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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2006-08-31_US2006192867A_发明申请_US20060192867A1 Variable exposure for color image sensor_+++H_I_J_K_L_O_P_Q_R_U+++.docx
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2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus_+++C_D_H_I_U_a_b_f_m_n_o_s_v_w_y+++.docx
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2007-10-04_JP2007258686A_发明专利_JP2007258686A Solid-state image pick-up device and image pick-up device_+++F_H_I_O_U_a_b_s_y+++.docx
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2007-12-13_US2007285547A_发明申请_US20070285547A1 CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions_+++A_B_H_I_c_d_f_k_v_w_y+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx
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2009-04-08_CN101404731A_发明公开_CN101404731A 用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化_+++A_B_F_H_I_M_N_O_S_U_V_Y_c_d_j_k_p_q_r_w+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2011-01-20_US2011013064A_发明申请_US20110013064A1 CMOS Image Sensor With Wide (Intra-Scene) Dynamic Range_+++C_H_I_K_M_O_Q_U_V+++.docx
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2012-09-27_US2012241591A_发明申请_US20120241591A1 PUMPED PINNED PHOTODIODE PIXEL ARRAY_+++A_B_E_I_O_c_f_h_m_s_u_v_y+++.docx
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2013-03-28_US2013076953A_发明申请_US20130076953A1 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP SYSTEM_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2013-04-18_JP2013070245A_发明专利_JP2013070245A Solid-state imaging device and solid-state imaging system_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_k_q_r+++.docx
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2015-10-28_CN103024304B_发明授权_CN103024304B 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_B_E_F_H_I_c_d+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2006-08-31_US2006192867A_发明申请_US20060192867A1 Variable exposure for color image sensor_+++H_I_J_K_L_O_P_Q_R_U+++.docx

对比文件名称:2006-08-31_US2006192867A_发明申请_US20060192867A1 Variable exposure for color image sensor

目标专利名称:用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:所述方法包括:经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**未被公开**无对比文件通篇未提及“阱容量”(well capacity)这一概念。对比文件关注的是通过为不同颜色像素(例如拜耳阵列中的红、绿、蓝像素)设置不同的曝光时间来改善信噪比(SNR)[0003],其技术方案建立在每个像素通常只有一个光感测元件(如光电二极管)的基础上。目标专利的核心在于像素内部集成两个具有不同阱容量的光感测元件(如大小光电二极管),阱容量与感光面积、动态范围直接相关[0026]。对比文件完全没有公开像素内包含多个感光元件或“第一阱容量”这一特征。
技术特征B:经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**未被公开**无如上所述,对比文件未公开像素内包含两个光感测元件,因此更未提及二者的阱容量及其大小关系。目标专利中,“第二阱容量大于第一阱容量”是构建扩展动态范围(WDR)的基础,通常通过大小不同的光电二极管实现[0030]。对比文件的技术方案与在单个像素内集成不同阱容量元件的构思无关。
