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对比文件列表
1981-12-29_发明授权_US4307613A Electronically focused ultrasonic transmitter_+++A_e_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
1985-06-18_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++A_E_H_a_d_e_f_h+++.docx
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1991-10-17_发明专利_DE3940808C2_+++a+++.docx
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1998-04-28_发明授权_US5744898A Ultrasound transducer array with transmitter_receiver integrated circuitry_+++A_C_D_E_N_h+++.docx
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2004-05-18_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++A_C_D_E_N+++.docx
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2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
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2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
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2008-10-23_发明申请_US20080258580A1 Reliability Improvement For Piezoelectric Imaging Array Device_+++a+++.docx
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2008-12-18_发明申请_US20080309200A1 Ultrasonic Transducer Module Comprising a Transmitter Layer and a Receiver Layer_+++A_E_H_I_N_d_m+++.docx
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2009-01-08_发明申请_US20090009704A1 LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS_+++A_a+++.docx
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2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
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2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
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2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
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2011-09-08_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer_+++a_d_e_f_h_i+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
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2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
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2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-06-24_发明授权_US08760971B2 Method for controlling an ultrasonic sensor and ultrasonic sensor_+++D_E_F_a+++.docx
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2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-28_发明申请_US20140243676A1 DELTA DELAY APPROACH FOR ULTRASOUND BEAMFORMING ON AN ASIC_+++a+++.docx
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2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
2026-03-10 19:01
2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
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2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx

# 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。<br>《隐含公开》第[0040]段:“PMUT elements may be used as ultrasonic receivers, configured to detect ultrasonic waves that may be received after being reflected from an object in air or on the surface of the display.”<br>第[0056]段:“...the control system may control an array of transmitters of the PMUT array 105 to produce wavefronts of a particular shape...”。对比文件公开了PMUT元件能够作为超声波发射器工作,用于产生超声波(例如用于手势或指纹检测)。虽然原文未明确提及“响应于来自收发器电路的信号”,但其描述了控制系统控制PMUT阵列发射超声波。本领域技术人员可以毫无疑义地理解,控制系统的控制信号需要通过某种形式的驱动/收发电路施加到PMUT电极上才能使其发射。因此,对比文件隐含公开了借助于PMUT的电极发射超声信号。
**技术特征B**:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。<br>《直接公开》第[0059]段及图1B:“The piezoelectric layer stack may be disposed on, below or above a mechanical layer 130. An anchor structure 170 may support the PMUT membrane or diaphragm that is suspended over a cavity 120 and a substrate 160.”对比文件图1B和相应文字描述明确公开了PMUT元件(100a)包含由锚定结构支撑并悬置于腔(120)上方的膜片(diaphragm)。该技术特征被直接公开。
**技术特征C**:所述膜片包含压电层堆叠。<br>《直接公开》第[0059]段及图1B:“The piezoelectric layer stack may include a lower electrode layer 112, a piezoelectric layer 115, and an upper electrode layer 114, with the piezoelectric layer 115 sandwiched between at least a portion of the lower and upper electrodes 112 and 114.”