对比文件名称：2015-01-22_WO2015007947A_发明申请_WO2015007947A1 AN ENVIRONMENTAL SENSOR AND A METHOD FOR DETERMINING RELATIVE VAPOUR PRESSURE
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括支撑衬底**（直接公开） | [p0055] “Typically, the first, second and third layers would be formed on top of a supporting substrate 515 as shown.”；[p0067] “deposited on a supporting substrate (e.g. polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, glass, silicon, silicon dioxide, polydimethylsiloxane or polyurethane).” | 对比文件明确公开了支撑衬底，并列举了多种衬底材料，因此该技术特征被直接公开。 |
| **B: 直接在所述支撑衬底上的纳米膜**（未公开） | 无 | 对比文件中，沟道层（第一层）直接形成在支撑衬底上，没有在支撑衬底与沟道之间设置任何纳米膜。对比文件的第三层位于第一层与第二层之间，而非位于支撑衬底与沟道之间。因此未公开。 |
| **C: 在所述纳米膜上的沟道构件**（未公开） | 无 | 由于对比文件未公开支撑衬底上的纳米膜，因此沟道构件不在纳米膜上。未公开。 |
| **D: 在所述沟道构件上的第一电极和第二电极**（直接公开） | [p0067] “Electrical contacts are then formed on the first layer material (e.g. using inkjet, screen, stencil or flexographic printing; evaporation or sputtering) to produce the source and drain electrodes.”；图5示出源电极505和漏电极506接触第一层512。 | 对比文件明确公开了在沟道层（第一层）上形成源电极和漏电极，因此直接公开。 |
| **E: 所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极**（直接公开） | [p0054] “A current is injected and collected via the source and drain electrodes, respectively, by applying a potential difference across the semiconductor.” | 对比文件描述了源漏电极用于使电流通过半导体沟道，直接公开。 |
| **F: 所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离**（未公开） | 无 | 对比文件没有在沟道和支撑衬底之间设置纳米膜进行分离，因此未公开。 |
| **G: 所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且所述纳米膜包括碳纳米膜**（未公开） | 无 | 对比文件未公开该纳米膜，更未公开碳纳米膜及其功能，因此未公开。 |
| **H: 所述沟道构件包括石墨烯**（直接公开） | [p0058] “graphene is a suitable candidate for the first layer.” | 对比文件明确公开第一层（沟道）可以是石墨烯，因此直接公开。 |
| **I: 所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种**（直接公开） | [p0067] “polyethylene terephthalate, … polydimethylsiloxane or polyurethane” | 对比文件公开了聚酯（PET）、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷，属于所述材料中的多种，因此直接公开。 |
| **J: 所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件**（未公开） | 无 | 对比文件未公开此特征，未公开。 |
| **K: 所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件**（未公开） | 无 | 对比文件未公开此特征，未公开。 |
| **L: 所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件**（未公开） | 无 | 对比文件未公开碳纳米膜及其泄漏抑制功能，未公开。 |
| **M: 所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件**（未公开） | 无 | 对比文件未公开此特征，未公开。 |
| **N: 所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件**（未公开） | 无 | 对比文件未公开此特征，未公开。 |
| **O: 所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化**（未公开） | 无 | 对比文件未公开此特征，未公开。 |
| **P: 所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流**（未公开） | 无 | 对比文件图7的背电极719不位于纳米膜与支撑衬底之间，且没有碳纳米膜作为电介质间隔物，未公开。 |
| **Q: 所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流**（未公开） | 无 | 对比文件没有公开第三电极和另外的纳米膜作为栅极电介质，未公开。 |
| **R: 所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化**（未公开） | 无 | 对比文件第二层513是感应层，其通过自身官能团与流体反应释放质子，而非特异性结合环境中的带电物质，机制不同，未公开。 |
| **S: 所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化**（未公开） | 无 | 对比文件没有公开具有孔的选择性过滤纳米膜，保护层820是流体可渗透但非选择性孔，未公开。 |
| **T: 所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响**（直接公开） | [p0060] “the apparatus comprises a protective layer 820 configured to prevent damage to the first, second and third layers without preventing the relative vapour pressure of the fluid in the environment from being determined. … comprises a fluid-permeable material such as a block co-polymer or a non-absorbing fabric layer.” 图8示出保护层820位于最上层。 | 对比文件公开了保护层，位于沟道（第一层）的与衬底相反的一侧，用于保护包括沟道和电极在内的各层。该保护层可以是薄层（纳米膜），功能与目标专利的另外的纳米膜一致，因此直接公开。 |
| **U: 所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（隐含公开） | [p0067] 使用柔性衬底（如PET、PDMS）和石墨烯；[p0058] 石墨烯作为第一层材料。 | 对比文件虽未明确可逆变形，但使用柔性衬底和石墨烯暗示了装置具有柔性。本领域技术人员可合理推断这些部件至少具有柔性，但可拉伸、可压缩未明确，因此隐含公开。 |
| **V: 所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（未公开） | 无 | 对比文件未公开导电材料层（特征P中的），因此未公开。 |
| **W: 所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（未公开） | 无 | 对比文件未公开另外的纳米膜具有所述可逆变形性，保护层虽可能柔性但未明确，因此未公开。 |
| **X: 所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
| **Y: 所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
| **Z: 所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种**（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
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