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对比文件列表
1980-05-06_发明授权_US4201960A Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna_+++A_C_D_F_H_L_j+++.docx
2026-03-10 19:07
1987-01-21_发明公开_EP0208984A1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_L_Q_f_j+++.docx
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1988-12-06_发明授权_US4789846A Microwave semiconductor switch_+++C_D_F_a_h+++.docx
2026-03-10 19:07
1990-05-23_发明授权_EP0208984B1 Verfahren zur automatischen Impedanzanpassung eines Senders an eine Antenne_+++A_D_F_L_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
1995-10-13_发明专利_JPH07260493A Angular velocity detection circuit in vibration gyro_+++A_D_h+++.docx
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2000-07-18_发明专利_JP2000201015A Antenna element and radio communication device using the same_+++a_l_q+++.docx
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2000-09-12_发明授权_US6118985A High frequency switch device, front end unit and transceiver_+++C_D_H_I_J_Q_a_b_f+++.docx
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2002-01-22_发明专利_JP2002018891A Composite film for in-molding and molding using the film_+++A_a+++.docx
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2002-09-04_发明公开_EP1237222A1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++B_C_D_H_O_Q_a_p+++.docx
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2002-09-06_发明申请_WO2002069435A1 MULTIBAND R. F. SWITCHING DEVICE_+++C_D_H_Q_a_b_f_j+++.docx
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2003-02-27_发明申请_WO2003016413A1 THERMISCH UND MIT AKTINISCHER STRAHLUNG HÄRTBARE BESCHICHTUNGSSTOFFE UND IHRE VERWENDUNG_+++A_a+++.docx
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2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit_+++A_B_C_D_F_I_J_h_q+++.docx
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2004-05-13_发明申请_US20040092285A1 Multiband r f switching device_+++C_D_H_J_Q_a_b_e_f+++.docx
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2005-11-04_发明专利_JP2005311447A Switch circuit_+++A_B_C_D_F_H_J_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2006-01-18_发明授权_EP1237222B1 Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device_+++C_D_H_Q_a_b_f+++.docx
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2006-06-08_发明专利_JP2006148385A Antenna multiplexer_+++A_B_D_E_J_h_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2006-10-19_发明专利_DE60116676T2 Multi-band transformation stage for a multi-band RF switching device_+++C_D_J_Q_a_f+++.docx
2026-03-10 19:07
2008-08-28_发明申请_US20080204338A1 METHOD AND SYSTEM FOR SOFTWARE DEFINED ANTENNA CONTROL_+++A_B_C_D_F_L_Q_h_j+++.docx
2026-03-10 19:07
2009-10-29_发明申请_US20090267588A1 METHOD AND APPARATUS TO DYNAMICALLY CONTROL IMPEDANCE TO MAXIMIZE POWER SUPPLY_+++A_B_C_D_F_K_L_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2010-12-23_发明申请_US20100321129A1 CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF COUPLING TO AN ANTENNA_+++A_D_H+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-05-05_发明申请_US20110102291A1 Method and System for Software Defined Antenna Control_+++A_B_C_D_F_J_Q+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-08-10_发明专利_JP4742305B2 Noise filter_+++A_B+++.docx
2026-03-10 19:07
2011-10-13_发明申请_US20110249576A1 ANTENNA SELECTION BASED ON PERFORMANCE METRICS IN A WIRELESS DEVICE_+++A_H_d_o_p+++.docx
2026-03-10 19:07
2012-05-01_发明授权_US08170505B2 Driver amplifier having a programmable output impedance adjustment circuit_+++D_Q_a_h+++.docx
2026-03-10 19:07
2013-08-29_发明申请_US20130222075A1 Methods and Apparatuses for use in Tuning Reactance in a Circuit Device_+++A_C_D_F_H_J_b_g_i_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-01-09_发明申请_US20140009364A1 ANTENNA ARRAY CONNECTIVITY LAYOUT AND A METHOD FOR DESIGNING THEREOF_+++A_E_P_d_j_n_o_q+++.docx
2026-03-10 19:07
2014-01-14_发明授权_US08629813B2 Adjustable multi-band antenna and methods_+++D_Q_a_h_l+++.docx
2026-03-10 19:07
2002-01-22_发明专利_JP2002018891A Composite film for in-molding and molding using the film_+++A_a+++.docx

