对比文件名称：2013-05-01_CN101923065B_发明授权_CN101923065B 场效应晶体管手性传感器及其制备方法
目标专利名称：1016使用石墨烯沟道、量子点和电磁辐射感测分析物的装置和方法CN108431590B
本次调用模型名称：专利创造性评估大语言模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：石墨烯场效应晶体管（不公开） | — | 对比文件公开的是一种场效应晶体管手性传感器，其基本结构包括基底、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极和漏电极[0009]。然而，对比文件明确记载其有源层为量子点材料，全文未提及石墨烯材料，也未公开任何石墨烯沟道或石墨烯场效应晶体管的结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出石墨烯场效应晶体管，也无法通过对比文件公开的内容合理推断出该技术特征。 |
| B：其包括：源电极和漏电极 《直接公开》 | [0009] “场效应晶体管手性传感器，包括基底、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极、漏电极的场效应晶体管基本结构” | 对比文件明确公开了场效应晶体管包括源电极和漏电极，该源电极与漏电极的设置方式与目标专利权利要求中的技术特征相同，且在对比文件中起到形成晶体管基本结构、供电流通过的作用，与目标专利中源电极和漏电极的作用相同，属于直接公开。 |
| C：其中，在所述源电极与所述漏电极之间设置石墨烯沟道（不公开） | — | 对比文件的有源层为经手性分子修饰的量子点材料（II-VI族或III-V族化合物），设置在栅绝缘层之上或源/漏电极之上，而非石墨烯沟道。对比文件未公开石墨烯材料，也未公开在源电极与漏电极之间设置石墨烯沟道的任何技术启示。因此，该技术特征未被公开。 |
| D：量子点，其与所述石墨烯沟道耦合（不公开） | — | 对比文件虽然公开了量子点作为有源层，但其是作为沟道/有源层本身存在，被栅电极控制，而非与一独立的石墨烯沟道耦合。对比文件未公开石墨烯沟道，也未公开量子点与石墨烯沟道的耦合结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| E：其中，所述量子点被配置为执行栅电极的功能（不公开） | [0027] “在基底1上溅射或蒸发一层10nm～500nm厚的栅电极2，栅电极由Ta、Ti、Cr、W、Mo、Au或Ag中的一种或两种构成” | 对比文件中，栅电极是单独设置的金属层（如Ta、Ti、Cr等），量子点作为有源层被栅电极控制，而非执行栅电极的功能。其作用与目标专利中量子点通过光生电荷对石墨烯沟道进行门控的功能完全不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中推断出量子点执行栅电极功能。 |
| F：其中，所述石墨烯场效应晶体管被配置为被电磁辐射脉冲照射（不公开） | — | 对比文件全文未提及电磁辐射或光脉冲照射，其检测机制是通过外加电压测量晶体管静态特性参数（如载流子迁移率、阈值电压等）的改变[0023]。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出电磁辐射脉冲照射的技术方案。 |
| G：并被配置为暴露在包括一个或多个化学分析物的样本中，以使得由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出取决于所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个（不公开） | [0007] “检测手性物质分子的类型，同时可以测量手性物质的含量及浓度”；[0023] “通过外加电压，导致载流子迁移率、阈值电压、电流开关比和亚阈值斜率发生变化，测量晶体管的相关特性参数的改变，可以得到有关分子的类型，含量及浓度” | 对比文件公开了传感器暴露在样本（手性物质）中，且晶体管输出取决于样本内分子的类型和浓度。然而，目标专利特征G的核心在于电子输出是“响应于电磁辐射脉冲”而产生的，并由此取决于分析物。对比文件完全没有涉及电磁辐射脉冲，其依赖的是静态电学特性而非光脉冲激发的瞬态响应。因此，该技术特征作为一个整体未被直接公开，也无法从对比文件中合理推断出。 |
| H：其中，所述电子输出是基于所述石墨烯场效应晶体管与所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的所述至少一个的相互作用（不公开） | — | 目标专利中，电子输出基于石墨烯场效应晶体管与样本内分析物的相互作用（通过量子点和配体介导电荷转移）。对比文件公开了场效应晶体管与手性物质分子的相互作用导致电学参数变化，但未公开石墨烯场效应晶体管，也未公开石墨烯沟道与量子点耦合的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| I：其中，由所述石墨烯场效应晶体管响应于所述电磁辐射脉冲而提供的电子输出使所述样本内的所述一个或多个化学分析物中的至少一个能够被识别（不公开） | [0023] “测量晶体管的相关特性参数的改变，可以得到有关分子的类型，含量及浓度” | 对比文件公开了通过测量晶体管参数来识别分子类型及浓度。但目标专利特征I明确限定输出是“响应于电磁辐射脉冲”而提供的电子输出，且该输出使分析物能够被识别。对比文件缺乏电磁辐射脉冲这一必要前提，其识别机制基于静态电学参数而非光脉冲响应，因此整体技术方案未被公开。 |
