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对比文件列表
2002-01-17_US2002005765A_发明申请_US20020005765A1 Digital indirectly compensated crystal oscillators_+++B_C_D_J_a_e+++.docx
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2003-03-27_US2003058057A_发明申请_US20030058057A1 Integrated CMOS high precision piezo-electrically driven clock_+++J_M_b_d_e+++.docx
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2003-10-02_US2003184399A_发明申请_US20030184399A1 Indirect temperature compensation process in an oscillator_+++A_B_C_D_H_J_M+++.docx
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2003-10-07_US6630872B_发明授权_US06630872B1 Digital indirectly compensated crystal oscillator_+++A_B_D_J_c_e_f_g_h_l_m+++.docx
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2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx
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2007-06-21_JP2007158464A_发明专利_JP2007158464A Piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_M_j+++.docx
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2008-03-13_US2008061899A_发明申请_US20080061899A1 Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators_+++A_B_J+++.docx
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2008-03-20_WO2008033243A_发明申请_WO2008033243A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++B_J_a+++.docx
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2008-08-21_US2008197755A_发明申请_US20080197755A1 SURFACE-MOUNT TYPE CRYSTAL UNIT_+++A_B_C_D_G_H_J+++.docx
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2008-09-04_JP2008205938A_发明专利_JP2008205938A Crystal oscillator for surface mounting_+++A_B_G_J_c_d_e_h+++.docx
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2008-09-18_JP2008219123A_发明专利_JP2008219123A Temperature compensation piezoelectric oscillator_+++A_B_G_I_j+++.docx
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2008-09-30_KR100861087B_发明授权_KR100861087B1 멀티칩을 이용한 온도 보상형 수정 발진기 및 제조방법_+++A_B_g_m+++.docx
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2009-05-27_EP2062361A_发明公开_EP2062361A2 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2010-11-16_CA2394234C_发明专利_CA2394234C INDIRECT TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS_+++A_C_D_J_b_h_m+++.docx
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2011-09-29_US2011234047A_发明申请_US20110234047A1 PIEZOELECTRIC DEVICE_+++A_B_G_I_J_c_d_h+++.docx
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2012-05-23_CN101517895B_发明授权_CN101517895B 用于晶体振荡器的温度补偿的设备和方法_+++A_B_H_J_d+++.docx
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2012-08-16_US2012209558A_发明申请_US20120209558A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_e_f_k_l+++.docx
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2012-08-23_WO2012112621A_发明申请_WO2012112621A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2013-07-17_EP2062361B_发明授权_EP2062361B1 APPARATUS AND METHOD FOR TEMPERATURE COMPENSATION OF CRYSTAL OSCILLATORS_+++A_B_H_J_c_d+++.docx
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2013-12-11_CN103444075A_发明公开_CN103444075A 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2013-12-25_EP2676364A_发明公开_EP2676364A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2014-04-24_JP2014510455A_发明专利_JP2014510455A Wireless chip set using a non-temperature compensated crystal reference unit_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2016-02-02_US9252782B_发明授权_US09252782B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2016-07-07_US2016197617A_发明申请_US20160197617A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_J_L_M_e_f_i_k+++.docx