# 特征比对分析

**对比文件名称**:2002-01-22_发明专利_JP2002018891A Composite film for in-molding and molding using the film

**目标专利名称**:可切换的天线阵列 CN105917581B

**模型名称**:GPT-4

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:阻抗电路<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何与“阻抗电路”相关的内容。对比文件涉及用于模内成型的复合薄膜,其技术领域为高分子材料、塑料成型和热转印记录。说明书全篇描述的是基体薄膜的树脂成分、染料接收层的组成、以及成型工艺,完全没有提及任何电子电路,尤其是用于信号处理的“阻抗电路”。本领域技术人员(高分子材料或塑料加工领域)不可能从该对比文件中毫无疑义地得出或推理出任何形式的“阻抗电路”。因此,该技术特征既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征B**:以及<br>多个电感器,所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子,<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何与“电感器”、“输出端子”或类似电子元件相关的技术内容。对比文件的核心内容为薄膜的物理结构(基体层、染料接收层)和化学组成(各种树脂、添加剂)。其中不存在任何电子元件、电路连接或信号端子的描述。本领域技术人员无法从高分子材料组合物中推理出用于射频信号路径的“电感器”以及将其耦合至“阻抗电路”和“输出端子”的技术方案。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征C**:并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关,<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何与“开关”并联耦合“电感器”的电路结构。对比文件中出现的“开关”一词可能存在于非技术语境或与电路无关的描述中(例如,机器开关),但绝未公开作为电子元件的“开关”与“电感器”之间具有“并联耦合”关系的技术特征。本领域技术人员阅读该对比文件时,不会将其与射频电路中的开关-电感并联结构产生任何关联。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征D**:其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何关于“开关”被“独立激活”的技术内容。如上所述,对比文件未公开作为电子控制元件的“开关”。更不存在对开关进行“独立激活”配置或控制的描述。本领域技术人员无法从薄膜材料文件中推理出对电子开关的独立控制机制。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征E**:还包括组合器,所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何“组合器”,也未记载组合由开关输出的“信号”以产生“组合信号”的技术内容。对比文件描述的是物理薄膜的层状结构和热转印记录过程,不涉及任何形式的信号(尤其是电信号)的处理、路由或组合。其中不存在“组合器”这一功能部件,也没有“信号输出”、“信号组合”的概念。本领域技术人员不可能从中得出或推断出用于射频信号路径的组合器技术方案。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:其中,每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何关于开关使信号“旁路电感器”进行传播的技术内容。该技术特征描述了开关在闭合状态下为信号提供旁路电感器的低阻抗路径这一具体的电路功能。对比文件完全不涉及信号在电路中的传播路径选择或旁路机制。本领域技术人员无法从高分子薄膜的说明中推理出这种特定的射频电路行为。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征G**:其中,所述多个开关中的每个开关包括晶体管,并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“晶体管”,也未记载基于平衡阻抗匹配和串联损耗的标准来确定晶体管大小的技术内容。对比文件的技术领域与半导体器件、晶体管设计、射频电路性能优化(阻抗匹配、串联损耗)毫无关联。说明书通篇讨论的是树脂、颜料、填料等材料的配比和性能,不可能包含或隐含任何关于晶体管尺寸设计以优化电路性能的技术教导。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征H**:其中,所述第一模式对应于闭合的开关,而所述第二模式对应于断开的开关。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载将“闭合的开关”和“断开的开关”定义为“第一模式”和“第二模式”的技术内容。该技术特征定义了开关状态与操作模式的对应关系。由于对比文件根本没有公开涉及开关状态控制的技术方案,因此这种具体的模式定义也无从谈起。本领域技术人员无法从对比文件中推理出该特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征I**:其中,所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载关于确定“电感器大小”的“标准”,也未记载与“开关的多个配置”相关的技术内容。