| J：其中，所述石墨烯场效应晶体管包括与所述量子点耦合的配体 《隐含公开》 | [0011] “该用于修饰量子点材料的手性分子存在形式之一为大环类化合物，包括环糊精、杯芳烃、冠醚等”；[0015] “将手性分子化学修饰到量子点上，形成溶胶凝胶的量子点薄膜”；[0017] “将手性分子化学修饰到量子点上，形成溶胶凝胶的量子点薄膜” | 目标专利中的配体与量子点耦合，配体设置在量子点表面，可影响电荷转移并与分析物相互作用。对比文件明确公开了将手性分子（如环糊精等）化学修饰到量子点上，即公开了配体与量子点的耦合结构及其修饰方式。虽然对比文件中的场效应晶体管并非石墨烯场效应晶体管，但手性分子与量子点的耦合这一核心技术内容已被直接公开。本领域技术人员在对比文件公开的量子点-配体耦合结构的基础上，结合现有技术中石墨烯场效应晶体管的已知结构，有可能合理推断出在石墨烯场效应晶体管中同样可以采用与量子点耦合的配体来实现感测功能。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| K：包括多个石墨烯场效应晶体管（不公开） | — | 对比文件仅公开了单个场效应晶体管手性传感器及其制备方法，未公开包括多个石墨烯场效应晶体管的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| L：其中，不同的石墨烯场效应晶体管被配置为当所述装置暴露在所述样本中时提供对电磁辐射脉冲的不同的响应（不公开） | — | 对比文件未公开设置多个场效应晶体管，也未公开不同晶体管提供对电磁辐射脉冲的不同响应。因此，该技术特征未被公开。 |
| M：其中，不同的石墨烯场效应晶体管具有以下中的至少一项：不同类型的量子点、不同类型的配体、不同的厚度（不公开） | [0029] “通过旋涂、喷墨打印或丝网印刷一层10nm～500nm厚的有源层4，其中该有源层4可为经手性分子修饰的以下两种不同化合物之一或两种的组合形式。分别是：(a)II-VI族化合物；(b)III-V族化合物” | 对比文件虽然提及有源层（量子点）可为II-VI族或III-V族化合物或组合，且厚度可为10nm～500nm，涉及不同类型量子点及厚度范围，但对比文件未公开设置多个场效应晶体管，也未公开不同的晶体管分别具有这些不同类型或厚度以提供不同响应。在“不同的石墨烯场效应晶体管”这一必要语境下，该技术特征未被公开。 |
| N：包括：发射器，其被配置为提供电磁辐射脉冲（不公开） | — | 对比文件全文未提及发射器，也未提及提供电磁辐射脉冲。因此，该技术特征未被公开。 |
| O：其中，所述发射器被配置为使以下中的至少一项能够被控制：电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间、电磁辐射脉冲的脉冲重复频率（不公开） | — | 对比文件未提及发射器，也未提及对电磁辐射脉冲的波长、功率、持续时间或脉冲重复频率的控制。因此，该技术特征未被公开。 |
| P：其中，所述发射器被配置为在第一时间提供第一电磁辐射脉冲以引发所述样本内的光化学反应，以及在第二时间提供第二电磁辐射脉冲以从所述石墨烯场效应晶体管获得响应（不公开） | — | 对比文件未提及发射器，也未提及通过电磁辐射脉冲引发光化学反应并在不同时间获得响应的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| Q：包括：光电检测器，其与所述装置中的石墨烯场效应晶体管的栅电极耦合（不公开） | — | 对比文件未提及光电检测器，也未提及将光电检测器与栅电极耦合的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| R：包括：电路，其用于监控所述石墨烯场效应晶体管的所述响应的参数，其中，所述参数包括以下中的至少一项：幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数（不公开） | [0023] “通过外加电压，导致载流子迁移率、阈值电压、电流开关比和亚阈值斜率发生变化，测量晶体管的相关特性参数的改变，可以得到有关分子的类型，含量及浓度” | 对比文件公开了测量晶体管的相关特性参数（如载流子迁移率、阈值电压、电流开关比和亚阈值斜率）的改变。然而，目标专利特征R明确限定监控的是幅度、响应时间常数、恢复时间、恢复时间常数等瞬态响应参数，并需要相应的监控电路。对比文件测量的是静态或准静态电学参数，未公开瞬态响应参数及其监控电路。因此，该技术特征未被公开。 |
| S：包括至少一个温度传感器（不公开） | — | 对比文件未提及温度传感器。因此，该技术特征未被公开。 |
| T：包括至少一个压力传感器（不公开） | — | 对比文件未提及压力传感器。因此，该技术特征未被公开。 |
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