对比文件名称：US2004184219A1_Description_20260223_1512
目标专利名称：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
模型名称：GPT-4
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板 《直接公开》 | [0093]段：“The interposer main body 98 is in the form of a square flat plate...” （中介层主体98为方形平板形式...） | 对比文件公开的中介层主体（interposer main body）98为平板形状，构成组装结构中的支撑基体，其作用与目标专利中的“基板”相同，均为提供机械支撑和电气互连的平台。本领域技术人员能够毫无疑义地将其视为一种基板。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷 《直接公开》 | [0031]段：“...an interposer having an approximately plate-shaped interposer main body having a first surface ... and a second surface formed with a recess...” （...一种中介层，其具有近似板状的中介层主体，该主体具有第一表面...以及形成有凹陷的第二表面...） | 对比文件明确记载了中介层主体（相当于基板）的第二表面形成有凹陷（recess）。虽然目标专利的凹陷位于“第一表面”，而对比文件位于“第二表面”，但“第一”和“第二”仅为相对位置描述。技术特征B的本质在于基板表面具有凹陷结构。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出基板具有凹陷的技术方案。凹陷在对比文件中用于容纳电容器，在目标专利中用于容纳互连，虽作用不同，但结构特征本身已被公开。因此，技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分， 《直接公开》 | [0031]段：“...a plurality of interposer main body side electrically conductive vias penetrating the interposer main body between the first surface and a bottom surface of the recess...” （...多个中介层主体侧导电通孔，穿透中介层主体在第一表面和凹陷底面之间...） | 对比文件公开了多个导电通孔（electrically conductive vias）穿透中介层主体。这些通孔从第一表面延伸至凹陷的底面。由于凹陷是基板表面向内凹入的部分，因此这些通孔穿过的区域属于基板的“非凹陷部分”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出存在延伸穿过基板非凹陷部分的多个穿基板通孔的技术方案。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 《隐含公开》 | [0031]段：“...penetrating the interposer main body between the first surface and a bottom surface of the recess...” （...穿透中介层主体在第一表面和凹陷底面之间...） | 对比文件公开了通孔穿透中介层主体，其一端位于第一表面。由于这些通孔的另一端终止于凹陷的底面，而凹陷形成于同一中介层主体的第二表面，因此从几何关系上可以合理推断，这些通孔在第一表面的端部必然位于“毗邻所述第一凹陷的区域”中。凹陷的存在定义了基板上的一个特定区域，通孔为了电连接至凹陷内的电容器，其第一表面的端部自然需要设置在靠近凹陷的位置。因此，技术特征D被隐含公开。 |
| 技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件的核心是集成电容器以去除噪声，并未描述或暗示将两个或多个穿基板通孔通过基板第二表面上的导体相互耦合以形成嵌入式电感器的结构。其通孔主要用于直接连接半导体器件、电容器和电路板，形成垂直互连，而非构成电感线圈。因此，技术特征E既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 《未公开》 | [0031]段：“...a capacitor disposed in the recess...” （...设置在凹陷内的电容器...） | 对比文件公开在凹陷内设置的是电容器，而非用于外部电气或机械连接的第一互连（如焊球）。目标专利的第一互连是封装与外部电路板之间的连接部件。对比文件中的凹陷用于容纳内置的无源器件（电容器），而非容纳外部互连以降低封装高度。两者的结构和功能均不同。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件中未提及“重分布层”（redistribution layer）这一结构。虽然其中介层主体上可能有布线或导体电路用于电气连接，但其目的是连接半导体器件和电容器，而非专门用于将凹陷内的外部互连（特征F未公开）耦合至特定的穿基板通孔。目标专利的重分布层是实现互连与通孔之间特定布线连接的关键结构。因此，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。 《隐含公开》 | [0031]段：“...a capacitor disposed in the recess and having front and rear surfaces and a plurality of capacitor side electrically conductive vias passing through the front and rear surfaces and electrically connected to the interposer main body side electrically conductive vias...” （...设置在凹陷内的电容器，具有前表面和后表面以及多个电容器侧导电通孔穿过前后表面，并电连接至中介层主体侧导电通孔...） | 对比文件明确公开了电容器设置在基板（中介层主体）的凹陷内。该凹陷位于基板的第二表面，因此电容器毗邻基板的第二表面。此外，电容器通过其自身的通孔（capacitor side electrically conductive vias）与中介层主体的通孔（interposer main body side electrically conductive vias）电耦合，后者可视为从凹陷延伸至基板第一表面的“第二穿基板通孔”。虽然目标专利的“第二穿基板通孔”可能特指从凹陷底部延伸的通孔，而对比文件是电容器自身的通孔与中介层通孔通过凸块连接，但本领域技术人员可以合理推断，为了实现电容器与基板另一侧的连接，必然存在某种形式的、与电容器电耦合的穿基板导电路径。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。 《未公开》 | 无相应内容 | 由于形成嵌入式电感器的技术特征E未被公开，因此关于该电感器具体包括至少两个穿基板通孔的特征I也未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。 《未公开》 | 无相应内容 | 由于形成嵌入式电感器的技术特征E未被公开，因此关于包括多个嵌入式电感器的特征J也未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件的中介层主体材料提及陶瓷（如氧化铝、氮化铝）、树脂基板等（见[0020]段），未提及玻璃基板。同时，第一互连（特征F）本身未被公开。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件未提及半导体材料作为中介层主体，也未提及金属柱作为互连。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件虽然提及树脂基板（属于有机基板）作为电路板41的材料，但其中介层主体（相当于目标专利的基板）优选为陶瓷材料（如[0031]段及实施例）。目标专利的该特征限定了基板本身为有机基板。对比文件未公开其中介层主体为有机基板。同时，第一互连（特征F）本身未被公开。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 《未公开》 | 无相应内容 | 同特征M。 |
| 技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷 《直接公开》 | [0219]段及图14：“...an interposer main body 98' ... formed with a plurality of recesses 99'...” （...中介层主体98'...形成有多个凹陷99'...） | 对比文件在修改实施例中明确公开了中介层主体可以形成有多个凹陷（a plurality of recesses）。这直接对应于目标专利中的“第二凹陷”（即除了第一凹陷之外的另一个凹陷）。因此，技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：以及<br>所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。 《未公开》 | 无相应内容 | 对比文件中多个凹陷99'内放置的仍然是电容器（101'），如[0219]段及图14所示，而非用于机械紧固的焊球互连。目标专利中第二互连仅具机械功能的特点未被对比文件公开。因此，技术特征P未被公开。 |
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