对比文件名称：2013-02-07_US2013032782A_发明申请_US20130032782A1 OPTOELECTRONIC PLATFORM WITH CARBON BASED CONDUCTOR AND QUANTUM DOTS AND TRANSISTOR COMPRISING SUCH A PLATFORM
目标专利名称：1016使用石墨烯沟道、量子点和电磁辐射感测分析物的装置和方法CN108431590B
本次调用模型名称：Kimi（月之暗面科技有限公司）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：石墨烯场效应晶体管<br>《直接公开》 | [0011] “a graphene layer (2) is deposited on a silicon substrate (4) with a SiO2 interlayer (3) to form the gate of the phototransistor, and two electrodes are connected to the graphene in the lateral dimension (Vs, Vd) to form the metal contacts of the device analogously to a source and drain electrodes in a FET transistor.”<br>[0013] “The proposed device can be operated as a 2-terminal device, with the gate open, or as a phototransistor by controlling the potential of the gate...” | 对比文件明确公开了一种光电晶体管（phototransistor），其以石墨烯作为导电沟道并包含栅极，且被类比为FET晶体管。本领域技术人员能毫无疑义地确定该光电晶体管即为石墨烯场效应晶体管。 |
| **技术特征B**：其包括：源电极和漏电极<br>《直接公开》 | [0011] “two electrodes are connected to the graphene in the lateral dimension (Vs, Vd) to form the metal contacts of the device analogously to a source and drain electrodes in a FET transistor.” | 对比文件明确公开了连接到石墨烯的两个电极，并直接类比为FET晶体管中的源电极和漏电极（source and drain electrodes），与目标专利中的源电极和漏电极相同。 |
| **技术特征C**：其中，在所述源电极与所述漏电极之间设置石墨烯沟道<br>《直接公开》 | [0011] “a graphene layer (2) is deposited on a silicon substrate (4) with a SiO2 interlayer (3) to form the gate of the phototransistor...”<br>[0012] “...transported through graphene to the metal contacts assisted by an applied electric field from the source to the drain.” | 对比文件公开了石墨烯层设置在源极与漏极之间，作为载流子传输的通道，即石墨烯沟道。本领域技术人员能直接得出该技术特征。 |
| **技术特征D**：量子点，其与所述石墨烯沟道耦合<br>《直接公开》 | [0011] “Graphene is then overcoated with a layer of CQDs (1)...”<br>[0012] “At the interface of the QD layer with the graphene there is a built-in field formed due to the doping of the PbS QDs. Holes from the PbS QDs are transferred to the graphene...” | 对比文件公开了石墨烯被一层胶体量子点（CQDs）覆盖，量子点层与石墨烯层直接接触并存在载流子转移，即二者相互耦合。 |
| **技术特征E**：其中，所述量子点被配置为执行栅电极的功能<br>《直接公开》 | [0012] “This phenomenon (also called “photogating effect”) is equivalent to having a top gate on the graphene layer where the incident light is used to generate carriers in the QD layer which functions as an optically controlled gate.” | 对比文件明确公开了量子点层用作光学控制的栅极（optically controlled gate），等效于在石墨烯层上有一个顶栅，与目标特征中量子点执行栅电极的功能相同。 |
| **技术特征F**：其中，所述石墨烯场效应晶体管被配置为被电磁辐射脉冲照射<br>《隐含公开》 | [0012] “Incident photons create electron hole pairs in the quantum dots.”<br>[0013] “...incident light is used to generate carriers in the QD layer...” | 对比文件公开了该光电子平台被入射光（电磁辐射）照射以在量子点中产生载流子。虽然对比文件未明确记载“脉冲”照射，但该装置作为光电晶体管，本领域技术人员可以合理推断其能够被配置为被电磁辐射脉冲照射，例如用于时间分辨测量或控制其光响应。 |
| **技术特征G**：并被配置为暴露在包括一个或多个化学分析物的样本中，以使得由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出取决于所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个<br>《未公开》 | 无 | 对比文件全文涉及光电检测、成像和光通信领域，未提及将装置暴露在包含化学分析物的样本中，也未提及输出取决于化学分析物。本领域技术人员无法从对比文件中推断出该装置用于感测化学分析物。 |
| **技术特征H**：其中，所述电子输出是基于所述石墨烯场效应晶体管与所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的所述至少一个的相互作用。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开装置与样本内化学分析物的相互作用，也未公开电子输出基于该相互作用。 |
| **技术特征I**：其中，由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出使所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个能够被识别。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开利用电子输出来识别化学分析物的内容。 |
| **技术特征J**：其中，所述石墨烯场效应晶体管包括与所述量子点耦合的配体。<br>《直接公开》 | [0015] “The quantum dots undergo a ligand exchange process to remove the oleic acid from the surface and replace with a bidentate ligand that crosslinks the quantum dots and renders them a conductive solid. Such ligands can be: ethanedithiol... A bidentate ligand molecule is also employed to electronically couple the QDs to the graphene layer.” | 对比文件明确公开了量子点经过配体交换，配体与量子点耦合（交联量子点并使其与石墨烯层电子耦合），与目标专利中“与量子点耦合的配体”相同。 |
| **技术特征K**：包括多个石墨烯场效应晶体管。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件仅公开了单个光电子平台/晶体管，未公开多个石墨烯场效应晶体管。 |
| **技术特征L**：其中，不同的石墨烯场效应晶体管被配置为当所述装置暴露在所述样本中时提供对电磁辐射脉冲的不同的响应。<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开多个石墨烯场效应晶体管，也未公开样本，因此未公开该特征。 |
| **技术特征M**：其中，不同的石墨烯场效应晶体管具有以下中的至少一项：不同类型的量子点、不同类型的配体、不同的厚度。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开多个石墨烯场效应晶体管及其差异化配置。 |
| **技术特征N**：包括：发射器，其被配置为提供电磁辐射脉冲。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开装置包括用于提供电磁辐射脉冲的发射器。对比文件仅提及入射光，未提及发射器作为装置的一部分。 |
| **技术特征O**：其中，所述发射器被配置为使以下中的至少一项能够被控制：电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间、电磁辐射脉冲的脉冲重复频率。<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开发射器，因此也未公开其控制参数。 |
| **技术特征P**：其中，所述发射器被配置为在第一时间提供第一电磁辐射脉冲以引发所述样本内的光化学反应，以及在第二时间提供第二电磁辐射脉冲以从所述石墨烯场效应晶体管获得响应。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开发射器，也未公开利用电磁辐射脉冲引发样本内光化学反应的技术内容。 |
| **技术特征Q**：包括：光电检测器，其与所述装置中的石墨烯场效应晶体管的栅电极耦合。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件[0013]提及可在CQD层顶部放置附加栅极，但未公开光电检测器与石墨烯场效应晶体管的栅电极耦合的结构。 |
| **技术特征R**：包括：电路，其用于监控所述石墨烯场效应晶体管的所述响应的参数，其中，所述参数包括以下中的至少一项：幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件虽然提及可控制时间响应，但未公开用于监控幅度、响应时间常数、恢复时间或恢复时间常数的电路。 |
| **技术特征S**：包括至少一个温度传感器。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未提及温度传感器。 |
| **技术特征T**：包括至少一个压力传感器。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未提及压力传感器。 |
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