对比文件名称：2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS
目标专利名称：217三端口压电超声换能器CN107107114B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**《隐含公开》 | 第[0051]段：“An ultrasonic probe drives a plurality of vibration elements to radiate ultrasonic waves therefrom. The ultrasonic waves reflected by a subject or the like are received by the plurality of vibration elements.”<br>第[0059]段：“If a time-varying voltage is applied across the bottom electrode 34 and the top electrode 36 via the unshown signal lines, ... the vibrating plate 40 ... vibrates ... Thus, ultrasonic waves are radiated ...”<br>第[0086]段：“The transmission/reception circuit 114 generates a drive signal for radiating ultrasonic waves, and supplies the generated drive signal to the vibration elements 22 ...” | 对比文件公开了超声探头包含振动元件（MUT元件），所述振动元件可以辐射（发射）超声波（第[0051]段）。具体地，通过向电极施加时变电压可以使振动板振动并辐射超声波（第[0059]段）。驱动信号由发射/接收电路生成并提供给振动元件（第[0086]段）。因此，对比文件隐含公开了振动元件（MUT）可以响应于来自电路（发射/接收电路）的信号发射超声波。虽然对比文件没有明确划分“第一时间段”，但本领域技术人员可以毫无疑义地理解，发射超声信号必然发生在某个时间段内。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**《直接公开》 | 第[0058]段：“Each of the MUT elements 30 comprises a protective layer 32. ... A bottom electrode 34 and a top electrode 36 are formed inside the protective layer 32 across a cavity 38. ... A vibrating plate 40 is made of the same material as the protective layer 32, and formed integrally with the protective layer 32.”<br>图4显示振动板40位于空腔38上方。 | 对比文件明确公开了MUT元件包含振动板（vibrating plate 40），并且该振动板与保护层32一体形成，位于空腔（cavity 38）上方（第[0058]段及图4）。在目标专利中，“膜片”是位于腔上方并包含压电层堆叠的振动结构。对比文件中的“振动板”是位于腔上方的振动结构，其作用与目标专利的“膜片”相同，都是用于在电信号激励下振动以发射和接收声波。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**《隐含公开》 | 第[0053]段：“The MUT element 30 can be any one of a capacitive micromachining ultrasound transducer (cMUT) and a piezoelectric micromachining ultrasound transducer (pMUT).”<br>第[0058]段描述了MUT元件的结构，包括电极、空腔和保护/振动板层。 | 对比文件明确提到了MUT元件可以是压电微机械超声换能器（pMUT）（第[0053]段）。对于本领域技术人员而言，pMUT必然包含压电层，因为压电效应是其工作的基础。虽然对比文件在具体描述MUT元件结构时（第[0058]段）未明确提及“压电层堆叠”，但这是pMUT的固有组成部分。因此，可以合理推断出pMUT的振动板或膜片结构会包含压电材料层，即压电层堆叠。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D**《隐含公开》 | 第[0058]段：“A bottom electrode 34 and a top electrode 36 are formed inside the protective layer 32 across a cavity 38.”<br>结合技术特征C的论述，pMUT必然包含压电层。 | 对比文件明确公开了MUT元件具有底部电极34和顶部电极36（第[0058]段）。同时，如上所述，当MUT为pMUT时，其必然包含压电层。因此，对比文件隐含公开了压电层堆叠包含压电层以及两个电极（底部电极和顶部电极）。然而，需要指出的是，对比文件中的两个电极（底部和顶部）位于空腔的两侧，而目标专利权利要求中的第一电极和第二电极均位于压电层的同一表面上。虽然电极的物理位置安排不同，但从“压电层堆叠包含压电层、第一电极和第二电极”这一特征的字面描述来看，对比文件隐含公开了该组成。 |
| **技术特征E**《隐含公开》 | 第[0058]段：“Although not shown, the top electrode 36 is connected to a signal line and supplied with an electric signal from the main unit of the ultrasonic diagnostic apparatus.”<br>第[0086]段：“The transmission/reception circuit 114 generates a drive signal for radiating ultrasonic waves, and supplies the generated drive signal to the vibration elements 22 ...” | 对比文件公开了顶部电极36连接到信号线，并从超声诊断装置主体（其中包含发射/接收电路114）接收电信号（第[0058]、[0086]段）。这相当于电极与一个能够提供驱动信号的电路部分电耦合。虽然对比文件没有明确将电路的这一部分称为“第一部分”，但本领域技术人员可以理解，提供发射驱动信号的电路部分即是与发射电极耦合的部分。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征F限定第一电极和第二电极都安置于压电层的同一第一表面上或附近。对比文件公开的MUT元件中，底部电极34和顶部电极36位于空腔38的两侧（第[0058]段，图4）。在典型的cMUT或pMUT结构中，如果存在压电层，这两个电极通常位于压电层的两侧（上表面和下表面），而不是如目标专利所限定的那样位于同一表面上。对比文件没有公开或暗示两个电极可以都位于压电层的同一表面上。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征G限定所述第一表面与腔对置。由于技术特征F（电极位于同一表面）未被公开，且对比文件中电极位于空腔两侧，因此“与腔对置的同一表面”这一相对位置关系也未被公开。 |
