对比文件名称：2010-07-28_CN101788525A_发明公开_CN101788525A 一种手性传感器及其制备方法
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：支撑衬底《直接公开》 | 对比文件说明书具体实施方式部分：“在基底1上溅射或蒸发一层10nm-500nm厚的栅电极2”，以及“将100晶面的硅依次用丙酮、乙醇、纯净水超声40分钟……待用。”基底1作为器件的支撑结构。 | 对比文件公开了基底1，其功能是支撑有源层、电极等部件，与目标专利的支撑衬底作用相同，本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了支撑衬底。 |
| 技术特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜《未公开》 | 对比文件未提及任何纳米膜结构。 | 对比文件在基底上直接形成的是栅电极或栅绝缘层，没有公开纳米膜，因此未公开该特征。 |
| 技术特征C：在所述纳米膜上的沟道构件《未公开》 | 对比文件未提及纳米膜，有源层形成在栅绝缘层上。 | 对比文件没有纳米膜，更不存在在纳米膜上的沟道构件，因此未公开。 |
| 技术特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极《直接公开》 | 对比文件实施例一步骤四：“在有源层4上，溅射、喷墨打印或蒸发一层由Au、Ag、Ti、PEDOT:PSS等的一种或两种构成的源电极5和漏电极6。”有源层4作为沟道层。 | 对比文件公开了顶接触结构，源电极和漏电极直接形成在有源层（即沟道构件）上，实现了电极与沟道构件的直接接触，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极《直接公开》 | 对比文件背景技术部分：“在源漏之间加上一个负电压VDS，就会在源漏电极之间产生电流”，以及“电流的大小由栅源电压VGS和源漏电压VDS同时控制”。 | 对比文件明确描述了源漏电极之间施加电压时电流通过有源层（沟道构件），因此直接公开了电极配置用于使电流通过沟道构件。 |
| 技术特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离《未公开》 | 对比文件未公开纳米膜，沟道构件与基底之间具有栅绝缘层和栅电极。 | 对比文件没有纳米膜，沟道构件通过栅绝缘层与基底分离，但栅绝缘层不是纳米膜，也不具有目标专利纳米膜的特定功能，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜《未公开》 | 对比文件未提及纳米膜及其功能，也未提及碳纳米膜。 | 对比文件没有公开任何纳米膜，特别是碳纳米膜，也没有公开通过抑制相互作用来便于电流流动的功能，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述沟道构件包括石墨烯《未公开》 | 对比文件有源层为有机半导体材料，如聚噻吩等。 | 对比文件明确有源层为有机半导体，未提及石墨烯，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种《未公开》 | 对比文件基底材料为硅、玻璃等，未提到聚酰亚胺等柔性材料。 | 对比文件未公开支撑衬底由这些柔性材料组成，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件《未公开》 | 对比文件未公开纳米膜及其厚度功能。 | 对比文件未公开纳米膜及其预定厚度以减小电磁相互作用，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件《未公开》 | 对比文件未公开纳米膜的厚度和变形特性。 | 对比文件未公开纳米膜及其用于减小粗糙度影响的功能，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米膜及泄漏抑制功能。 | 对比文件没有碳纳米膜，也没有公开抑制泄漏的功能，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件《未公开》 | 对比文件未公开导电纳米膜及屏蔽功能。 | 对比文件没有纳米膜，也没有公开屏蔽电场功能，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件《未公开》 | 对比文件未公开导电纳米膜及电磁屏蔽功能。 | 对比文件没有纳米膜，也没有公开屏蔽电磁场功能，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化《未公开》 | 对比文件有源层可以掺杂手性材料，但纳米膜未提及。 | 对比文件没有纳米膜，因此未公开纳米膜包括掺杂剂，有源层的掺杂与纳米膜不同，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流《未公开》 | 对比文件有栅电极（导电材料层）位于基底上，栅绝缘层位于栅电极上，有源层在栅绝缘层上。 | 对比文件没有碳纳米膜，也没有纳米膜作为电介质间隔物的结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流《未公开》 | 对比文件有栅电极（第三电极）通过栅绝缘层与有源层分离，栅绝缘层是电介质材料，但非纳米膜。 | 对比文件的栅绝缘层是常规电介质层，不是纳米膜，目标专利强调另外的纳米膜，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化《未公开》 | 对比文件未公开任何纳米膜受体物质结构。 | 对比文件没有纳米膜，也没有公开受体物质结合带电物质的功能，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化《未公开》 | 对比文件未公开多孔纳米膜。 | 对比文件没有纳米膜，也没有公开通过孔允许分析物通过的功能，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响《未公开》 | 对比文件未公开保护性纳米膜。 | 对比文件没有纳米膜，也没有公开保护功能，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开任何部件的可逆变形特性。 | 对比文件没有公开这些部件的柔性或可变形性，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开导电材料层的变形特性。 | 对比文件没有公开导电材料层的可逆变形，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开另外的纳米膜及其变形特性。 | 对比文件没有公开另外的纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开另外的纳米膜及其变形特性。 | 对比文件没有公开另外的纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开另外的纳米膜及其变形特性。 | 对比文件没有公开另外的纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征Z：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开另外的纳米膜及其变形特性。 | 对比文件没有公开另外的纳米膜，因此未公开。 |
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