**对比文件名称**：2012-01-04_CN101691202B_发明授权_CN101691202B 一种具有微结构的聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法
**目标专利名称**：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件CN101691202B公开的是一种压电薄膜的**制备方法**，其目的在于获得具有微结构的PVDF压电薄膜用于微传感器和致动器（参见[0001], [0007], [0021]）。通篇没有提及“超声波接收器”，也未描述任何用于检测超声波能量的装置、结构或功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件描述的是在硅或玻璃基底（1）上制备压电薄膜（参见[0009]步骤1，图1）。基底上设置有绝缘隔离层（2）和金属电极层（3），但并未提及任何“像素电路的阵列”，更没有提及像素电路包含TFT元件。其结构是用于MEMS器件的连续平面电极，而非像素化的传感阵列。因此，该技术特征未被公开。 |
| **C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未被公开》 | [0009]步骤3：“旋涂聚合物溶液：用旋涂机以1000-4000rpm的转速将步骤2)中配制好聚合物溶液旋涂于金属电极层上，得到聚合物层；” | 对比文件公开了将聚合物溶液旋涂到**金属电极层**上。然而，目标专利中涂布的对象是“像素电路的所述阵列的第一侧”，即涂布在包含TFT和像素输入电极的像素电路阵列上（参见目标专利[0034], [0048]）。对比文件中的“金属电极层”是一个连续的平面电极，其结构、功能（作为极化电极和可能的器件电极）和作用环境（非像素化阵列）均与目标专利的“像素电路阵列”有本质区别。因此，对比文件并未公开将溶液涂布到“像素电路的阵列”上这一技术特征。 |
| **D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件通篇未提及“薄膜晶体管(TFT)”、“像素电路”或“像素输入电极”。其涉及的电子元件仅为作为整体电极的“金属电极层”（3）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《直接公开》 | [0009]步骤5：“聚合物结晶和极化：在金属电极层和金属模具之间施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；”<br>[0021]：“...在电场作用下能使晶体结构趋于β晶型...” | 对比文件明确公开了在施加电场（极化）的过程中，聚合物发生结晶形成β晶型（即结晶聚合物层）。步骤5的“聚合物结晶和极化”是一个结合的过程，电场诱导分子链排列定向的同时也促进了结晶。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，经过该步骤后形成了结晶聚合物层。该特征被直接公开。 |
| **F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未被公开》 | [0009]步骤5：“聚合物结晶和极化：在金属电极层和金属模具之间施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；” | 1. **成极工艺**：对比文件步骤5明确公开了施加电场进行极化，这与目标专利的“成极工艺”实质相同，都是通过电场使聚合物偶极子定向以获得压电性。<br>2. **压电层与像素输入电极电接触**：这是该特征未被公开的核心。对比文件中，聚合物层是与“金属电极层”接触。如前所述，该“金属电极层”并非目标专利中像素电路的“像素输入电极”。目标专利强调压电层与每个像素的输入电极直接电接触以实现像素化信号采集（参见[0034], [0037]），而对比文件的金属电极层是连续的、非像素化的。因此，对比文件未公开“压电层与像素输入电极电接触”这一特定结构关系。 |
| **G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未被公开》 | [0009]步骤1：“...在绝缘隔离层上溅射100nm-400nm厚的金属电极层；”<br>图3-4：金属模具（5）压在聚合物层（4）上，作为施加电场的上电极。 | 1. **沉积电极**：对比文件在步骤1于基底上预先沉积了“金属电极层”（3），并在步骤5使用“金属模具”（5）作为上电极施加电场。金属模具是工艺工具，并非最终器件上永久沉积的“接收器偏置电极”。步骤1沉积的金属电极层位于聚合物层**下方**，而目标专利的接收器偏置电极位于压电层**上方**（参见[0037], [0050]）。位置和作用均不同。