| **技术特征H**《未公开》 | 第[0051]段：“An ultrasonic probe drives a plurality of vibration elements to radiate ultrasonic waves therefrom. The ultrasonic waves reflected by a subject or the like are received by the plurality of vibration elements.” | 对比文件公开了振动元件可以发射也可以接收超声波（第[0051]段），并且接收电路也是发射/接收电路114的一部分（第[0086]段）。然而，技术特征H的关键限定在于“第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠”，即发射和接收在时间上可以重叠（包括同时进行）。对比文件完全没有提及发射时段和接收时段可以重叠。在常规超声成像中，为了避免发射信号对接收信号的干扰，通常采用分时复用的方式，即先发射后接收。目标专利所要解决的正是这种因切换间隔导致信号检测困难的问题（参见目标专利说明书第[0061]-[0063]段）。因此，对比文件没有公开或暗示发射和接收时间段可以至少部分重叠。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征I进一步限定同时发射和接收。如对特征H的论述，对比文件没有公开发射和接收可以同时进行。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征J限定了第一电极（内部）和第二电极（外部）在膜片上的具体位置关系：内部部分和外部部分，且外部部分接近腔的壁。对比文件虽然公开了电极（底部和顶部），但完全没有描述电极在振动板平面上的形状、大小或相对位置（例如内部和外部）。图4所示的截面图也无法看出电极在平面内的分布。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征K限定了第二电极的一部分延伸超出腔的壁。对比文件没有描述电极相对于腔壁的平面延伸范围。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**《隐含公开》 | 第[0058]段：“A bottom electrode 34 and a top electrode 36 are formed inside the protective layer 32 across a cavity 38. The bottom electrode 34 is maintained at a ground potential.”<br>图4显示底部电极34位于空腔38的下方。 | 技术特征L限定膜片包含第三电极，且该第三电极安置于压电层与腔之间。在对比文件的MUT元件结构中，存在一个底部电极34，它位于空腔38的一侧（下方）。如果该MUT是pMUT，那么压电层很可能位于底部电极和顶部电极之间，或者与其中一个电极相邻。因此，底部电极34可以被视为位于（假设的）压电层与腔之间（或至少位于腔的一侧）。虽然对比文件未明确将其称为“第三电极”，但其存在和位置符合“安置于压电层与腔之间”的电极的描述。因此，技术特征L被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M**《隐含公开》 | 第[0058]段：“The bottom electrode 34 is maintained at a ground potential.” | 技术特征M限定第三电极为参考电极。对比文件明确记载底部电极34被维持在接地电位（第[0058]段）。接地电极是典型的参考电极。因此，底部电极34在对比文件中被配置为参考电极。虽然目标专利中参考电极是与发射和接收电极配合的“第三”电极，而在对比文件中它是两个主电极（底部和顶部）之一，但就“被配置为参考电极”这一功能而言，对比文件隐含公开了该特征。 |
| **技术特征N**《直接公开》 | 第[0058]段：“The bottom electrode 34 is maintained at a ground potential.” | 对比文件直接且明确地公开了底部电极（即参考电极）的电压被箝位到接地（第[0058]段）。这完全对应于技术特征N中“参考电极的电压箝位到接地”的限定。因此，技术特征N被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O**《隐含公开》 | 第[0058]段：“A vibrating plate 40 is made of the same material as the protective layer 32, and formed integrally with the protective layer 32.”<br>第[0059]段：“Due to the repetition of the attracting force and repulsive force, the vibrating plate 40 arranged on the lower surface of the top electrode 36 vibrates in a direction substantially perpendicular to the bottom electrode 34 and the top electrode 36...”<br>图17显示了支撑结构72。 | 对比文件公开了振动板40位于空腔38上方（第[0058]段），并且在施加电压时会振动（第[0059]段）。图17显示了支撑件72，它们起到锚定振动板的作用。因此，振动板受支撑结构支撑并在腔上方延伸，且经配置以在发射或接收超声信号时经历振动。虽然对比文件没有明确使用“第一挠曲模式”这一术语，但振动板的振动本身必然涉及某种挠曲模式。本领域技术人员可以理解，MUT在基频下的振动即对应于其第一挠曲模式。因此，技术特征O被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征P**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征P限定了在第一挠曲模式中，两个电极经历包含拉伸和压缩应力交替周期的振荡负载循环。对比文件虽然描述了振动板的振动，但完全没有提及振动导致的机械应力如何作用于各个电极，更没有描述每个电极所经历的特定应力循环。这是目标专利中关于电极在特定应变区布置所带来的效果的详细描述。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征Q**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征Q限定了两个振荡负载循环大致同相。如对特征P的论述，对比文件没有公开振荡负载循环，更未提及其相位关系。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征R限定了两个振荡负载循环异相。如对特征P的论述，对比文件没有公开振荡负载循环及其相位关系。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征S限定了两个振荡负载循环异相180°。如对特征P的论述，对比文件没有公开振荡负载循环及其相位关系。因此，技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**《未公开》 | 无相应内容。 | 技术特征T限定了第二电极可在发射模式和接收模式之间切换。对比文件公开了MUT元件既能发射也能接收超声波，但没有公开单个电极可以在不同时间段被配置（切换）到不同模式。在对比文件的描述中，电极的功能似乎是固定的（尽管整个元件兼有发射和接收功能）。目标专利此特征涉及对同一电极进行模式切换的控制，对比文件未公开。 |
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