技术特征C:确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**未被公开**对比文件公开了为不同颜色的像素确定不同的曝光(整合)时间。例如,“第一、第二和第三持续时间可能不同”(“the first, second, and third durations may be different”)[0010];“为每个颜色分量单独调整曝光时间”(“adjusting the exposure time for each color component separately”)[0052]。虽然对比文件公开了“确定不同(曝光)时间”,但其技术主体和应用对象与目标专利不同。对比文件是为**整个像素**(根据其颜色滤镜)确定一个曝光时间,该像素通常只包含一个感光元件。而目标专利的特征C是针对**同一像素内的“第一光感测元件”** 确定一个整合时间。对比文件没有公开在一个像素内存在多个可独立确定整合时间的感光元件。因此,本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“为像素内的第一感光元件确定第一整合时间”的技术方案。
技术特征D:及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**未被公开**同上,对比文件公开了不同颜色像素的曝光时间可以不同。理由同特征C。对比文件公开的是不同像素(基于颜色)之间的曝光时间不同,例如绿色像素用短曝光,红/蓝色像素用长曝光[0071, 图15]。而目标专利的特征D是指为**同一像素内的第二感光元件**确定一个不同于第一感光元件的整合时间。这是完全不同的技术构思:对比文件是在**像素间**进行时间区分以实现SNR优化,而目标专利是在**像素内**进行时间区分以实现WDR扩展。对比文件没有给出任何在单个像素内为不同感光元件设置不同整合时间的启示。
技术特征E:以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**未被公开**对比文件公开了晶体管共享,例如“复位(RST)、源极跟随器(SF)和读取(RD)晶体管在四个相邻像素之间共享”(“the reset (RST), source-follower (SF) and read (RD) transistors are shared between four adjacent pixels”)[0068, 对应图12]。对比文件公开的晶体管共享是**在不同像素之间**(如2x2的四个像素),其目的是减少每个像素的平均晶体管数量,节省芯片面积[0065]。而目标专利的特征E明确限定共享是发生**在每个像素内部**,是在该像素的第一和第二光感测元件之间共享晶体管,其目的是提高像素的填充因数[0030]。两者的共享结构、范围和目的均不相同。本领域技术人员无法从对比文件公开的像素间共享,推理出在同一像素内不同感光元件之间共享晶体管的具体结构。
技术特征F:其进一步包括:至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**未被公开**对比文件公开了基于来自不同曝光时间的信号形成图像,例如智能插值器(intelligent interpolator)218合并短曝光行和长曝光行的信号以形成宽动态范围图像[0042]。对比文件形成图像是基于**不同像素**(不同行、不同颜色)的信号进行合并。例如,图3的智能插值器是基于当前行(如短曝光行)和邻域行(如长曝光行)的信号进行加权组合。而目标专利的特征F是基于**同一像素内**的两个感光元件的信号来形成图像。两者的信号来源和处理单元(像素间 vs 像素内)存在根本差异。对比文件没有提供任何关于在单个像素内融合两个感光元件信号以生成图像的技术教导。
技术特征G:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>**未被公开**无对比文件完全没有公开目标专利中用于融合两个感光元件信号的特定算法公式。对比文件图3所示的智能插值器使用了一种基于阈值判断的简单切换或加权算法(例如,当短曝光像素值高于噪声阈值时,使用缩放后的短曝光值;当长曝光像素饱和时,使用缩放后的短曝光值)[0045-0050]。这与目标专利中基于局部平均绝对差值(MAD)计算的复杂混合函数α(x,y)完全不同。因此,该具体算法特征未被对比文件公开。
技术特征H:其中所述图像是高动态范围图像。<br>**直接公开**“...合并短曝光行和长曝光行以形成宽动态范围图像”(“combines the short and long exposure rows to form a wide-dynamic range image”)[0042]。对比文件明确公开了其方法旨在产生“宽动态范围图像”(wide-dynamic range image),这与目标专利中所述的“高动态范围图像”(HDR)含义相同。虽然两者实现HDR的技术路径不同(对比文件通过像素间不同曝光,目标专利通过像素内不同阱容量元件及不同曝光),但最终获得的图像都具有高动态范围这一属性是被直接公开的。
技术特征I:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**直接公开**对比文件多处提及像素包含光电二极管(photo-diode),例如图6的3-T像素电路包含“photo-diode”[0058]。对比文件描述的CMOS图像传感器(CIS)像素,其感光元件即为光电二极管,这是本领域的公知常识。虽然对比文件未提及一个像素内有多个光电二极管,但“感测元件是光电二极管”这一技术特征本身已被对比文件所公开。目标专利说明书[0030]也明确将光电二极管作为光感测元件的实例。
技术特征J:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**直接公开**“行n, n+1, n+4, n+5...具有长曝光设置,而行n+2, n+3, n+6, n+7...具有短曝光设置”(“rows n, n+1, n+4, n+5...have a long exposure setting, while rows n+2, n+3, n+6, n+7... have a short exposure setting”)[0036]。对比文件在“双曝光实施例”中明确公开了存在长曝光和短曝光两种设置,且短曝光时间自然短于长曝光时间。虽然这是应用于不同行像素,但“第二时间短于第一时间”这一时间关系被直接公开。目标专利中,小光电二极管(对应第二感光元件)的整合时间TS通常也短于大光电二极管(对应第一感光元件)的整合时间TL[0060]。
