对比文件名称：2014-07-31_US2014209977A_发明申请_US20140209977A1 DOPED AND STRAINED FLEXIBLE THIN-FILM TRANSISTORS
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 特征A：包括：支撑衬底（直接公开） | [0028] "支撑层124优选足够薄以具有机械柔性并且可以是塑料材料。聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)是可用作支撑层124的塑料材料的实例。" | 对比文件明确公开了支撑衬底（支撑层124），用于支撑晶体管结构，因此直接公开。 |
| 特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜（未公开） | [0028] 将释放的三层结构转移到包括支撑层124和粘合剂膜126的衬底结构上，第三层118通过粘合剂膜126附着在支撑层124上。 | 对比文件中的纳米膜（第三层118）通过粘合剂层与支撑衬底接触，并非直接接触，且未公开任何直接形成纳米膜在支撑衬底上的方式，因此未公开。 |
| 特征C：在所述纳米膜上的沟道构件（未公开） | [0027] "在单晶层106上生长第二单晶材料层116作为应变层，并在层116上生长第三单晶半导体材料层118。" [0024] 沟道区域定义在第一层106中。 | 对比文件中，沟道构件（第一层106）位于第三层118上，但中间有第二层116，并非直接在纳米膜（第三层）上，因此未公开。 |
| 特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极（直接公开） | [0029] "源极和漏极接触128和130沉积在第一层单晶材料106的新暴露表面上。" | 对比文件公开了第一电极和第二电极（源漏接触）直接设置在沟道构件（第一层106）上，因此直接公开。 |
| 特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极（直接公开） | [0005] "晶体管包括与源极区域电通信的源极接触和与漏极区域电通信的漏极接触。" 以及晶体管操作描述。 | 对比文件公开了晶体管的源漏电极配置使电流通过沟道，因此直接公开。 |
| 特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离（未公开） | [0027]-[0028] 三层结构包括第一层106、第二层116、第三层118，第三层118通过粘合剂附接到支撑衬底124。 | 对比文件中，沟道构件（第一层106）与支撑衬底124之间隔有第二层116和第三层118，并非仅通过纳米膜（第三层）分离，且第三层是半导体层，功能不同，因此未公开。 |
| 特征G：所述纳米膜包括碳纳米膜（未公开） | [0018] "单晶材料层及其制成的三层结构在本文中也称为'纳米膜'。" 材料包括硅、硅锗等。 | 对比文件中的所有纳米膜由半导体材料（Si、SiGe）构成，未提及碳纳米膜，因此未公开。 |
| 特征H：所述沟道构件包括石墨烯（未公开） | [0024] 沟道区域由单晶硅形成。 | 对比文件沟道构件为硅，不是石墨烯，因此未公开。 |
| 特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种（直接公开） | [0028] "聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)是可用作支撑层124的塑料材料的实例。" | PET属于聚酯，对比文件公开了支撑衬底包括聚酯，因此直接公开。 |
| 特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | [0021] 厚度设置用于应变共享，[0030] 厚度范围用于机械柔性。 | 对比文件未公开纳米膜厚度用于减小电磁相互作用，也未公开任何相关功能，因此未公开。 |
| 特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开纳米膜用于补偿衬底粗糙度，因此未公开。 |
| 特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件没有碳纳米膜，也未公开泄漏抑制功能，因此未公开。 |
| 特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件纳米膜为半导体，非导电屏蔽材料，也未公开屏蔽功能，因此未公开。 |
| 特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开导电屏蔽纳米膜，因此未公开。 |
| 特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | [0024] 对第一层106进行选择性掺杂形成源极区域110和漏极区域112。 | 对比文件中的掺杂剂位于第一层（沟道层）中，而不是位于沟道构件与支撑衬底之间的纳米膜中，且掺杂用于形成源漏接触，并非直接引起沟道电流变化（由栅极控制），因此未公开。 |
| 特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | 无 | 对比文件没有导电材料层位于纳米膜与支撑衬底之间，也没有碳纳米膜，因此未公开。 |
| 特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | [0042] "为了制作栅极电介质和栅极金属接触，在通过光学光刻限定的沟道区域上蒸发120 nm厚的SiO、20 nm厚的Ti和150 nm Au。" | 对比文件公开了栅极和栅极电介质（SiO），但电介质厚度为120nm，不属于纳米膜范畴，且未提及"另外的纳米膜"，因此未公开。 |
| 特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何受体物质或传感器结构，因此未公开。 |
| 特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何多孔纳米膜或分析物检测结构，因此未公开。 |
| 特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何保护性纳米膜，因此未公开。 |
| 特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（直接公开） | [0031] "机械柔性三层结构和晶体管可以弯曲（例如，弯曲甚至卷成圆柱）而不会经历性能显著下降。" [0028] "支撑层124优选足够薄以具有机械柔性。" | 对比文件明确公开了支撑衬底、纳米膜（三层结构）等具有机械柔性（可逆地柔性），因此直接公开。 |
| 特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 对比文件没有公开位于纳米膜与支撑衬底之间的导电材料层，因此未公开。 |
| 特征W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何另外的纳米膜（如保护层、传感器层等），因此未公开。 |
| 特征X：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 同特征W，未公开。 |
| 特征Y：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 同特征W，未公开。 |
| 特征Z：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 同特征W，未公开。 |
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