对比文件明确描述了PMUT元件包含压电层堆叠,该堆叠包含下部电极层、压电层和上部电极层。该技术特征被直接公开。
**技术特征D**:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。<br>《未公开》第[0059]段:“...a lower electrode layer 112, a piezoelectric layer 115, and an upper electrode layer 114...”。对比文件公开的PMUT结构具有两个电极(上部电极114和下部电极112),它们分别位于压电层(115)的两侧。目标专利的“第一电极”和“第二电极”是位于压电层同一表面(第一表面)上的两个电极。对比文件未公开这种在同一压电层表面上设置两个独立电极的堆叠结构。
**技术特征E**:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。<br>《隐含公开》第[0065]段:“In this example, the TFT circuitry element 315 may include a driver stage and a sense stage. Accordingly, in this example the TFT circuitry element is capable of causing the PMUT element 310 to emit ultrasonic waves.”对比文件公开了TFT电路元件(315)包含驱动级,能够使PMUT元件(310)发射超声波。本领域技术人员可以毫无疑义地推断,为了使PMUT发射,其电极必须与驱动电路(可视为收发器电路的一部分)电耦合。因此,对比文件隐含公开了发射电极与驱动电路电耦合。
**技术特征F**:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。<br>《未公开》第[0059]段及图1B:“...with the piezoelectric layer 115 sandwiched between at least a portion of the lower and upper electrodes 112 and 114.”对比文件公开的电极(112, 114)分别位于压电层(115)的下方和上方,即不同的表面。目标专利要求两个电极均位于压电层的同一“第一表面”上或附近。对比文件未公开此布置。
**技术特征G**:所述第一表面与所述腔对置。<br>《未公开》第[0059]段及图1B:结构描述如特征F。由于对比文件未公开两个电极位于压电层同一表面的结构(特征F),因此也无法确定该表面是否与腔对置。目标专利中“第一表面与腔对置”是基于其特定电极布置的进一步限定,该特征未被对比文件公开。
**技术特征H**:和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。<br>《未公开》第[0040]段:“PMUT elements may be used as ultrasonic receivers, configured to detect ultrasonic waves...”<br>第[0065]段:“...the TFT circuitry element is capable of... detecting responses from the same PMUT element 310, corresponding to ultrasonic waves sensed by the PMUT element 310.”对比文件公开了同一PMUT元件可以用于接收超声波,并且TFT电路元件包含感测级用于检测响应。然而,对比文件未公开使用独立的“第二电极”进行接收,也未公开该接收电极连接到收发器电路中与发射部分“不同”的部分。更重要的是,对比文件完全没有提及发射时间段与接收时间段“至少部分地重叠”的操作模式。其描述的操作模式更可能是分时复用(先发射后接收)。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征I**:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。<br>《未公开》无相应内容。对比文件全文未描述或暗示PMUT可以同时进行超声信号的发射和接收。其功能描述集中于PMUT作为发射器或接收器,或在不同时间切换模式。因此,该“同时”发射和接收的特征未被公开。
**技术特征J**:其中所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。<br>《未公开》无相应内容。对比文件未描述PMUT膜片上电极的具体空间排布,特别是未提及将两个电极分别布置在膜片的“内部部分”和“外部部分”,且外部部分接近腔壁并位于壁与内部电极之间。该具体结构特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。<br>《未公开》无相应内容。对比文件未描述任何电极延伸超出腔壁的几何特征。该特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。<br>《未公开》无相应内容。对比文件描述的PMUT结构(图1B)在压电层与腔之间是机械层(130),并未提及存在第三个电极。目标专利的三端口结构关键特征之一是具有该第三电极,对比文件未公开。
**技术特征M**:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。<br>《未公开》无相应内容。由于对比文件未公开第三电极(特征L),因此自然也未公开将其配置为公共参考电极。该特征未被公开。
**技术特征N**:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。<br>《未公开》无相应内容。对比文件未公开任何关于将电极电压箝位到接地或参考电压的配置。该特征未被公开。
**技术特征O**:其中所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。<br>《隐含公开》第[0059]段:“An anchor structure 170 may support the PMUT membrane or diaphragm that is suspended over a cavity 120... The piezoelectric layer stack and mechanical layer 130 may flex, bend or vibrate in response to drive voltages...”。对比文件明确公开了膜片由锚定结构支撑并悬置于腔上方,以及在驱动电压下会弯曲、弯曲或振动。这隐含了其在操作时经历挠曲运动和/或振动。虽然未明确提及“第一挠曲模式”,但本领域技术人员可以理解,膜片在其基频下的振动模式即是一种挠曲模式。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征P**:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。<br>《未公开》无相应内容。对比文件未分析或描述膜片振动时其上方不同位置电极所经历的应力状态(拉伸或压缩)及其振荡负载循环。该特征未被公开。
**技术特征Q**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。<br>《未公开》无相应内容。由于特征P未被公开,关于两个负载循环相位关系的此特征自然也未被公开。
**技术特征R**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。<br>《未公开》无相应内容。同特征Q,该特征未被公开。
**技术特征S**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。<br>《未公开》无相应内容。同特征Q,该特征未被公开。
**技术特征T**:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。<br>《未公开》无相应内容。对比文件未描述任何电极可以在发射模式与接收模式之间进行切换或重配置。其描述的PMUT元件通常使用同一对电极进行发射和接收(见第[0065]段)。该特征未被公开。

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