好的，我们开始进行专利创造性评估中的特征比对。本次评估将严格遵循您的要求，对目标专利权利要求的各技术特征与对比文件进行逐一分析。
**对比文件名称：** 2009-06-18_WO2009018371A_发明申请_WO2009018371A2 NANOMEMBRANE STRUCTURES HAVING MIXED CRYSTALLINE ORIENTATIONS AND COMPOSITIONS
**目标专利名称：** 1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
**模型名称：** 您未指定模型名称，本次分析基于通用专业代理师知识库进行。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 (翻译) | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：支撑衬底 《直接公开》 | **[0021]** “...这种结构然后可以被转移到各种衬底上，包括体或薄膜半导体、金属、电介质和**聚合物衬底**，用于各种器件，包括薄膜晶体管（TFT）和CMOS器件。”<br><br>**[0024]** “...步骤(f)展示了最终的混合取向/混合应变纳米膜结构122。这种结构然后可以被转移到各种衬底上，包括体或薄膜半导体、金属、电介质和**聚合物衬底124**，用于各种器件，包括薄膜晶体管(TFT)和CMOS器件。”<br><br>**[0029]** “如果需要，可以去除宿主衬底的埋氧层，以释放异质纳米膜作为自支撑薄膜，该薄膜可以被转移到各种衬底，包括体或薄膜半导体、金属、电介质和**聚合物衬底**，用于各种器件，包括薄膜晶体管(TFT)和CMOS器件。” | 对比文件明确公开了其纳米膜结构可以置于或转移到“聚合物衬底”上，该聚合物衬底作为整个结构的支撑基础。这与目标专利中“支撑衬底”的概念和作用完全一致，即用于支撑其上的沟道构件和电极。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜 《直接公开》 | **[0021]** “...净结果是一个自支撑的纳米膜结构，其包括一个复合薄膜，该复合薄膜包含具有多个第二半导体材料（例如，上述例子中的Si(001)）岛的第一半导体材料（例如，上述例子中的Si(110)）薄膜，其中所述复合薄膜被**第二半导体材料的薄膜支撑**。”<br><br>**[0024]** “步骤(b)显示了在光刻和反应离子刻蚀形成区域后的异质结构...步骤(c)显示了在将三明治纳米膜转移到SOI(001)宿主后...步骤(f)展示了最终的混合取向/混合应变纳米膜结构122。**这种结构然后可以被转移到**各种衬底...” | 对比文件描述了其制备的纳米膜结构（无论是复合薄膜还是多层膜）可以放置在或转移到支撑衬底上。例如，[0021]中明确提到复合薄膜被支撑在第二半导体材料的薄膜上，然后再转移到其他衬底；[0024]也描述了将释放的纳米膜转移到SOI宿主衬底上。这表明“纳米膜”是直接形成或设置在“支撑衬底”上的，与目标专利的技术构成一致。 |
| 技术特征C：在所述纳米膜上的沟道构件 《直接公开》 | **[0006]** “本发明提供了一种异质纳米膜基结构，其包括一个半导体薄膜，该薄膜包含第一半导体材料，其中分布有第二半导体材料的区域，以提供一种增强电子和空穴迁移率的异质半导体层结构。”<br><br>**[0026]** “...n型器件（例如nFET）可以制造在高电子迁移率(001)区域上，而p型器件（例如pFET）形成在无位错应变Si(110)上...” | 对比文件的核心就是其纳米膜结构本身作为有源层（沟道）用于制造器件。在[0006]中，该半导体薄膜（即纳米膜）被描述为增强载流子迁移率，这正是沟道构件的功能。在[0026]中，明确在该纳米膜结构上制造FET器件，FET的沟道自然就是该纳米膜结构的一部分。因此，对比文件公开了纳米膜本身就充当或包含沟道构件。 |
| 技术特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极 《直接公开》 | **[0026]** “...n型器件（例如nFET）可以制造在高电子迁移率(001)区域上，而p型器件（例如pFET）形成在无位错应变Si(110)上...” | 在半导体器件（如FET）的制造中，源极和漏极（即第一和第二电极）是形成在沟道构件上的必要组成部分。对比文件明确公开了在其纳米膜结构上制造FET器件，这必然意味着在沟道构件（纳米膜结构自身）上形成了源漏电极。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极 《隐含公开》 | **[0026]** “...n型器件（例如nFET）可以制造在高电子迁移率(001)区域上，而p型器件（例如pFET）形成在无位错应变Si(110)上...” | 对比文件明确提及制造FET器件。对于本领域技术人员而言，FET的基本工作原理就是在源极和漏极之间施加电压，使电流通过沟道流动。