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2016-10-06_KR101663203B_发明授权_KR101663203B1 온도 비보상형 크리스탈 레퍼런스를 갖는 무선 칩셋_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2019-03-26_US10243569B_发明授权_US10243569B2 Wireless chipset with a non-temperature compensated crystal reference_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_K_L_M_e+++.docx
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2019-12-24_CN106208966B_发明授权_CN106208966B 具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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2020-01-01_EP2676364B_发明授权_EP2676364B1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2020-04-01_EP3629474A_发明公开_EP3629474A1 WIRELESS CHIPSET WITH A NON-TEMPERATURE COMPENSATED CRYSTAL REFERENCE_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260223_1514_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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EP3629474A1_Description_20260304_2030_+++A_B_C_D_G_H_I_J_K_L_M_e_f+++.docx
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2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator_+++D_J_M_a_b_c_e_f_h+++.docx

对比文件名称:2007-05-10_US2007104298A_发明申请_US20070104298A1 Wireless device with a non-compensated crystal oscillator

目标专利名称:具有非温度补偿的晶体基准的无线芯片集CN106208966B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其包括:封装内的温度测量装置,所述封装的至少一部分为热传导的,所述温度测量装置经配置以测量所述封装的温度《隐含公开》对比文件未明确描述将温度测量装置(如热敏电阻)和晶体容纳于一个共同的、至少部分热传导的封装内。对比文件提到了使用热敏电阻进行温度测量,例如:[0064] "The current temperature may be estimated using, e.g., a thermistor having a resistance or a voltage that varies with temperature." 以及 [0065] "The thermistor may also be used to derive the frequency slope."对比文件公开了使用热敏电阻作为温度测量装置来估计温度,并用于推导频率误差。虽然对比文件没有明确描述一个具有热传导部分的、共同容纳晶体和热敏电阻的“封装”,但本领域技术人员可以理解,为了准确测量晶体温度以进行频率误差估计,将温度测量装置(如热敏电阻)设置在靠近晶体(即时钟源)的位置是必要的,这必然意味着两者需要处于一个能实现热交换的环境中。这种热交换环境可以是一个共同的外壳或封装,并且为了有效测温,该封装或其部分需要是热传导的。因此,对比文件隐含公开了技术特征A。
技术特征B:所述封装内的时钟源,所述时钟源热耦合到所述封装且经受大体上与所述封装相同的温度《隐含公开》对比文件公开了晶体振荡器作为时钟源,例如:[0031] "A crystal oscillator (XO) 130 generates a reference signal having a predetermined frequency of fref ... Crystal oscillator 130 is not compensated for temperature."对比文件明确公开了非温度补偿的晶体振荡器作为时钟源。为了实现基于温度测量的频率误差估计(如对比文件[0064]-[0067]所述),本领域技术人员可以毫无疑义地推导出,该晶体振荡器(时钟源)必须与温度测量装置(热敏电阻)热耦合,以使得温度测量装置测量的温度能够代表晶体的温度。这种热耦合关系必然意味着时钟源和温度测量装置处于一个共同的热环境中,可以理解为它们被容纳在一个封装内或通过其他方式热耦合,从而经受大体相同的温度。因此,技术特征B被对比文件隐含公开。
技术特征C:所述封装外部的控制器,所述控制器经配置以接收来自所述温度测量装置的温度测量结果,《隐含公开》对比文件公开了AFC单元(自动频率控制单元)或控制器接收温度相关信息并进行频率误差估计,例如:[0064] "The current temperature may be estimated using, e.g., a thermistor ..." [0067] "AFC unit 172c may thus be used for temperature compensation." 以及图1中的控制器180/AFC单元172。对比文件公开了控制器(如AFC单元172或控制器180)接收来自热敏电阻的温度测量结果(或基于此的温度估计),并用于频率误差估计和温度补偿。虽然对比文件没有明确说明控制器位于“封装外部”,但根据系统通常的集成方式,负责信号处理和频率控制的控制器(如基带处理器或专用控制单元)与包含晶体和热敏电阻的物理封装是分离的,即位于封装外部。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出这一布置。因此,技术特征C被对比文件隐含公开。
技术特征D:所述控制器经配置以基于所述温度测量结果估计所述时钟源的频率误差《直接公开》[0064] "A frequency slope due Doppler may be computed ... The frequency slope for the temperature portion may then be derived by subtracting out the Doppler portion from the overall frequency slope ... The thermistor may also be used to derive the frequency slope." [0065] "A temperature difference may be accurately ascertained based on the difference between two thermistor measurements. The rate of change of frequency is proportional to the rate of change in temperature. Hence, an accurate frequency slope may be derived based on two thermistor measurements at known time instants. The frequency slope may be accumulated to obtain the frequency change for the current time instant." [0067] "AFC unit 172c may thus be used for temperature compensation."对比文件明确且详细地公开了基于热敏电阻(温度测量装置)的测量来估计晶体振荡器(时钟源)频率误差的技术方案。具体地,通过两次热敏电阻测量获得温度差,进而推导出与温度变化率成比例的频率变化率(频率斜率),并累积该斜率以获得当前的频率变化量(即频率误差估计)。这直接对应于控制器基于温度测量结果估计时钟源频率误差的技术特征。因此,技术特征D被对比文件直接公开。