确定电感器大小以优化开关网络性能是射频电路设计中的特定技术。对比文件不涉及任何电路设计,更不用说基于开关配置来优化无源元件参数。本领域技术人员无法从材料配方文件中获得此类技术启示。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征J**:其中,所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路,并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“公共节点”、“控制信号”或基于控制信号值激活开关的技术内容。该特征涉及电路的拓扑连接(公共节点)和控制机制(控制信号)。对比文件描述的是薄膜的物理层状结构,不存在电路节点;其工艺控制(如加热、真空成型)也与对电子开关的离散控制信号不同。本领域技术人员无法推理出该技术特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征K**:其中,所述阻抗电路包括:第二电感器,被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载任何“第二电感器”或类似的电路元件及其连接关系。对比文件未公开任何电感器,因此更不可能公开阻抗电路中包含的“第二电感器”及其特定的连接方式(耦合至输入和多个电感器)。该技术特征未被公开。
**技术特征L**:以及<br>电容器,被耦合至所述输入并被耦合至地。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“电容器”,也未记载电容器“耦合至输入并耦合至地”的电路结构。对比文件的技术内容与包含电容器和接地连接的匹配网络电路无关。本领域技术人员无法从中得出该技术特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征M**:其中,所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“分配和加和网络”或其“第一级”的结构。“分配和加和网络”是目标专利中射频前端信号路由与组合的特定架构。对比文件完全不涉及信号分配与加和,其描述的薄膜多层结构在功能、原理和结构上均与该网络有本质区别。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征N**:其中,所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关,其中,所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“分配和加和网络的第二级”、“第二多个开关”、“放大器”或“天线”。该特征描述了多级可配置网络与天线阵列的连接。对比文件的技术领域(高分子薄膜成型)与无线通信设备的天线阵列结构、放大器和多级开关网络毫无交集。本领域技术人员不可能从对比文件中推理出这些部件及其连接关系。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征O**:其中,所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未记载“发射路径”、“接收路径”,也未记载网络在两者之间“共享”的技术内容。该特征涉及射频收发系统中为节省面积和部件而采用的路径共享设计。对比文件不涉及任何信号发射和接收路径,因此共享路径的概念不存在。该技术特征未被公开。
**技术特征P**:其中,所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未提及“射频集成电路”(RFIC)。对比文件讨论的是宏观尺度的薄膜材料和成型工艺,与在半导体芯片上集成的射频集成电路(RFIC)属于完全不同的技术领域和实现层次。本领域技术人员无法从中推理出该技术特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征Q**:其中,所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。<br>**判断结果**:未公开对比文件全文未提及“移动通信设备”。对比文件的应用场景是模内装饰成型制品,如卡片、容器等,其最终产品是塑料制品,而非具有通信功能的电子设备。说明书未将所述复合薄膜描述为用于或包含于“移动通信设备”中。因此,该技术特征未被公开。

## 结论总结

经过逐一比对分析,对比文件JP2002018891A(用于模内成型的复合薄膜及其成型)公开的技术内容全部属于高分子材料、塑料加工及热转印记录领域。目标专利CN105917581B(可切换的天线阵列)要求保护的技术方案涉及射频电路、天线阵列、可配置分配/加和网络等无线通信设备技术。两个文件属于截然不同的技术领域,解决的技术问题、采用的技术手段和实现的技术效果均无任何交集。

**对比文件未直接公开或隐含公开目标专利权利要求中的任何技术特征A至Q。** 本领域技术人员(无论是材料领域还是通信领域)阅读对比文件后,不可能毫无疑义地得出,也不可能通过合理推理得到目标专利权利要求所限定的技术方案。

**最终输出**:由于没有任何技术特征被直接公开或隐含公开,因此不在回答中插入任何代码(如<<<A>>>或<<<a>>>等)。

权利要求与技术特征
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