（如第二螺旋长度大于第一螺旋长度）。长度关系是目标专利中与厚度梯度配合的另一个结构特征，在对比文件中无依据。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件中的结构由部分绕组和通孔构成，没有公开在两层螺旋之间还存在一个独立的“导电层”。目标专利的特征K引入了额外的导电层以实现更复杂的阶梯厚度变化，该特征在对比文件中完全没有出现。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。依赖于特征K中的导电层，既然特征K未被公开，特征L自然也未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 | [0035] “The first coil 20 has a port 60 and the second coil 30 has a port 70 at the top.” | **未公开（既非直接也非隐含）**。对比文件公开了线圈具有端口（port），但端口是连接到线圈端部的输入输出点，并非目标专利中所述“导电层包括输入输出引线”。目标专利的特征M是附加在特征K的导电层上的，该导电层本身未被公开。即使单独看“引线”，对比文件的端口作用类似于引线，但并未将其描述为导电层的一部分。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 | [0035] “The substrate 7... preferably is a generally non-conductive or dielectric material...”； 制造过程必然涉及层间介质。 | **隐含公开**。对比文件提及基板是非导电介质材料。在标准的集成电路多层制造工艺中，不同金属层之间通常会有介电层（ILD）进行隔离，其作用包括电气绝缘和钝化。虽然对比文件未明确使用“钝化层（passivation layer）”一词，但本领域技术人员知晓，在形成多层金属互连（如部分绕组和通孔）时，层间必然存在介电材料。这种介电层在目标专利中被称为“钝化层”，作用类似（电隔离）。因此，可以认为对比文件隐含公开了在导电螺旋之间存在介电/钝化层。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 | [0035] “The partial windings on different layers are connected by vias that run vertically through the layers.”； [0039] 具体描述了通过通孔（via 22, 24等）连接不同层的部分绕组。 | **直接公开**。对比文件明确且多次公开了不同层上的部分绕组通过垂直穿过层（即穿过层间介质）的通孔（vias）进行电连接。这与目标专利中通过穿过钝化层的通孔连接上下螺旋的技术方案完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 | 无相应内容 | **未公开（既非直接也非隐含）**。这是对技术特征E和H的具体化重申，即最内匝内厚度单调递增。如之前所述，对比文件完全没有提及或暗示厚度变化，更不用说单调递增。因此，该特征未被公开。 |
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