对比文件名称：2010-12-22_CN101923065A_发明公开_CN101923065A 场效应晶体管手性传感器及其制备方法
目标专利名称：1016使用石墨烯沟道、量子点和电磁辐射感测分析物的装置和方法CN108431590B
本次调用的模型名称：未由用户提供
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：石墨烯场效应晶体管 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0031]明确记载装置包括石墨烯场效应晶体管（GFET），其沟道为石墨烯材料。对比文件公开的场效应晶体管以量子点材料作为有源层（[0009]），全文未提及石墨烯，也未记载任何石墨烯沟道或石墨烯场效应晶体管。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：其包括：源电极和漏电极 《直接公开》 | [0009] “场效应晶体管手性传感器，包括基底、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极、漏电极的场效应晶体管基本结构”；[0024] “其基本结构至少包括基底1、栅电极2、栅绝缘层3、有源层4、源电极5及漏电极6”；[0027] “步骤四，在有源层4上溅射、喷墨打印或蒸发一层由Au、Ag、Ti、PEDOT：PSS等的一种或两种构成的源电极5和漏电极6”；[0036] “步骤三，在栅绝缘层3上溅射、喷墨打印或蒸发一层由Au、Ag、Ti、PEDOT：PSS等的一种或两种构成的源电极5和漏电极6” | 对比文件明确记载了场效应晶体管基本结构包括源电极和漏电极，并在多个实施例中重复记载。本领域技术人员可直接、毫无疑义地从对比文件中得出该晶体管包括源电极和漏电极。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：其中，在所述源电极与所述漏电极之间设置石墨烯沟道 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0062]记载石墨烯沟道5设置在源电极21与漏电极23之间。对比文件虽然在源电极与漏电极之间设置有源层（[0009]、[0024]），但该有源层明确为量子点材料，而非石墨烯沟道。对比文件全文未提及石墨烯材料。因此，对比文件未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：量子点，其与所述石墨烯沟道耦合 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0031]-[0036]记载量子点7与石墨烯沟道5耦合，并覆盖石墨烯沟道5。对比文件虽有量子点作为有源层（[0009]），但其晶体管中不存在石墨烯沟道，因此不可能存在量子点与石墨烯沟道的耦合。对比文件未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：其中，所述量子点被配置为执行栅电极的功能 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0027]明确记载量子点7被配置为通过控制电流通过石墨烯沟道来执行GFET中的栅电极的功能。对比文件明确记载晶体管包括独立的栅电极2（[0009]、[0024]），量子点材料仅作为有源层，并未执行栅电极的功能。因此，对比文件未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：其中，所述石墨烯场效应晶体管被配置为被电磁辐射脉冲照射 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0031]-[0034]记载GFET被配置为被电磁辐射脉冲照射，以通过量子点产生电荷并控制石墨烯沟道。对比文件未记载使用电磁辐射脉冲照射晶体管。虽然对比文件提及具有荧光检测功能的手性分子及荧光光谱测定（[0011]、[0041]），但这属于材料制备过程中的表征手段，并非用于照射晶体管以产生感测输出。因此，对比文件未公开技术特征F。 |
| 技术特征G：并被配置为暴露在包括一个或多个化学分析物的样本中，以使得由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出取决于所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0031]、[0047]-[0051]记载GFET暴露在样本中，且响应于电磁辐射脉冲而提供的电子输出取决于样本内的分析物。对比文件虽公开了场效应晶体管用于检测手性物质（[0007]、[0023]），但其输出是通过外加电压测量的电学参数（如载流子迁移率、阈值电压）变化，并非响应于电磁辐射脉冲的电子输出。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| 技术特征H：其中，所述电子输出是基于所述石墨烯场效应晶体管与所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的所述至少一个的相互作用 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0047]-[0051]记载电子输出基于GFET与样本内分析物的相互作用，例如分析物与量子点/配体相互作用改变电荷转移至石墨烯沟道的速率。对比文件虽记载手性物质与量子点有源层相互作用导致晶体管参数变化（[0023]），但其器件结构为量子点有源层场效应晶体管，不含石墨烯沟道，且输出原理不涉及电磁辐射脉冲激发的电荷转移。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| 技术特征I：其中，由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出使所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个能够被识别 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0068]记载由GFET响应于电磁辐射脉冲提供的电子输出使样本内分析物能够被识别/分类。对比文件虽笼统记载可得到分子的类型（[0023]），但其基于无外光脉冲的电学测量，与目标专利基于电磁辐射脉冲响应的识别机制完全不同，且对比文件无石墨烯沟道。因此，对比文件未公开技术特征I。 |
