**对比文件名称**：2014-07-17_US2014198072A_发明申请_US20140198072A1 In-Pixel Ultrasonic Touch Sensor for Display Applications
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 <br>**《直接公开》** | 第[0042]段：“...piezoelectric receivers 110...The piezoelectric response at each display pixel is related to the density of the material touching the color filter glass at each point, and that signal can be used to map the position of objects touching the display.” | 对比文件明确公开了包含压电接收器（piezoelectric receivers）的装置，该接收器用于检测从显示面板前表面反射的超声波能量，以映射触摸对象的位置。这与目标专利中超声波接收器用于检测在其第一表面（即面向压板/对象的一面）接收到的超声波能量的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 <br>**《隐含公开》** | 第[0042]段：“...the display panel 104 includes an LCD backplane 108 that also incorporates an array of piezoelectric receivers 110...”； 第[0044]段：“Each pixel 200...comprises a light device 208...and a storage capacitor 210...A piezoelectric transducer 212 accepts reflected ultrasound signal...”； 第[0052]段：“Each display pixel has a storage capacitor...A touch sensor receiver is schematically integrated into each pixel...”。 | 对比文件公开了显示面板包含一个背板（backplane），该背板上集成了压电接收器阵列，并且每个显示像素都集成了一个压电换能器（piezoelectric transducer）。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，为了实现每个像素的触摸传感功能，该像素阵列必然包含相应的像素电路（如用于寻址、读出的TFT等），这些电路安置在衬底（即背板）上。因此，包含安置在衬底上的像素电路阵列这一技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 <br>**《直接公开》** | 第[0059]段：“2) Coat the surface with an ink of PVDF-TrFE copolymer dissolved in a solvent such as tetrahydrofuran (THF) or N,N-dimethylformamide (DMF);”。 | 对比文件明确公开了制造压电传感器（即超声波接收器的核心部分）的步骤，包括将PVDF-TrFE共聚物溶解在溶剂中形成的“墨水”涂布在表面上。这里的“表面”即对应像素电路阵列（具体为底电极）所在的一侧。该操作在对比文件中是用于形成压电层的关键步骤，与目标专利中涂布含有聚合物的溶液的作用完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 <br>**《直接公开》** | 第[0046]段：“The first switch 502 may be enabled as a single thin film transistor (TFT)...”； 第[0045]、[0053]段：描述了压电换能器/存储电容具有透明导电顶电极（300）和底电极（304），其中顶电极（300）同时作为液晶单元的控制电极（图4、5）。在第[0053]段明确指出顶电极为ITO等透明导电材料。 | 对比文件明确公开了每个像素包含一个作为开关的TFT（第一开关502）。同时，公开了像素具有一个透明导电顶电极（300），该电极在电路连接上既作为压电传感器的上电极，也作为像素（如液晶单元）的控制电极，其功能相当于收集压电电荷并将其输入到像素电路的“像素输入电极”。因此，包含至少一个TFT元件和像素输入电极的特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 <br>**《直接公开》** | 第[0059]段：“4) Anneal the resulting PVDF-TrFE film to crystallize. Typically at 130° C. for one hour;”。 | 对比文件明确公开了在涂布聚合物溶液后，通过退火（Anneal）步骤使PVDF-TrFE薄膜结晶。该步骤的目的和作用与目标专利中“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 <br>**《直接公开》** | 第[0059]段：“5) In a vacuum chamber apply a high field perpendicular to the surface of the PVDF-TrFE film to orient the ferroelectric domains. This process is referred to as poling;”。 结合第[0045]段及图3-5，压电层（302）被夹在底电极（304）和透明顶电极（300）之间，顶电极（300）即相当于像素输入电极。 | 对比文件明确公开了在结晶后进行极化（poling）工艺，即施加垂直于薄膜表面的高电场以使铁电畴取向，从而形成具有压电性的层。该压电层在结构上位于底电极和透明顶电极之间，自然与作为像素输入电极的透明顶电极（300）电接触。