技术特征E:以及信号产生器,其耦合到所述时钟源以接收来自所述时钟源的非补偿信号且耦合到所述控制器以接收所述频率误差,《隐含公开》[0031] "LO generator 132 receives the reference signal and generates the Rx_LO and Tx_LO signals ..." [0032] "A clock generator 170 receives the reference signal and generates the digital clock." [0033] "AFC unit 172 ... provides a frequency error estimate to digital rotators 156 and 176 and clock generator 170."对比文件公开了LO生成器132和时钟产生器170,它们接收来自非补偿晶体振荡器130的参考信号(即非补偿信号)。同时,AFC单元172(作为控制器的一部分)提供频率误差估计给时钟产生器170以及数字旋转器。虽然没有明确一个单独的“信号产生器”模块同时接收这两个输入,但LO生成器和时钟产生器的组合共同实现了接收非补偿信号和频率误差,并产生后续所需信号的功能。本领域技术人员可以理解,这些单元协同工作,构成了一个信号产生系统。因此,技术特征E被对比文件隐含公开。
技术特征F:所述信号产生器经配置以基于所述非补偿信号和所述频率误差产生第一参考信号和第二参考信号。《隐含公开》[0031] "LO generator 132 receives the reference signal and generates the Rx_LO and Tx_LO signals ..." [0032] "Clock generator 170 ... generates the digital clock." [0033] "Clock generator 170 adjusts its operation based on the frequency error estimate such that the digital clock tracks chip timing." [0071] "MN counter 920 divides the oscillator signal in frequency by a non-integer divider ratio of N/M and provides the digital clock having a frequency that is relatively accurate with respect to chip timing." (其中M和N值基于频率误差估计调整)对比文件公开了LO生成器132基于晶体振荡器的参考信号产生Rx_LO和Tx_LO信号(可视为第一类参考信号)。同时,时钟产生器170基于同一参考信号并利用频率误差估计进行调整,以产生具有准确时序的数字时钟(可视为第二类参考信号)。虽然“第一参考信号”和“第二参考信号”的表述在对比文件中未直接出现,但本领域技术人员可以理解,Rx_LO/Tx_LO信号和数字时钟正是无线设备中基于时钟源信号和频率误差信息产生的、用于不同目的(下变频/上变频和数字处理)的关键参考信号。因此,技术特征F被对比文件隐含公开。
技术特征G:其中所述封装包括陶瓷材料且所述时钟源包括晶体。《未公开》对比文件公开了时钟源包括晶体(如晶体振荡器130,包含晶体310),但未提及封装,更未提及封装由陶瓷材料制成。对比文件未公开封装的具体材料(如陶瓷)。虽然晶体是时钟源的核心部件,但关于封装材质的技术特征未被披露。因此,技术特征G未被对比文件公开。
技术特征H:其中所述封装和所述控制器实现在电子板上。《隐含公开》对比文件描述的是一个无线设备(如蜂窝电话),其包含图1所示的各个组件。本领域技术人员公知,此类电子设备中的集成电路、分立元件(如晶体、热敏电阻)以及控制器通常被安装和互连在印刷电路板(PCB)或电子板上。虽然对比文件说明书没有明确写出“封装和控制器实现在电子板上”这句话,但这是现代电子设备制造和组装的常规且必然的方式。将包含有源/无源器件的封装和控制器芯片安装在同一块电子板(PCB)上以实现电气连接和机械固定,是本领域最基础、最普遍的技术常识。因此,技术特征H被对比文件隐含公开。
技术特征I:其中所述封装经配置以将所述时钟源容纳于所述封装的上部空腔中且将所述温度测量装置容纳于所述封装的下部空腔中。《未公开》对比文件完全没有描述任何具有空腔结构的封装,更未提及将时钟源和温度测量装置分别置于上部空腔和下部空腔的具体封装构型。对比文件未公开任何关于封装内部具有分立的空腔以及组件在空腔中特定布局的技术特征。这是一个具体的结构特征,未被对比文件披露。因此,技术特征I未被对比文件公开。
技术特征J:其中所述温度测量装置包括热敏电阻。《直接公开》[0064] "The current temperature may be estimated using, e.g., a thermistor having a resistance or a voltage that varies with temperature."对比文件明确且直接地公开了温度测量装置的一个具体实例是热敏电阻(thermistor)。因此,技术特征J被对比文件直接公开。
技术特征K:其中所述封装按H构型而配置。《未公开》对比文件未提及任何关于封装构型(如H构型)的描述。对比文件未公开封装的具体物理构型特征。因此,技术特征K未被对比文件公开。
技术特征L:其中所述封装包括与电路卡组合件热隔离的基底层。《未公开》对比文件未提及封装的基底层,也未提及该基底层与电路卡组合件之间的热隔离关系。对比文件未公开封装的具体层次结构及其热学设计特征。因此,技术特征L未被对比文件公开。
技术特征M:其集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元以及固定位置数据单元中的至少一者中。《直接公开》[0022] "For example, the wireless device may be a cellular phone, a personal digital assistant (PDA), a wireless modem card, an access point, or some other device used for wireless communication." [0081] 描述了无线设备可用于各种应用。对比文件明确公开了其所描述的无线设备(包含非补偿晶体振荡器、温度测量、频率误差估计等特征)可以具体实施为蜂窝电话(即移动电话)、个人数字助理PDA(属于便携式数据单元)等设备。这直接公开了将相关技术集成到目标专利权利要求所列的多种设备中的技术特征。因此,技术特征M被对比文件直接公开。

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