技术特征K:其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**直接公开**“自动曝光软件...然后相应地改变曝光时间以获得最佳图片”(“Auto-Exposure software... and then changes the exposure time accordingly so as to achieve an optimum picture”)[0034]。对比文件明确描述了使用自动曝光(Auto-Exposure)软件根据图像亮度(即光照条件)来调整曝光时间[0034]。这公开了“基于光照条件确定(曝光)时间”这一技术特征。虽然对比文件中确定的是不同颜色像素的曝光时间,而目标专利中确定的是像素内不同感光元件的整合时间,但“基于光照条件确定时间”这一功能性步骤本身已被公开。
技术特征L:其包括:包括多个像素的CMOS可见图像传感器,其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量,其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>**未被公开**无(关于阱容量及像素内双感光元件共享晶体管)该特征是对装置结构的描述,其包含的技术实质与前述方法特征A、B、E的组合相对应。对比文件既未公开像素内包含两个具有不同阱容量的感光元件(特征A、B),也未公开这两个元件在像素内共享晶体管的结构(特征E)。因此,该整体结构特征未被对比文件公开。
技术特征M:及处理器,其经配置以:确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**未被公开**对比文件公开了“自动曝光软件...然后相应地改变曝光时间”(“Auto-Exposure software... and then changes the exposure time”)[0034],这隐含了处理器的配置。虽然对比文件公开了处理器(或软件)可以确定曝光时间,但如特征C所述,其确定的是整个像素(基于颜色)的曝光时间,而非像素内特定感光元件的整合时间。因此,对比文件没有公开处理器被配置为执行“确定用于像素的第一光感测元件的第一整合时间”这一具体功能。
技术特征N:及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**未被公开**同上。理由同特征D和M。对比文件公开了处理器可为不同颜色像素确定不同曝光时间,但未公开为同一像素内的第二感光元件确定不同的整合时间。
技术特征O:其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**直接公开**同特征I的引用。同特征I的论述。对比文件公开了像素的感光元件是光电二极管。
技术特征P:其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**直接公开**同特征J的引用。同特征J的论述。对比文件直接公开了短曝光时间短于长曝光时间的关系。
技术特征Q:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**直接公开**同特征K的引用。同特征K的论述。对比文件公开了处理器(通过自动曝光软件)基于光照条件确定曝光时间。虽然目标对象不同(像素整体 vs 像素内第一感光元件),但“处理器经配置以基于光照条件确定时间”这一功能配置特征已被公开。
技术特征R:其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**直接公开**同特征K的引用。同特征Q的论述。“处理器经配置以基于光照条件确定时间”这一功能配置特征已被公开,尽管确定的对象在两者技术方案中不同。
技术特征S:其中所述处理器进一步经配置以生成图像,所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**未被公开**对比文件公开了智能插值器218生成图像是基于来自不同曝光行的信号[0042]。同特征F的论述。对比文件生成图像是基于不同像素(行)的信号,而目标专利特征S要求处理器基于同一像素内两个感光元件的信号生成图像。两者的信号来源和处理逻辑不同,该特征未被公开。
技术特征T:其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>**未被公开**无同特征G的论述。该具体算法公式未被对比文件公开。
技术特征U:其中所述图像是高动态范围图像。<br>**直接公开**同特征H的引用。同特征H的论述。最终生成高动态范围图像这一属性被直接公开。
技术特征V:其包括:用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**未被公开**无(关于为具有阱容量的特定感光元件确定时间)该特征是功能性装置限定,与技术特征C对应。对比文件没有公开用于实现“为像素内具有第一阱容量的第一光感测元件确定整合时间”这一功能的装置。
技术特征W:及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**未被公开**无(关于为具有不同阱容量的特定感光元件确定不同时间)该特征是功能性装置限定,与技术特征B、D对应。对比文件没有公开涉及“阱容量”的装置,也没有公开用于为同一像素内两个不同感光元件确定不同整合时间的装置。
技术特征X:且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**未被公开**无(关于像素内感光元件间共享晶体管)该特征是结构性限定,与技术特征E对应。对比文件公开的是像素间共享晶体管,而非像素内感光元件间共享晶体管。
技术特征Y:其进一步包括:用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**未被公开**无(关于基于像素内双信号形成图像)该特征是功能性装置限定,与技术特征F对应。对比文件没有公开用于基于同一像素内两个感光元件信号形成图像的装置。
技术特征Z:其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>**未被公开**无该特征是功能性装置限定,与技术特征G对应。该具体算法装置未被对比文件公开。

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