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 <br>**《隐含公开》** | 第[0045]段及图3-5：压电换能器/存储电容包括一个“透明导电顶电极（300）”覆盖在压电层（302）上。 第[0053]段：“...the storage capacitor (video)voltage is first set...Then, the reflected ultrasonic pulse generates a voltage in the piezoelectric sensor that is added to the video voltage.” 第[0074]段操作流程涉及读取像素电压以确定触摸。 | 对比文件公开了在压电层上设置有透明导电顶电极（300）。该电极在电路中用于施加显示视频电压，同时也用于读取因超声波反射而产生的触摸信号电压。本领域技术人员可以理解，该电极通过控制其电位或信号读取路径，能够影响或控制由压电层产生的信号是否及如何被传递至像素电路中的TFT进行读取，这体现了“控制相应信号被传递至所述TFT元件”的功能。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 <br>**《直接公开》** | 第[0053]段：“The conductive electrode may be made of indium tin oxide (ITO) or the like.” | 对比文件明确公开了像素的电极（包括作为像素输入电极的透明顶电极）是由ITO（氧化铟锡）等透明导电薄膜材料形成的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 <br>**《未公开》** | 对比文件未提及在涂布聚合物溶液前或过程中使用助粘剂。 | 对比文件第[0059]段描述的制造工艺仅包括清洁、涂布、烘烤、退火、极化等步骤，没有提及任何使用助粘剂的步骤。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特征。因此，该技术特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 <br>**《隐含公开》** | 第[0059]段：“2) Coat the surface with an ink of PVDF-TrFE copolymer dissolved in a solvent...”。 | 对比文件使用了广义的“Coat”（涂布）一词来描述该步骤。本领域技术人员知晓，对于将聚合物溶液涂布到基板表面，旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射是常规的、可互换的涂布技术手段。虽然对比文件未明确具体哪一种，但通过常规技术知识可以合理推断出可采用这些方式之一。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 <br>**《直接公开》** | 第[0044]段：“The piezoelectric layer may be a co-polymer of polyvinylidenefluoride or trifluoroethylene (PVDF-TrFE)...”； 第[0059]段：“...apply a high field...to orient the ferroelectric domains.” | 对比文件明确公开了所使用的聚合物是PVDF-TrFE共聚物，并且在极化步骤中明确提及使“铁电畴（ferroelectric domains）”取向，这证实了该聚合物是铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度和所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 <br>**《直接公开》** | 第[0059]段：“4) Anneal the resulting PVDF-TrFE film to crystallize. Typically at 130° C. for one hour;”。 | PVDF-TrFE是本领域公知的铁电聚合物，具有特定的居里温度（约135°C）和熔点（约150°C）。对比文件明确公开了在130°C下退火（焙烤）一小时的结晶条件，该温度正好落在其居里温度与熔点之间，且时间符合“至少一小时”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 <br>**《未公开》** | 对比文件未提及在极化工艺前施加任何导电材料以短路像素电路端子到接地。 | 对比文件第[0059]段描述的极化工艺简单提及在真空室中施加高电场，没有描述任何为了保护像素电路中的TFT等敏感元件而采取的短路措施。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该特征。因此，该技术特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 <br>**《未公开》** | 对比文件未提及任何用于短路的具体导电材料。 | 由于技术特征M本身未被公开，其从属特征N的具体材料限定自然也未被公开。对比文件中不存在相关内容。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 <br>**《未公开》** | 对比文件仅提及电极材料为ITO等透明导电材料（第[0053]段），未提及由铜和镍子层构成的多层结构。 | 对比文件公开的接收器偏置电极（即透明顶电极）是单一的透明导电氧化物层（如ITO）。没有公开任何关于该电极由金属子层（如铜、镍）构成的具体结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 <br>**《未公开》** | 对比文件未提供任何关于电极层厚度的具体数值。 | 由于技术特征O本身未被公开，其从属特征P的具体厚度限定自然也未被公开。对比文件中不存在相关内容。 |
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