| 技术特征J：其中，所述石墨烯场效应晶体管包括与所述量子点耦合的配体 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0039]-[0041]记载GFET包括与量子点耦合的配体，该配体用于影响量子点之间及量子点与石墨烯沟道之间的电荷转移。对比文件记载将手性分子（如环糊精）化学修饰到量子点上（[0011]、[0015]），但该手性分子是作为手性识别选择剂修饰在量子点表面，并非目标专利中所述的与量子点耦合以影响电荷转移至石墨烯沟道的配体，且对比文件不存在石墨烯场效应晶体管。因此，对比文件未公开技术特征J。 |
| 技术特征K：包括多个石墨烯场效应晶体管 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0070]记载装置可包括多个GFET（如图3所示）。对比文件仅公开单个场效应晶体管手性传感器，未公开多个石墨烯场效应晶体管。因此，对比文件未公开技术特征K。 |
| 技术特征L：其中，不同的石墨烯场效应晶体管被配置为当所述装置暴露在所述样本中时提供对电磁辐射脉冲的不同的响应 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0070]-[0079]记载不同GFET配置为提供对电磁辐射脉冲的不同响应。对比文件未公开多个GFET，也未公开电磁辐射脉冲，更未记载不同晶体管对光脉冲的不同响应。因此，对比文件未公开技术特征L。 |
| 技术特征M：其中，不同的石墨烯场效应晶体管具有以下中的至少一项：不同类型的量子点、不同类型的配体、不同的厚度 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0073]-[0075]记载不同GFET可具有不同类型量子点、不同类型配体或不同厚度。对比文件未公开多个GFET的阵列布置，也未公开为不同GFET配置不同量子点、配体或厚度以产生不同光脉冲响应。因此，对比文件未公开技术特征M。 |
| 技术特征N：包括：发射器，其被配置为提供电磁辐射脉冲 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0042]记载装置包括发射器13以提供电磁辐射脉冲9。对比文件未记载任何发射器或电磁辐射脉冲源。因此，对比文件未公开技术特征N。 |
| 技术特征O：其中，所述发射器被配置为使以下中的至少一项能够被控制：电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间、电磁辐射脉冲的脉冲重复频率 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0044]记载发射器被配置为控制电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间、脉冲重复频率。对比文件未公开发射器，更未公开上述参数的控制。因此，对比文件未公开技术特征O。 |
| 技术特征P：其中，所述发射器被配置为在第一时间提供第一电磁辐射脉冲以引发所述样本内的光化学反应，以及在第二时间提供第二电磁辐射脉冲以从所述石墨烯场效应晶体管获得响应 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0105]记载发射器在第一时间提供第一脉冲以引发样本内光化学反应，在第二时间提供第二脉冲以从GFET获得响应。对比文件未公开发射器，也未记载利用脉冲引发光化学反应并随后测量的时序控制。因此，对比文件未公开技术特征P。 |
| 技术特征Q：包括：光电检测器，其与所述装置中的石墨烯场效应晶体管的栅电极耦合 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0090]-[0093]记载光电检测器（如高速光电检测器51）与GFET的栅电极耦合，用于同步或调制背栅电压。对比文件未记载光电检测器，也未记载其与栅电极的耦合。因此，对比文件未公开技术特征Q。 |
| 技术特征R：包括：电路，其用于监控所述石墨烯场效应晶体管的所述响应的参数，其中，所述参数包括以下中的至少一项：幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0080]记载电路用于监控GFET响应的参数，包括幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数。对比文件[0023]笼统提及测量晶体管相关特性参数（如载流子迁移率、阈值电压、电流开关比），但未记载监控瞬态光脉冲响应的幅度、响应时间常数、恢复时间或恢复时间常数的电路。因此，对比文件未公开技术特征R。 |
| 技术特征S：包括至少一个温度传感器 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0081]记载装置可包括至少一个温度传感器。对比文件全文未记载温度传感器。因此，对比文件未公开技术特征S。 |
| 技术特征T：包括至少一个压力传感器 | 无对应公开内容 | 目标专利说明书[0083]记载装置可包括至少一个压力传感器。对比文件全文未记载压力传感器。因此，对比文件未公开技术特征T。 |
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## 直接公开判断结论
经严谨比对，仅有技术特征B被对比文件直接公开。
## 隐含公开判断结论
经宽松比对，本领域技术人员无法从对比文件记载的内容中合理推断出目标专利权利要求中的石墨烯场效应晶体管、石墨烯沟道、量子点与石墨烯沟道耦合、量子点执行栅极功能、电磁辐射脉冲照射及响应、光电检测器与栅电极耦合、发射器及其时序控制、温度/压力传感器等技术方案。对比文件所公开的场效应晶体管以量子点材料为**有源层**，并设有**独立的栅电极**，其检测原理为通过**外加电压**测量电学参数变化以识别手性物质；而目标专利的核心在于**石墨烯沟道**与**量子点**耦合形成光控栅极，通过**电磁辐射脉冲**激发量子点产生电荷转移，进而基于**瞬态响应参数**识别分析物。二者器件结构、工作原理及检测机制存在本质差异，故除源电极和漏电极外，其余技术特征均未被对比文件直接公开或隐含公开。
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