对比文件的名称：2012-11-15_WO2012154726A_发明申请_WO2012154726A1 METHOD OF ENHANCED DETECTION FOR NANOMATERIAL-BASED MOLECULAR SENSORS
目标专利的名称：1016使用石墨烯沟道、量子点和电磁辐射感测分析物的装置和方法CN108431590B
本次调用的模型名称：Kimi（AI专利分析助手）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：石墨烯场效应晶体管<br>《直接公开》 | [0026] “Suitable examples of nanomaterial-containing sensor components include … a **graphene thin film FET structure** …”; <br>[0029] “… a **graphene thin film FET structure** …”; <br>[0032] “… a **graphene thin film FET structure** …” | 对比文件在多处明确列举了“graphene thin film FET structure”（石墨烯薄膜场效应晶体管结构）作为纳米材料传感器组件的合适示例。FET即Field Effect Transistor（场效应晶体管），本领域技术人员可毫无疑义地从对比文件中直接得出其中包含石墨烯场效应晶体管。 |
| **技术特征B**：其包括：源电极和漏电极<br>《直接公开》 | [0031] “… **two electrical contacts** can be in contact with the nanomaterial-containing region …”; <br>[0062] “**Two simple electrical contacts** (Au/Ti with thicknesses of 120nm/30nm) were applied on top of graphene …” | 对比文件明确公开了在石墨烯层上施加两个电接触（Au/Ti）。对于石墨烯场效应晶体管（GFET）而言，该两个电接触即分别构成源电极与漏电极，属于FET结构的固有组成部分，本领域技术人员可直接得出。 |
| **技术特征C**：其中，在所述源电极与所述漏电极之间设置石墨烯沟道<br>《直接公开》 | [0033] “… two electrical contacts … applied sequentially to **the graphene layer** …”; <br>[0062] “Two simple electrical contacts … were applied on top of graphene … The sensor response was monitored by the current flowing through the … **graphene sheet** …” | 对比文件公开了在石墨烯层上施加两个电接触，并监控流经石墨烯片的电流。对于石墨烯薄膜FET结构，该石墨烯层即设置在源电极与漏电极之间、作为载流子通道的石墨烯沟道，属于FET结构的固有特征，被直接公开。 |
| **技术特征D**：量子点，其与所述石墨烯沟道耦合<br>未公开 | — | 对比文件全文未提及“量子点（quantum dots）”，亦未公开任何与石墨烯沟道耦合的量子点结构或相应的电荷转移层。 |
| **技术特征E**：其中，所述量子点被配置为执行栅电极的功能<br>未公开 | — | 由于对比文件未公开量子点，自然亦未公开将量子点配置为执行栅电极功能的技术方案。 |
| **技术特征F**：其中，所述石墨烯场效应晶体管被配置为被电磁辐射脉冲照射<br>未公开 | [0010] “… in situ cleaning with **continuous ultraviolet (UV) light illumination** …”; <br>[0041] “… **continuous in situ UV light illumination** …”; <br>[0064] “In situ UV light illumination via a pencil-shape UV light …” | 对比文件全文公开的是连续紫外光照射（continuous / in situ UV light illumination），而非“电磁辐射脉冲（pulse）”。本领域技术人员无法从对比文件关于连续照射的公开内容中毫无疑义地得出脉冲照射，亦无法基于连续照射的教导合理推断出脉冲照射方案。 |
| **技术特征G**：并被配置为暴露在包括一个或多个化学分析物的样本中，以使得由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出取决于所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个<br>未公开 | [0022] “… **contacting** the nanomaterial-containing sensor component **with a molecular analyte** while radiating also continues, and then **measuring a change in an electrical or physical property** …”; <br>[0031] “… measuring apparatus connected to the two electrical contacts to **measure a change in conductance** of the nanomaterial-containing region **upon contacting the analyte**.” | 虽然对比文件公开了将传感器组件暴露于分子分析物并测量电性质（如电导）变化，即输出取决于分析物，但该特征明确限定电子输出是“响应于所述电磁辐射脉冲”而提供的。鉴于对比文件未公开电磁辐射脉冲（仅公开连续照射），本领域技术人员无法毫无疑义地得出该相同技术方案，亦无法从连续照射的教导中合理推断出脉冲照射下的该功能关系。 |
