**对比文件名称**：2009-09-16_CN101533170A_发明公开_CN101533170A 液晶显示器、显示系统和识别物体的方法
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用 | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《隐含公开》 | 说明书第5页第5-7行：“多个第二光源，设置在液晶面板下方，并向液晶面板发射感测信号...感测信号SIG包括红外线，或者可选择地，例如包括超声波...多个传感器，设置在液晶面板中或设置在液晶面板下方...检测从物体OB反射的感测信号SIG”。 | 对比文件公开了一种系统，其包含发射感测信号（可包括超声波）的第二光源（IRLED）和用于检测从物体反射的该感测信号的多个传感器（SEN）。传感器的作用是检测反射的超声波能量，以识别物体形状。这与目标专利中“超声波接收器用于检测超声波能量”的作用（检测反射的超声波以获取信息）相同。因此，本领域技术人员能从对比文件公开的“检测感测信号的传感器”毫无疑义地得出用于检测超声波能量的接收器这一技术特征，故为隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | 说明书第4页第4-6行：“液晶面板400包括第一显示面板100...多条栅极线（未示出）、多条数据线（未示出）和多个像素电极（未示出）形成在第一显示面板100上”。图3及相应描述展示了包含TFT开关器件Qp的像素PX的等效电路。 | 对比文件明确公开了液晶面板包含由多条栅极线和数据线定义的多个像素（PX）的阵列，这些像素形成在显示面板（相当于衬底）上。像素阵列是液晶显示器的基本结构。因此，对比文件直接公开了“安置在衬底上的像素电路的阵列”。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及任何通过涂布含有聚合物的溶液来制造传感器或接收器层的方法。其传感器（SEN）是独立设置的红外传感器，液晶面板的结构是常规的液晶盒结构，不涉及聚合物溶液的涂布工艺。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《直接公开》 | 说明书第4页第1-4行：“源电极65和漏电极66...栅电极26、源电极65和漏电极66形成开关器件，例如，诸如开关器件Qp（图3）之类的薄膜晶体管”。图3显示了像素PX包含开关器件Qp（TFT）和像素电极PE。 | 对比文件明确且详细地描述了每个像素电路包含作为开关器件的薄膜晶体管（TFT）元件（如图3的Qp）。像素电极PE（图3）电连接到TFT的漏电极，其功能是接收数据电压以驱动液晶，这相当于一个“像素输入电极”。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及任何聚合物材料，更未提及使聚合物结晶以形成结晶层的工艺步骤。该特征是目标专利中形成压电层的核心步骤之一，在对比文件中完全没有基础。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何“成极工艺”、“施加电场形成压电层”或“压电层”。其传感器是红外传感器，而非由聚合物成极形成的压电层。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何“沉积在压电层上的接收器偏置电极”。其液晶面板中存在共电极（CE，图3、4），但该共电极的作用是与像素电极共同产生电场以驱动液晶分子，而非控制传感器信号向TFT的传递。功能和作用均不相同。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《直接公开》 | 说明书第4页倒数第2段：“根据本发明示例性实施例的共电极90由诸如氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）之类的透明导电材料形成...”。虽然此处描述的是共电极，但像素电极（如图3的PE）通常也由ITO等透明导电薄膜制成，这是本领域公知常识。 | 在液晶显示器领域，像素电极（即像素输入电极）常规由ITO等透明导电氧化物薄膜形成。对比文件明确提到了使用ITO/IZO这类导电薄膜作为电极材料。虽然具体描述像素电极材料时用语概括，但结合本领域公知技术，可以毫无疑义地得出像素输入电极由导电薄膜形成。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及任何涂布工艺，因此也不可能公开在涂布前使用助粘剂的步骤。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及任何溶液涂布工艺，因此不可能公开具体的涂布方式，如旋涂等。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何铁电聚合物或压电聚合物材料。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何具有居里温度和熔点的聚合物，也未公开通过特定温度范围焙烤使聚合物结晶的工艺。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何成极工艺，也未公开在类似工艺前用导电材料将像素电路端子短路到接地的保护措施。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及导电橡胶或导电墨水用于短路像素电路端子。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何具有铜子层和镍子层结构的接收器偏置电极。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何具有特定厚度（150埃铜层和850埃镍层）的电极结构。该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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