<br>2. **控制信号传递至TFT**：该功能配置以TFT阵列的存在为前提。对比文件无TFT元件，故其金属电极层不具备“控制信号被传递至TFT元件”的功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | [0009]步骤1：“...溅射100nm-400nm厚的金属电极层；” | 目标专利的“像素输入电极”是导电薄膜，例如ITO或IZO（参见[0048]）。对比文件中的“金属电极层”是通过溅射形成的金属薄膜，也属于“导电薄膜”。虽然该金属电极层并非“像素输入电极”，但本领域技术人员能够理解，要形成与压电层电接触的电极，采用溅射等薄膜工艺制备导电薄膜是常规技术手段。在对比文件公开了使用溅射金属薄膜作为电极的基础上，可以合理推断出使用“导电薄膜”形成电极是隐含的技术方案。因此，该特征被隐含公开。 |
| **I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件描述的制备工艺中，没有提及任何使用助粘剂的步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | [0009]步骤3：“旋涂聚合物溶液：用旋涂机以1000-4000rpm的转速将步骤2)中配制好聚合物溶液旋涂于金属电极层上，得到聚合物层；” | 对比文件明确且唯一地公开了通过“旋涂”的方式将聚合物溶液涂布到基底上。旋涂是目标专利所列举的涂布方式之一。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0002], [0009]步骤2：“将聚偏氟乙烯PVDF粉末或者聚偏氟乙烯PVDF及其共聚物粉末作为溶质...” | 聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物（如PVDF-TrFE）是本领域公知的铁电聚合物（参见目标专利[0040]）。对比文件明确使用PVDF及其共聚物作为原料。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《隐含公开》 | [0009]步骤4：“把旋涂好聚合物溶液的硅基底或玻璃基底放置在120-180℃热压印台上...”<br>步骤5：“...施加场强为50-800V/μm的电压，保持20分钟；”<br>[0021]：“...在加电场前进行抽真空，可使流动的材料充分填充入模具...” | 1. **聚合物特性**：对比文件使用的PVDF及其共聚物具有居里温度和熔点，这是本领域公知常识。<br>2. **结晶条件**：目标专利的结晶是通过在居里温度与熔点之间焙烤至少一小时实现的（参见[0051]-[0052]）。对比文件步骤4将涂有聚合物溶液的基底放置在120-180℃的热压印台上，该温度范围对于PVDF材料（居里温度约135℃，熔点约150℃-170℃）而言，确实落在其居里温度与熔点之间。步骤5在此温度下施加电场并保持20分钟，结合[0021]所述“在聚合物层还没有成膜时，在电场作用下能使晶体结构趋于β晶型”，本领域技术人员可以合理推断，在该温度下施加电场的过程同时完成了聚合物的结晶。虽然对比文件没有明确“焙烤至少一小时”，但其整个压印、抽真空、施加电场的过程总时长（步骤4-6）远超一小时（如实施例中退火处理达36小时），足以涵盖“至少一小时”的结晶过程。因此，该特征被隐含公开。 |
| **M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件的极化工艺（步骤5）中，未提及任何在施加电场前，为了保护敏感电路（如TFT）而将端子短路到接地的步骤。其电极直接连接电源施加高压。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未被公开》 | 无对应内容 | 由于特征M未被公开，特征N的具体材料选择自然也未被公开。 |
| **O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件未描述任何关于接收器偏置电极的多层结构。其金属电极层（3）是单层溅射金属（如铝、金等），金属模具（5）是工艺工具。因此，该技术特征未被公开。 |
| **P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未被公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开任何具有特定厚度（150埃和850埃）的铜子层和镍子层组合。因此，该技术特征未被公开。 |
**结论与代码输出**：
根据上述比对分析，对比文件CN101691202B直接公开了技术特征E、J、K；隐含公开了技术特征H、L；未公开技术特征A、B、C、D、F、G、I、M、N、O、P。
<<<E>>><<<J>>><<<K>>><<<h>>><<<l>>>