| **技术特征H**：其中，所述电子输出是基于所述石墨烯场效应晶体管与所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的所述至少一个的相互作用。<br>《直接公开》 | [0022] “… measuring a change in an electrical or physical property of the nanomaterial-containing sensor component **during this contacting step** …”; <br>[0053] “… minute levels of impurities can **interact** and cause the increase in conductance …”; <br>[0060] “… negative charge transfer from NH3 adsorption will cancel the existing positive carriers (holes) of graphene …” | 对比文件公开了传感器电性质（如电导）的变化是基于石墨烯（或CNT）与分子分析物（如NO、NO₂、NH₃）的相互作用（例如吸附、电荷转移）。因此，电子输出是基于石墨烯场效应晶体管与样本内分析物的相互作用，被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中，由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出使所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个能够被识别。<br>未公开 | [0053] “The detection limit is estimated to be 158 ppq …”; <br>[0055] “… NO detection in air …”; <br>[0057] “Similar performance had been observed for NO₂ molecules …”; <br>[0059] “… the sensor responses … to NH₃ …” | 虽然对比文件公开了通过电导变化检测并识别NO、NO₂、NH₃等分析物，但该特征明确限定电子输出是“响应于所述电磁辐射脉冲”而提供的。鉴于对比文件未公开脉冲照射，该技术方案未被直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述石墨烯场效应晶体管包括与所述量子点耦合的配体。<br>未公开 | — | 对比文件未公开量子点，亦未公开与量子点耦合的配体（ligand）。 |
| **技术特征K**：包括多个石墨烯场效应晶体管。<br>未公开 | — | 对比文件未公开包括多个石墨烯场效应晶体管的装置。 |
| **技术特征L**：其中，不同的石墨烯场效应晶体管被配置为当所述装置暴露在所述样本中时提供对电磁辐射脉冲的不同的响应。<br>未公开 | — | 对比文件未公开多个石墨烯场效应晶体管，亦未公开它们对电磁辐射脉冲提供不同响应。 |
| **技术特征M**：其中，不同的石墨烯场效应晶体管具有以下中的至少一项：不同类型的量子点、不同类型的配体、不同的厚度。<br>未公开 | — | 对比文件未公开多个石墨烯场效应晶体管具有不同类型量子点、配体或不同厚度。 |
| **技术特征N**：包括：发射器，其被配置为提供电磁辐射脉冲。<br>未公开 | [0034] “The presently disclosed device can use a **UV light source** as its radiation applying device.”; <br>[0064] “In situ UV light illumination via a pencil-shape UV light …” | 对比文件公开了UV光源作为辐射施加装置，但未公开其被配置为提供“电磁辐射脉冲”。对比文件全文教导的是连续光照射。 |
| **技术特征O**：其中，所述发射器被配置为使以下中的至少一项能够被控制：电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间、电磁辐射脉冲的脉冲重复频率。<br>未公开 | [0022] “… radiating this nanomaterial-containing sensor component with a **predetermined wavelength** …” | 对比文件虽提及“predetermined wavelength”，但未公开发射器被配置为控制功率、持续时间或脉冲重复频率，亦未公开脉冲。 |
| **技术特征P**：其中，所述发射器被配置为在第一时间提供第一电磁辐射脉冲以引发所述样本内的光化学反应，以及在第二时间提供第二电磁辐射脉冲以从所述石墨烯场效应晶体管获得响应。<br>未公开 | — | 对比文件未公开分两步在不同时间分别提供电磁辐射脉冲以引发光化学反应和获得响应的技术方案。 |
| **技术特征Q**：包括：光电检测器，其与所述装置中的石墨烯场效应晶体管的栅电极耦合。<br>未公开 | — | 对比文件未公开光电检测器（photodetector），更未公开其与石墨烯场效应晶体管栅电极耦合的结构。 |
| **技术特征R**：包括：电路，其用于监控所述石墨烯场效应晶体管的所述响应的参数，其中，所述参数包括以下中的至少一项：幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数。<br>《直接公开》 | [0063] “The sensor response was monitored by the **current flowing through** the CNT sensor or graphene sheet … the **current was monitored** with a Keithley 4200-SCS instrument …” | 对比文件公开了使用Keithley 4200-SCS仪器监控流经石墨烯（或CNT）传感器的电流，即监控了响应的幅度。权利要求R限定监控的参数“包括以下中的至少一项：幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数”。由于幅度已被直接监控，该特征被直接公开。 |
| **技术特征S**：包括至少一个温度传感器。<br>未公开 | — | 对比文件未公开温度传感器。 |
| **技术特征T**：包括至少一个压力传感器。<br>未公开 | — | 对比文件未公开压力传感器。 |
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## 结论代码
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<H>>><<<R>>>