对比文件名称：JPH10340929A Wiring board for mounting electronic part
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 【0013】电子部品搭載用の配線基板１０はガラスエポキシ基材、フェノール基材、合成樹脂基材、テフロン含有基材、ポリイミド樹脂基材、ＢＴレジン（ビスマレィミド−トリアジン樹脂）基材、変性ＢＴレジン基材またはセラミック等の絶縁性基材１であり... | 对比文件公开了用于安装电子部件的布线板，其具有绝缘性基材1。该绝缘性基材构成了目标专利中“基板”的基本结构，其作用是作为电子部件的载体和电气互连的平台，这与目标专利中基板的作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《直接公开》 | 【0013】...配線基板１０の下部にあるバンプ形成側の基板表面５Ａから絶縁性基材１の内部に、その箇所の表面中央部がへこんだ非貫通穴となる凹形状の電極パッド６を陥没して形成し... | 对比文件明确公开了在基板表面（基板表面5A）形成凹陷状的电极焊盘6。该凹形电极焊盘（凹形状の電極パッド）是基板表面向内凹陷形成的，用于容纳球形凸块。这与目标专利中“在基板的第一表面中的第一凹陷”的结构特征和作用（容纳互连）完全相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，**<br>《隐含公开》 | 【0013】絶縁性基材１の所定箇所にバンプを形成する側からレーザー加工をし、電子部品搭載面の表面外層導体３に達する絶縁性基材１を貫通する穴７を設ける。【0014】また、この配線基板１０には貫通孔は設けず非貫通穴として... | 对比文件描述了“贯通基材的孔7”（絶縁性基材を貫通する穴７），该孔从凸块形成侧加工直到到达电子部件搭载面的表面外层导体3，这表明其是贯穿基板的。同时，对比文件也提到了“非贯通孔”（凹形状の電極パッド6），这是盲孔。权利要求中“第一穿基板通孔”定义为延伸穿过基板的非凹陷部分。对比文件公开的“贯通孔7”是贯穿基板的通孔，本领域技术人员结合其描述可以理解，为了实现电气连接，基板上必然存在这类贯穿的通孔结构，且它们位于非凹陷的区域。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未描述任何贯穿通孔（如果存在的话）的端部是否位于“毗邻第一凹陷的区域”。对比文件主要聚焦于凹形电极焊盘（凹陷）本身及其内的导体层，并未提及在凹陷附近的非凹陷区域存在通孔以及这些通孔端部的具体位置关系。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何穿基板通孔之间通过基板另一表面的导体进行耦合，更没有提及这种耦合是为了形成“嵌入式电感器”。对比文件中孔（贯通孔或非贯通孔）的作用是实现上下层导体间的垂直电气连接，而非形成电感器线圈。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《直接公开》 | 【0016】次に、配線基板１０に形成されている凹形状の電極パッド６の内部に、はんだ付用フラックスまたは導電性ペースト８を塗布あるいは充填し、そこに球形状のバンプ４５をはめ込んだ状態で接着して仮固定をする。 | 对比文件明确公开了将球形凸块45（バンプ４５）嵌入并固定在凹形电极焊盘6的内部，并通过导电膏8（導電性ペースト８）实现电耦合。球形凸块45即为互连结构，其被容纳在凹陷内并与凹陷耦合。这与目标专利中“第一互连”（如焊球）被包括在凹陷内并耦合至凹陷的特征和作用相同。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。**<br>《隐含公开》 | 【0013】...絶縁性基材１の両方の表面の所定箇所には所定の電子部品搭載面の表面外層導体３と、バンプ形成側の表面外層体５とを印刷法や写真法により形成し、電子部品搭載面の表面外層導体３とバンプ形成側の表面外層導体５とを非貫通穴内の導体層４で電気的に導通させる。【0015】...絶縁性基材１の表面の所定箇所には所定の電子部品搭載面の表面外層導体３と、バンプ形成側の表面外層体５とを印刷法や写真法により形成する。 | 对比文件公开了在基板两面（第一表面和第二表面）形成表面外层导体（3和5），并通过非贯通孔（盲孔）内的导体层4或贯通孔实现电气导通。这些表面外层导体（例如，凸块形成侧的表面外层导体5）是图案化的金属层，用于重新分布来自凹形电极焊盘（容纳互连）的电信号。本领域技术人员可以理解，这种表面外层导体结构起到了“重分布层”的作用，能够将凹陷内的互连（凸块45）电耦合至其他导体或通孔结构。虽然对比文件未明确使用“重分布层”一词，但其公开的表面外层导体结构和功能与重分布层相同。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何电容器结构，也未提及任何专门用于连接电容器的“第二穿基板通孔”。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开任何“嵌入式电感器”（见特征E论述），因此自然也未公开该电感器由至少两个第一穿基板通孔组成的技术特征。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开任何“嵌入式电感器”（见特征E论述），因此自然也谈不上有多个嵌入式电感器。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《直接公开》 | 【0013】电子部品搭載用の配線基板１０はガラスエポキシ基材...<br>【0016】バンプ４５の材質として金、銅、黄銅、軟銅、はんだ...<br>【0002】代表的なバンプ４５として、球形状のはんだボール４５Ａが一般的に使用されている | 对比文件明确公开了基板材料可以是玻璃环氧基材（ガラスエポキシ基材），其包含玻璃成分。同时，对比文件公开了凸块（バンプ45）可以是焊球（はんだボール45A）。这分别对应于目标专利中“玻璃基板”和“焊球”的特征。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件列举的基板材料（玻璃环氧、酚醛、合成树脂等）均为绝缘材料，并未提及半导体基板。同时，凸块的材质列举中包括金属，但未明确提及“金属柱”这一具体形式。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《直接公开》 | 【0013】电子部品搭載用の配線基板１０は...合成樹脂基材、ポリイミド樹脂基材、ＢＴレジン基材...<br>【0016】バンプ４５の材質として...はんだ...<br>【0002】代表的なバンプ４５として、球形状のはんだボール４５Ａが一般的に使用されている | 对比文件明确公开了基板材料可以是有机材料，如合成树脂基材、聚酰亚胺树脂基材、BT树脂基材等，这些都属于有机基板。同时，凸块可以是焊球（はんだボール45A）。这分别对应于目标专利中“有机基板”和“焊球”的特征。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《直接公开》 | （同技术特征M） | （同技术特征M）技术特征N与技术特征M的限定内容实质相同。基于与技术特征M相同的理由，该技术特征也被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件描述了形成凹形电极焊盘（凹陷），但并未明确区分或提及“第二凹陷”及其与第一凹陷的不同。其所有凹陷结构都是为了容纳互连凸块，没有公开具有特定功能或结构差异的第二凹陷。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何仅具有机械紧固功能、而不具备电功能的互连结构。其所有凸块（バンプ）都用于实现电气连接。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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