因此，虽然对比文件没有用文字直接描述“电极被配置为使电流能够流过沟道构件”，但这是制造和使用FET器件的内在必然要求，属于本领域技术人员的常规理解。该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离 《直接公开》 | **[0021]** “...净结果是一个自支撑的纳米膜结构，其包括一个复合薄膜，该复合薄膜包含具有多个第二半导体材料（例如，上述例子中的Si(001)）岛的第一半导体材料（例如，上述例子中的Si(110)）薄膜，其中所述复合薄膜被第二半导体材料的薄膜支撑。”<br><br>**[0024]** “...步骤(f)展示了最终的混合取向/混合应变纳米膜结构122。这种结构然后可以被转移到各种衬底...” | 对比文件中的纳米膜结构是一个独立的层。在[0021]中，复合薄膜（包含第一和第二半导体材料）被支撑在另一薄膜上，或者最终被转移到新衬底上。在[0024]的步骤(f)中，最终的纳米膜结构122被转移到衬底124上。在这些结构中，纳米膜（即复合薄膜或多层膜）都位于沟道区域（即纳米膜本身）和支撑衬底之间，起到隔离作用。该结构特征与目标专利一致，被直接公开。 |
| 技术特征G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜 《未公开》 | **[0004]** “...应变改变了硅的能带结构，从而影响载流子迁移率...”<br><br>**[0006]** “...本发明提供了一种异质纳米膜基结构，其包括一个半导体薄膜，该薄膜包含第一半导体材料，其中分布有第二半导体材料的区域，以提供一种增强电子和空穴迁移率的异质半导体层结构。” | 对比文件完全没有公开“碳纳米膜”这一具体材料。对比文件中的纳米膜是基于硅、硅锗等无机半导体材料的薄膜，其功能是通过应变和晶体取向工程来增强载流子迁移率，而非通过“抑制沟道构件与支撑衬底之间的相互作用”。目标专利中的碳纳米膜是电绝缘的，而对比文件中的纳米膜是半导体。因此，该技术特征（尤其是碳纳米膜）未被对比文件以任何方式公开。 |
| 技术特征H：所述沟道构件包括石墨烯 《未公开》 | 全文未提及“石墨烯”。 | 对比文件全文未出现“石墨烯”一词或其相关描述。所有实施例均基于硅(Si)、硅锗(SiGe)等传统半导体材料。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种。 《隐含公开》 | **[0021]** “...这种结构然后可以被转移到各种衬底上，包括体或薄膜半导体、金属、电介质和**聚合物衬底**，用于各种器件，包括薄膜晶体管（TFT）和CMOS器件。”<br><br>**[0024]** “...步骤(f)展示了最终的混合取向/混合应变纳米膜结构122。这种结构然后可以被转移到各种衬底上，包括体或薄膜半导体、金属、电介质和**聚合物衬底124**，用于各种器件，包括薄膜晶体管(TFT)和CMOS器件。” | 对比文件明确指出其纳米膜结构可以转移到“聚合物衬底”上。目标专利中的聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷均为常见的聚合物材料。本领域技术人员在阅读对比文件后，在需要选择柔性、可拉伸等特定性能的衬底时，会合理选用这些常见的聚合物材料。因此，该技术特征属于本领域技术人员在对比文件公开内容基础上的合理推理，可以被认定为隐含公开。 |
| 技术特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件。 《未公开》 | 全文未提及通过厚度提供间隔以减小电磁相互作用。 | 对比文件公开的纳米膜厚度（例如，总厚度不超过1000nm，优选100nm以下，实施例中约102-128nm）是为了实现应变调控和特定晶向集成，而非作为间隔物以抑制电磁相互作用。对比文件完全没有涉及通过设置间隔来减小沟道与衬底之间电磁相互作用的概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件。 《未公开》 | 全文未提及通过纳米膜的厚度或形变来吸收或减小衬底粗糙度的影响。 | 对比文件关注的是纳米膜自身生长过程中的表面粗糙度（如[0041]和[0042]段），并试图通过MBE或翻转膜（[0043]段）来降低粗糙度。其目的是优化纳米膜本身的表面质量，而非利用纳米膜的厚度或形变能力来适应下伏衬底的粗糙度。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件。 《未公开》 | 全文未提及“碳纳米膜”以及抑制电流泄漏的功能。 | 对比文件的纳米膜是半导体材料（Si, SiGe），是导电的，不能作为抑制泄漏的绝缘层。其功能是作为沟道本身或通过应变增强沟道迁移率，而非作为绝缘间隔层防止泄漏。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件。 《未公开》 | 全文未提及带电物质产生的电场影响以及屏蔽功能。 | 对比文件围绕应变和晶向工程展开，未涉及任何关于“带电物质”或“电场屏蔽”的技术问题或解决方案。其纳米膜是半导体，不承担屏蔽功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件。 《未公开》 | 全文未提及电互连产生的电磁场影响以及屏蔽功能。 | 与特征M类似，对比文件不涉及任何电磁屏蔽的设计或功能。其纳米膜材料（Si, SiGe）也不作为电磁屏蔽层。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化。 《未公开》 | 全文未提及在纳米膜中包含掺杂剂以改变沟道电流。 | 对比文件中，纳米膜材料（Si, SiGe）的导电类型和载流子迁移率是通过应变和晶体取向调控的，而不是通过添加掺杂剂。其描述的掺杂（如有）是常规半导体工艺中的衬底或沟道掺杂，而非作为纳米膜的一种配置成分来主动引起电流变化。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流。 《未公开》 | 全文未提及位于纳米膜与支撑衬底之间的导电材料层以及碳纳米膜充当电介质间隔物的结构。 | 对比文件中，纳米膜直接与支撑衬底接触或通过转移工艺放置其上，中间没有独立的导电层作为底栅。其FET结构中的栅极要么是传统顶栅，要么是利用SOI衬底的埋氧层和背栅结构（如[0021]和[0024]所述），但并未将纳米膜本身作为栅介质。此外，碳纳米膜也未在对比文件中出现。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流。 《未公开》 | 全文未提及由“另外的纳米膜”作为电介质间隔物的顶栅结构。 | 对比文件提及在纳米膜上制造FET，但未描述使用“另外的纳米膜”作为栅介质层。其传统的栅极结构（例如，未图示的标准顶栅）使用沉积的氧化物作为栅介质，而非一个独立的、预先制备好的纳米膜。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化。 《未公开》 | 全文未提及任何传感器应用、受体物质或特异性结合。 | 对比文件完全专注于半导体材料和器件制造（CMOS、TFT等），未涉及任何与传感器、生物或化学检测相关的应用、术语（如受体物质、特异性结合）或结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化。 《未公开》 | **[0024]** “...在纳米膜中形成多个孔114，以促进牺牲层的选择性化学去除...然后用半导体填充材料116填充...” | 对比文件虽然在其制备方法中使用了“孔”（holes, 114），但其功能是允许刻蚀剂接触牺牲层以便释放纳米膜，或者是作为模板用于外延生长第二半导体材料（如Si(001)）的填充。这些孔的功能完全不同于目标专利中“允许特定分析物物质通过以与沟道构件相互作用”的过滤/传感功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响。 《未公开》 | 全文未提及任何钝化层或保护层。 | 对比文件未描述任何用于保护其纳米膜结构或电极免受环境影响的额外覆盖层。其制得的纳米膜结构本身即为最终的有源层，没有额外的保护性纳米膜。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种。 《隐含公开》 | **[0026]** “...新的(001)宿主可以是一个传统的SOI(001)衬底，这将能够实现第二次释放和转移到几乎任何其他表面，使得这种新型组合膜中的潜在迁移率增强可以用于大量新兴应用，例如**柔性、高性能电子产品**。” | 对比文件明确指出其纳米膜结构可以用于“柔性、高性能电子产品”。这强烈暗示其结构中的某些部件（如转移到聚合物衬底上的纳米膜）具备柔性或可变形能力。本领域技术人员可以合理推断，为实现柔性应用，器件中的各层（尤其是支撑衬底）应具备可逆变形能力。因此，该技术特征可以被隐含公开。 |
| 技术特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种。 《未公开》 | 全文未提及独立的“导电材料层”。 | 由于对比文件未公开技术特征P中的“导电材料层”，因此更未公开其柔性/可变形等特性。因此，该技术特征未被对比文件以任何方式公开。 |
| 技术特征W、X、Y、Z：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种。 《未公开》 | 全文未提及“另外的纳米膜”。 | 由于对比文件未公开技术特征Q、R、S、T中的“另外的纳米膜”，因此更未公开其柔性/可变形等特性。因此，这些技术特征未被对比文件以任何方式公开。 |
### 结论代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、F。对比文件隐含公开了技术特征E、I、U。其他技术特征均未被对比文件直接或隐含公开。
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